公开(公告)号：US20130122722A1

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：US13808165

申请日：2011-06-23

申请人： Julie Cissell ,  Chongying Xu ,  Thomas M. Cameron ,  William Hunks ,  David W. Peters

发明人： Julie Cissell ,  Chongying Xu ,  Thomas M. Cameron ,  William Hunks ,  David W. Peters

IPC分类号： H01L49/02

CPC分类号： H01L28/40 ,  C23C16/45525 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/0228

摘要： A method of forming a dielectric material, comprising doping a zirconium oxide material, using a dopant precursor selected from the group consisting of Ti(NMe2)4; Ti(NMeEt)4; Ti(NEt2)4; TiCl4; tBuN═Nb(NEt2)3; tBuN═Nb(NMe2)3; t-BuN═Nb(NEtMe)3; t-AmN═Nb(NEt2)3; t-AmN═Nb(NEtMe)3; t-AmN═Nb(NMe2)3; t-AmN═Nb(OBu-t)3; Nb-13; Nb(NEt2)4; Nb(NEt2)5; Nb(N(CH3)2)5; Nb(OC2H5)5; Nb(thd)(OPr-i)4; SiH(OMe)3; SiCU; Si(NMe2)4; (Me3Si)2NH; GeRax(ORb)4.x wherein x is from 0 to 4, each Ra is independently selected from H or C1-C8 alkyl and each Rb is independently selected from C1-C8 alkyl; GeCl4; Ge(NRa2)4 wherein each Ra is independently selected from H and C1-C8 alkyl; and (Rb3Ge)2NH wherein each Rb is independently selected from C1-C8 alkyl; bis(N,N′-diisopropyl-1,3-propanediamide) titanium; and tetrakis(isopropylmethylamido) titanium; wherein Me is methyl, Et is ethyl, Pr-i is isopropyl, t-Bu is tertiary butyl, t-Am is tertiary amyl, and thd is 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionate. Doped zirconium oxide materials of the present disclosure are usefully employed in ferroelectric capacitors and dynamic random access memory (DRAM) devices.

摘要翻译： 一种形成电介质材料的方法，包括使用选自Ti（NMe 2）4的掺杂剂前体掺杂氧化锆材料; Ti（NMeEt）4; Ti（NEt2）4; TiCl4; tBuN = Nb（NEt2）3; tBuN = Nb（NMe2）3; t-BuN = Nb（NEtMe）3; t-AmN = Nb（NEt2）3; t-AmN = Nb（NEtMe）3; t-AmN = Nb（NMe2）3; t-AmN = Nb（OBu-t）3; Nb-13; Nb（NEt2）4; Nb（NEt2）5; Nb（N（CH 3）2）5; Nb（OC2H5）5; Nb（thd）（OPr-i）4; SiH（OMe）3; SiCU; Si（NMe2）4; （Me 3 Si）2 NH GeRax（ORb）4.x其中x为0至4，每个R a独立地选自H或C 1 -C 8烷基，并且每个R b独立地选自C 1 -C 8烷基; GeCl4; Ge（NRa 2）4，其中每个R a独立地选自H和C 1 -C 8烷基; 和（Rb 3 Ge）2 NH，其中每个R b独立地选自C 1 -C 8烷基; 双（N，N'-二异丙基-1,3-丙二酰胺）钛; 和四（异丙基甲基氨基）钛; 其中Me是甲基，Et是乙基，Pr-i是异丙基，t-Bu是叔丁基，t-Am是叔戊基，thd是2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸。 本公开的掺杂氧化锆材料有用地用于铁电电容器和动态随机存取存储器（DRAM）器件中。

公开(公告)号：US20090112009A1

公开(公告)日：2009-04-30

申请号：US12263403

申请日：2008-10-31

申请人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

发明人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L21/8246 ,  B32B15/00 ,  C07F7/30

CPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  Y10T428/31678

摘要： Germanium, tellurium, and/or antimony precursors are usefully employed to form germanium-, tellurium- and/or antimony-containing films, such as films of GeTe, GST, and thermoelectric germanium-containing films. Processes for using these precursors to form amorphous films are also described. Further described is the use of [{nBuC(iPrN)2}2Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.

