公开(公告)号：US08053375B1

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US11925838

申请日：2007-10-27

申请人： Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Steven M. Bilodeau ,  Scott Battle ,  William Hunks ,  Tianniu Chen

发明人： Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Steven M. Bilodeau ,  Scott Battle ,  William Hunks ,  Tianniu Chen

IPC分类号： H01L21/00 ,  C07F7/08 ,  C07C7/00

CPC分类号： H01L21/02274 ,  C09D183/04 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203

摘要： An ultra low k dielectric film, including a silicon film containing porosity deriving from a porogen, as formed from a precursor silane and a porogen, wherein the precursor silane has a water content below 10 ppm, based on total weight of the precursor silane, and/or the porogen has a water content below 10 ppm, based on total weight of the porogen. In one implementation, the precursor silane is diethoxymethylsilane, and the porogen is bicyclo[2.2.1]-hepta-2,5-diene having a trace water content below 10 ppm, based on total weight of said bicyclo[2.2.1]-hepta-2,5-diene. These super-dry reagents are unexpectedly polymerization-resistant during their delivery and deposition in the formation of ultra low k films, and are advantageously employed to produce ultra low k films of superior character.

摘要翻译： 一种超低k电介质膜，包括由前体硅烷和致孔剂形成的含有致孔剂的孔隙率的硅膜，其中前体硅烷的含水量基于前体硅烷的总重量低于10ppm，和 /或致孔剂的含水量基于致孔剂的总重量低于10ppm。 在一个实施方案中，前体硅烷是二乙氧基甲基硅烷，并且致孔剂是基于所述双环[2.2.1] - 二甲基甲硅烷基的总重量的具有痕量水含量低于10ppm的双环[2.2.1] - 庚-2,5-二烯。 庚-2,5-二烯。 这些超级干燥试剂在它们的输送和沉积期间在超低k膜的形成期间出人意料地具有抗聚合性，并且有利地用于生产优异特性的超低k膜。

公开(公告)号：US20090305458A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12307101

申请日：2007-03-12

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06 ,  C07F7/30 ,  C09D5/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20090215225A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12392009

申请日：2009-02-24

申请人： Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/20 ,  C07C395/00 ,  C07F7/02 ,  C07D229/00 ,  C07D343/00 ,  C07D293/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C333/16 ,  C07C395/00 ,  C07F7/10 ,  C23C16/305

摘要： Precursors for use in depositing tellurium-containing films on substrates such as wafers or other microelectronic device substrates, as well as associated processes of making and using such precursors, and source packages of such precursors. The precursors are useful for deposition of chalcogenide thin films in the manufacture of nonvolatile Phase Change Memory (PCM), by deposition techniques such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 用于在诸如晶片或其他微电子器件基底的基底上沉积含碲膜的前体，以及制备和使用这些前体的相关工艺以及这些前体的源封装。 通过诸如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的沉积技术，前体可用于在制造非易失性相变存储器（PCM）中沉积硫族化物薄膜。

公开(公告)号：US20090087561A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US12239808

申请日：2008-09-28

申请人： Tianniu CHEN ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Tianniu CHEN ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/18

CPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/18

摘要： Metal and metalloid precursors useful for forming metal-containing films on substrates, including amide precursors, tetraalkylguanidinate precursors, ketimate and dianionic guanidinate precursors. The precursors of the invention are readily formed and conveniently used to carry out chemical vapor deposition or atomic layer deposition at low temperature, e.g., at temperature below 400° C.

摘要翻译： 用于在底物上形成含金属膜的金属和准金属前体，包括酰胺前体，四烷基胍胺前体，酮酸和二阴离子胍基前体。 本发明的前体易于形成并且方便地用于在低温例如低于400℃的温度下进行化学气相沉积或原子层沉积。

公开(公告)号：US09373677B2

公开(公告)日：2016-06-21

申请号：US13808165

申请日：2011-06-23

申请人： Julie Cissell ,  Chongying Xu ,  Thomas M. Cameron ,  William Hunks ,  David W. Peters

发明人： Julie Cissell ,  Chongying Xu ,  Thomas M. Cameron ,  William Hunks ,  David W. Peters

