公开(公告)号：US20130029456A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13622233

申请日：2012-09-18

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

公开(公告)号：US20090305458A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12307101

申请日：2007-03-12

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06 ,  C07F7/30 ,  C09D5/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20110263100A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13168979

申请日：2011-06-26

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/208

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20100317150A1

公开(公告)日：2010-12-16

申请号：US12860906

申请日：2010-08-22

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S.H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20090215225A1

公开(公告)日：2009-08-27

申请号：US12392009

申请日：2009-02-24

申请人： Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

发明人： Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum

IPC分类号： H01L21/20 ,  C07C395/00 ,  C07F7/02 ,  C07D229/00 ,  C07D343/00 ,  C07D293/00

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C333/16 ,  C07C395/00 ,  C07F7/10 ,  C23C16/305

摘要： Precursors for use in depositing tellurium-containing films on substrates such as wafers or other microelectronic device substrates, as well as associated processes of making and using such precursors, and source packages of such precursors. The precursors are useful for deposition of chalcogenide thin films in the manufacture of nonvolatile Phase Change Memory (PCM), by deposition techniques such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 用于在诸如晶片或其他微电子器件基底的基底上沉积含碲膜的前体，以及制备和使用这些前体的相关工艺以及这些前体的源封装。 通过诸如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的沉积技术，前体可用于在制造非易失性相变存储器（PCM）中沉积硫族化物薄膜。

公开(公告)号：US20090112009A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12263403

申请日：2008-10-31

申请人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

发明人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L21/8246 ,  B32B15/00 ,  C07F7/30

CPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  Y10T428/31678

摘要： Germanium, tellurium, and/or antimony precursors are usefully employed to form germanium-, tellurium- and/or antimony-containing films, such as films of GeTe, GST, and thermoelectric germanium-containing films. Processes for using these precursors to form amorphous films are also described. Further described is the use of [{nBuC(iPrN)2}2Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.

摘要翻译： 锗，碲和/或锑前体有用地用于形成含锗，碲和/或锑的膜，例如GeTe，GST和含有热电锗的膜的膜。 还描述了使用这些前体形成非晶膜的方法。 进一步描述的是使用[{nBuC（iPrN）2} 2Ge]或Ge偕丁酰胺形成用于相变存储器应用的GeTe平滑非晶膜。

公开(公告)号：US20120108038A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13346701

申请日：2012-01-09

申请人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

发明人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  Y10T428/31678

摘要： Germanium, tellurium, and/or antimony precursors are usefully employed to form germanium-, tellurium- and/or antimony-containing films, such as films of GeTe, GST, and thermoelectric germanium-containing films. Processes for using these precursors to form amorphous films are also described. Further described is the use of [{nBuC(iPrN)2}2Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.

摘要翻译： 锗，碲和/或锑前体有用地用于形成含锗，碲和/或锑的膜，例如GeTe，GST和含有热电锗的膜的膜。 还描述了使用这些前体形成非晶膜的方法。 进一步描述的是使用[{nBuC（iPrN）2} 2Ge]或Ge偕丁酰胺形成用于相变存储器应用的GeTe平滑非晶膜。

公开(公告)号：US20110111556A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12990459

申请日：2009-04-30

申请人： Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Chongying Xu ,  Leah Maylott

发明人： Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Chongying Xu ,  Leah Maylott

IPC分类号： H01L21/06 ,  C07F9/90 ,  C09D7/12

CPC分类号： H01L21/02568 ,  C07C211/65 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： Precursors for use in depositing antimony-containing films on substrates such as wafers or other microelectronic device substrates, as well as associated processes of making and using such precursors, and source packages of such precursors. The precursors are useful for deposition of A Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films in the manufacture of nonvolatile Phase Change Memory (PCM) or for the manufacturing of thermoelectric devices, by deposition techniques such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 用于在诸如晶片或其他微电子器件基底的基底上沉积含锑膜的前体，以及制备和使用这些前体的相关工艺以及这些前体的源封装。 这些前体可用于通过诸如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的沉积技术在制造非易失性相变存储器（PCM）或制造热电装置中沉积A Ge2Sb2Te5硫族化物薄膜。

公开(公告)号：US20080251104A1

公开(公告)日：2008-10-16

申请号：US12088825

申请日：2006-10-03

申请人： Ing-Shin Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Bryan C. Hendrix ,  Philip S.H. Chen

发明人： Ing-Shin Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Bryan C. Hendrix ,  Philip S.H. Chen

IPC分类号： B08B13/00

CPC分类号： H01L21/67253 ,  C23C16/4405 ,  C23C16/52 ,  H01J37/32862 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/67069

摘要： Apparatus and method for determination of the endpoint of a cleaning process in which cleaning fluid is contacted with a structure to effect cleaning thereof. The cleaning process includes contacting a cleaning fluid with a structure to be cleaned and producing a cleaning effluent having a sensible heat thermal energy characteristic corresponding to extent of cleaning of the structure, disposing an object in the cleaning effluent that interacts with the cleaning effluent to produce a response indicative of the sensible heat thermal energy characteristic of the cleaning effluent, and monitoring such response to determine when the cleaning is completed. An endpointing algorithm and endpoint monitoring are also described, as well as endpoint monitor sensor elements that are useful to determine endpoint conditions in an efficient and reproduceable manner.

摘要翻译： 用于确定清洁过程的终点的装置和方法，其中清洁流体与结构接触以进行清洁。 清洁过程包括将清洁流体与要清洁的结构接触并产生具有对应于结构的清洁程度的显热热能特征的清洁流出物，将清洁物品放置在与清洁流出物相互作用的清洁流出物中以产生 指示清洁流出物的显热热能特征的响应，以及监测这种响应以确定何时完成清洁。 还描述了端点算法和端点监视，以及端点监视器传感器元件，其有效地以有效和可再现的方式确定端点条件。

公开(公告)号：US20090305427A1

公开(公告)日：2009-12-10

申请号：US12537910

申请日：2009-08-07

申请人： Frank Dimeo, JR. ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawasz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Frank Dimeo, JR. ,  Philip S.H. Chen ,  Jeffrey W. Neuner ,  James Welch ,  Michele Stawasz ,  Thomas H. Baum ,  Mackenzie E. King ,  Ing-Shin Chen ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： G01N33/00 ,  B01J19/00

CPC分类号： G01N27/128 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32935 ,  H01J37/32981 ,  Y10T29/49007 ,  Y10T436/17 ,  Y10T436/19

摘要： A gas detector and process for detecting a fluorine-containing species in a gas containing same, e.g., an effluent of a semiconductor processing tool undergoing etch cleaning with HF, NF3, etc. The detector in a preferred structural arrangement employs a microelectromechanical system (MEMS)-based device structure and/or a free-standing metal element that functions as a sensing component and optionally as a heat source when elevated temperature sensing is required. The free-standing metal element can be fabricated directly onto a standard chip carrier/device package so that the package becomes a platform of the detector.

摘要翻译： 用于检测含有其的气体中的含氟物质的气体检测器和方法，例如用HF，NF 3等进行蚀刻清洁的半导体加工工具的流出物。优选的结构布置中的检测器采用微机电系统（MEMS） ）的器件结构和/或独立的金属元件，其在需要升高的温度感测时用作感测部件并且可选地作为热源。 独立的金属元件可以直接制造在标准芯片载体/器件封装上，使得封装成为检测器的平台。