摘要翻译： 锗，碲和/或锑前体有用地用于形成含锗，碲和/或锑的膜，例如GeTe，GST和含有热电锗的膜的膜。 还描述了使用这些前体形成非晶膜的方法。 进一步描述的是使用[{nBuC（iPrN）2} 2Ge]或Ge偕丁酰胺形成用于相变存储器应用的GeTe平滑非晶膜。

公开(公告)号：US08268665B2

公开(公告)日：2012-09-18

申请号：US13168979

申请日：2011-06-26

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20120108038A1

公开(公告)日：2012-05-03

申请号：US13346701

申请日：2012-01-09

申请人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

发明人： Philip S.H. Chen ,  William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Matthias Stender ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L21/205

CPC分类号： C07F7/30 ,  C23C16/305 ,  C23C16/448 ,  C23C16/45534 ,  C23C16/45542 ,  C23C16/56 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616 ,  Y10T428/31678

摘要： Germanium, tellurium, and/or antimony precursors are usefully employed to form germanium-, tellurium- and/or antimony-containing films, such as films of GeTe, GST, and thermoelectric germanium-containing films. Processes for using these precursors to form amorphous films are also described. Further described is the use of [{nBuC(iPrN)2}2Ge] or Ge butyl amidinate to form GeTe smooth amorphous films for phase change memory applications.

摘要翻译： 锗，碲和/或锑前体有用地用于形成含锗，碲和/或锑的膜，例如GeTe，GST和含有热电锗的膜的膜。 还描述了使用这些前体形成非晶膜的方法。 进一步描述的是使用[{nBuC（iPrN）2} 2Ge]或Ge偕丁酰胺形成用于相变存储器应用的GeTe平滑非晶膜。

公开(公告)号：US08008117B2

公开(公告)日：2011-08-30

申请号：US12860906

申请日：2010-08-22

申请人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

发明人： William Hunks ,  Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Jeffrey F. Roeder ,  Thomas H. Baum ,  Melissa A. Petruska ,  Matthias Stender ,  Philip S. H. Chen ,  Gregory T. Stauf ,  Bryan C. Hendrix

IPC分类号： H01L21/06

CPC分类号： H01L45/1616 ,  C07C251/08 ,  C07F7/003 ,  C07F7/10 ,  C07F7/28 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C07F17/00 ,  C23C16/18 ,  C23C16/305 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1683

摘要： Antimony, germanium and tellurium precursors useful for CVD/ALD of corresponding metal-containing thin films are described, along with compositions including such precursors, methods of making such precursors, and films and microelectronic device products manufactured using such precursors, as well as corresponding manufacturing methods. The precursors of the invention are useful for forming germanium-antimony-tellurium (GST) films and microelectronic device products, such as phase change memory devices, including such films.

摘要翻译： 描述了可用于相应的含金属薄膜的CVD / ALD的锑，锗和碲前体，以及包含这些前体的组合物，制备这些前体的方法，以及使用这种前体制备的膜和微电子器件产品，以及相应的制造 方法。 本发明的前体可用于形成锗 - 锑 - 碲（GST）膜和微电子器件产品，例如包括这种膜的相变存储器件。

公开(公告)号：US20110111556A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12990459

申请日：2009-04-30

申请人： Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Chongying Xu ,  Leah Maylott

发明人： Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S.H. Chen ,  Chongying Xu ,  Leah Maylott

IPC分类号： H01L21/06 ,  C07F9/90 ,  C09D7/12

CPC分类号： H01L21/02568 ,  C07C211/65 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： Precursors for use in depositing antimony-containing films on substrates such as wafers or other microelectronic device substrates, as well as associated processes of making and using such precursors, and source packages of such precursors. The precursors are useful for deposition of A Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films in the manufacture of nonvolatile Phase Change Memory (PCM) or for the manufacturing of thermoelectric devices, by deposition techniques such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 用于在诸如晶片或其他微电子器件基底的基底上沉积含锑膜的前体，以及制备和使用这些前体的相关工艺以及这些前体的源封装。 这些前体可用于通过诸如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的沉积技术在制造非易失性相变存储器（PCM）或制造热电装置中沉积A Ge2Sb2Te5硫族化物薄膜。

公开(公告)号：US20100279011A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12740992

申请日：2008-10-31

申请人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  William Hunks ,  Thomas M. Cameron ,  Matthias Stender ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder

发明人： Tianniu Chen ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  William Hunks ,  Thomas M. Cameron ,  Matthias Stender ,  Gregory T. Stauf ,  Jeffrey F. Roeder

