公开(公告)号：US20080248259A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US11869080

申请日：2007-10-09

申请人： Chang Ho Lee ,  Hae Yong Lee ,  Choon Kon Kim ,  Kisoo Lee

发明人： Chang Ho Lee ,  Hae Yong Lee ,  Choon Kon Kim ,  Kisoo Lee

IPC分类号： B32B1/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B25/02 ,  C30B25/18 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/007 ,  H01S5/0213 ,  H01S2304/12 ,  Y10T428/24628

摘要： The present invention relates to a gallium nitride/sapphire thin film, wherein a curvature radius thereof is positioned on the right side of a curve plotted from the following functional formula (I): Y=Y0+A·e−(x1−1)/T1+B·(1−e−x2/T2)   (I) wherein Y is the curvature radius (m) of a gallium nitride/sapphire thin film, x1 is the thickness (μm) of a gallium nitride layer, x2 is the thickness (mm) of a sapphire substrate, Y0 is −107±2.5, A is 24.13±0.50, B is 141±4.5, T1 is 0.56±0.04, and T2 is 0.265±0.5.

摘要翻译： 本发明涉及一种氮化镓/蓝宝石薄膜，其曲率半径位于从以下函数式（I）绘制的曲线的右侧：<？in-line-formula description =“In-line 公式“end =”lead“？> Y = Y <0> - （x -1）/ T _{1 + B。（1-e ^{/ T 2 ）（I）<？in-line-formula description =“In-line Formulas”end = “尾”→其中Y是氮化镓/蓝宝石薄膜的曲率半径（m），x 1是氮化镓层的厚度（mum），x 2 < / SUB>是蓝宝石衬底的厚度（mm），Y 0 <0>为-107±2.5，A为24.13±0.50，B为141±4.5，T 1 < 为0.56±0.04，T <2>为0.265±0.5。}}

公开(公告)号：US20050133798A1

公开(公告)日：2005-06-23

申请号：US11017516

申请日：2004-12-20

申请人： Hyun-Min Jung ,  Hae-Yong Lee ,  Hyun-Min Shin ,  Choon-Kon Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Jeong-Wook Lee ,  Cheol-Soo Sone ,  Jae-Hee Cho

发明人： Hyun-Min Jung ,  Hae-Yong Lee ,  Hyun-Min Shin ,  Choon-Kon Kim ,  Chang-Ho Lee ,  Jeong-Wook Lee ,  Cheol-Soo Sone ,  Jae-Hee Cho

IPC分类号： C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L27/15 ,  H01L29/26 ,  H01L31/12 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC分类号： H01L33/007 ,  C30B25/02 ,  C30B29/40 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/0243 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658

摘要： A nitride semiconductor template having nano-voids at an interface between a substrate having one embossed surface and a nitride semiconductor layer can be rapidly prepared by hydride vapor phase epitaxy (HVPE) growth of the nitride semiconductor layer on the embossed surface of the substrate.

摘要翻译： 可以通过在衬底的压花表面上的氮化物半导体层的氢化物气相外延（HVPE）生长来快速制备具有在具有一个压花表面的衬底与氮化物半导体层之间的界面处的纳米空隙的氮化物半导体模板。