IPC分类号： H01L49/02 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228

摘要： A method of forming a dielectric material, comprising doping a zirconium oxide material, using a dopant precursor selected from the group consisting of Ti(NMe2)4; Ti(NMeEt)4; Ti(NEt2)4;TiCl4; tBuN═Nb(NEt2)3; tBuN═Nb(NMe2)3; t-BuN═Nb(NEtMe)3; t-AmN═Nb(NEt2)3; t-AmN═Nb(NEtMe)3; t-AmN═Nb(NMe2)3; t-AmN═Nb(OBu-t)3; Nb-13; Nb(NEt2)4; Nb(NEt2)5; Nb(N(CH3)2)5; Nb(OC2H5)5; Nb(thd)(OPr-i)4; SiH(OMe)3; SiCU; Si(NMe2)4; (Me3Si)2NH; GeRax(ORb)4.x wherein x is from 0 to 4, each Ra is independently selected from H or C1-C8 alkyl and each Rb is independently selected from C1-C8 alkyl; GeCl4; Ge(NRa2)4 wherein each Ra is independently selected from H and C1-C8 alkyl; and (Rb3Ge)2NH wherein each Rb is independently selected from C1-C8 alkyl; bis(N,N′-diisopropyl-1,3-propanediamide) titanium; and tetrakis(isopropylmethylamido) titanium; wherein Me is methyl, Et is ethyl, Pr-i is isopropyl, t-Bu is tertiary butyl, t-Am is tertiary amyl, and thd is 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate. Doped zirconium oxide materials of the present disclosure are usefully employed in ferroelectric capacitors and dynamic random access memory (DRAM) devices.

摘要翻译： 一种形成电介质材料的方法，包括使用选自Ti（NMe 2）4的掺杂剂前体掺杂氧化锆材料; Ti（NMeEt）4; Ti（NEt2）4; TiCl4; tBuN = Nb（NEt2）3; tBuN = Nb（NMe2）3; t-BuN = Nb（NEtMe）3; t-AmN = Nb（NEt2）3; t-AmN = Nb（NEtMe）3; t-AmN = Nb（NMe2）3; t-AmN = Nb（OBu-t）3; Nb-13; Nb（NEt2）4; Nb（NEt2）5; Nb（N（CH 3）2）5; Nb（OC2H5）5; Nb（thd）（OPr-i）4; SiH（OMe）3; SiCU; Si（NMe2）4; （Me 3 Si）2 NH GeRax（ORb）4.x其中x为0至4，每个R a独立地选自H或C 1 -C 8烷基，并且每个R b独立地选自C 1 -C 8烷基; GeCl4; Ge（NRa 2）4，其中每个R a独立地选自H和C 1 -C 8烷基; 和（Rb 3 Ge）2 NH，其中每个R b独立地选自C 1 -C 8烷基; 双（N，N'-二异丙基-1,3-丙二酰胺）钛; 和四（异丙基甲基氨基）钛; 其中Me是甲基，Et是乙基，Pr-i是异丙基，t-Bu是叔丁基，t-Am是叔戊基，thd是2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸。 本公开的掺杂氧化锆材料有用地用于铁电电容器和动态随机存取存储器（DRAM）器件中。

公开(公告)号：US08679894B2

公开(公告)日：2014-03-25

申请号：US13610928

申请日：2012-09-12

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350° C., with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.

公开(公告)号：US20130005078A1

公开(公告)日：2013-01-03

申请号：US13610928

申请日：2012-09-12

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

IPC分类号： H01L51/30

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350° C., with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.

摘要翻译： 在基板上形成相变记忆材料的系统和方法，其中在温度低于350℃的条件下，在产生硫属元素化合物的沉积的条件下，在相变存储硫族化合物的前体与基板接触的基板上， 其接触通过化学气相沉积或原子层沉积进行。 描述了各种碲，锗和锗 - 碲前体，其可用于在基底上形成GST相变记忆膜。

公开(公告)号：US08288198B2

公开(公告)日：2012-10-16

申请号：US12300459

申请日：2007-03-12

申请人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

发明人： Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Bryan C. Hendrix ,  Gregory T. Stauf ,  Chongying Xu ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender

IPC分类号： H01L51/40

CPC分类号： H01L51/0002 ,  C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/45553

摘要： A system and method for forming a phase change memory material on a substrate, in which the substrate is contacted with precursors for a phase change memory chalcogenide alloy under conditions producing deposition of the chalcogenide alloy on the substrate, at temperature below 350° C. with the contacting being carried out via chemical vapor deposition or atomic layer deposition. Various tellurium, germanium and germanium-tellurium precursors are described, which are useful for forming GST phase change memory films on substrates.

摘要翻译： 一种用于在基板上形成相变记忆材料的系统和方法，其中在温度低于350℃的条件下，在产生硫属化物合金沉积的条件下，在温度低于350℃的条件下，基板与相变存储器硫族化合物的前体接触， 通过化学气相沉积或原子层沉积进行接触。 描述了各种碲，锗和锗 - 碲前体，其可用于在基底上形成GST相变记忆膜。

公开(公告)号：US20110263100A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13168979

申请日：2011-06-26

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/208

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20100317150A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12860906

申请日：2010-08-22

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。