IPC分类号： C23C16/18 ,  C07F9/94 ,  C07F7/08 ,  C09D4/00

CPC分类号： C07F9/94

摘要： Bismuth precursors having utility for forming highly conformal bismuth-containing films by low temperature (

摘要翻译： 铋前体可用于通过低温（<300℃）气相沉积方法如CVD和ALD形成高保形含铋的膜，包括氨基铋，胍铋酸盐，异钌酸铋，氨基甲酸铋和硫代氨基甲酸铋，铋β- 二酮酸酯，二酮基铋，二酮亚胺铋，铋烯丙基酯，环戊二烯基铋，烷基铋，醇铋，铋配合物的铋甲硅烷基，铋甲硅烷基酰胺，铋螯合酰胺和铋二碲酰亚氨基二膦酸铋。 还描述了制备这种前体的方法，以及适用于制造微电子器件产品的这种前体的包装形式。 这些铋前体有利地用于形成含铋的膜，例如GBT，Bi2Te3，Bi4Ti3O12，SrBi2Ta2O9，Bi-Ta-O，BiP和含有铋的含铋膜的膜。

公开(公告)号：US09337054B2

公开(公告)日：2016-05-10

申请号：US12665929

申请日：2008-06-27

申请人： William Hunks ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Weimin Li

发明人： William Hunks ,  Chongying Xu ,  Bryan C. Hendrix ,  Jeffrey F. Roeder ,  Steven M. Bilodeau ,  Weimin Li

IPC分类号： H01L21/316 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L21/02211 ,  H01L21/02123 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02216 ,  H01L21/02222 ,  H01L21/02263 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31608 ,  H01L29/0649

摘要： A full fill trench structure is described, including a microelectronic device substrate having a high aspect ratio trench therein and filled with silicon dioxide of a substantially void-free character and substantially uniform density throughout its bulk mass. A method of manufacturing a semiconductor product also is described, involving use of specific silicon precursor compositions for forming substantially void-free and substantially uniform density silicon dioxide material in the trench. The precursor fill composition may include silicon and germanium, to produce a microelectronic device structure including a GeO2/SiO2 trench fill material. A suppressor component may be employed in the precursor fill composition, to eliminate or minimize seam formation in the cured trench fill material.

摘要翻译： 描述了一种全填充沟槽结构，其包括其中具有高纵横比沟槽的微电子器件衬底，并填充了其整个整体质量基本上无空隙特征和基本均匀密度的二氧化硅。 还描述了制造半导体产品的方法，其涉及使用特定的硅前体组合物，用于在沟槽中形成基本上无空隙且基本均匀的密度二氧化硅材料。 前体填充组合物可以包括硅和锗，以产生包括GeO 2 / SiO 2沟槽填充材料的微电子器件结构。 可以在前体填充组合物中使用抑制剂组分，以消除或最小化固化沟槽填充材料中的接缝形成。

公开(公告)号：US08674127B2

公开(公告)日：2014-03-18

申请号：US12990459

申请日：2009-04-30

申请人： Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S. H. Chen ,  Chongying Xu ,  Leah Maylott

发明人： Tianniu Chen ,  William Hunks ,  Philip S. H. Chen ,  Chongying Xu ,  Leah Maylott

IPC分类号： C07F9/00 ,  H01L21/06 ,  C23C16/40

CPC分类号： H01L21/02568 ,  C07C211/65 ,  C07F9/90 ,  C07F9/902 ,  C23C16/18 ,  H01L45/06 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1616

摘要： Precursors for use in depositing antimony-containing films on substrates such as wafers or other microelectronic device substrates, as well as associated processes of making and using such precursors, and source packages of such precursors. The precursors are useful for deposition of A Ge2Sb2Te5 chalcogenide thin films in the manufacture of nonvolatile Phase Change Memory (PCM) or for the manufacturing of thermoelectric devices, by deposition techniques such as chemical vapor deposition (CVD) and atomic layer deposition (ALD).

摘要翻译： 用于在诸如晶片或其他微电子器件基底的基底上沉积含锑膜的前体，以及制备和使用这些前体的相关工艺以及这些前体的源封装。 这些前体可用于通过诸如化学气相沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）的沉积技术在制造非易失性相变存储器（PCM）或制造热电装置中沉积A Ge2Sb2Te5硫族化物薄膜。

公开(公告)号：US20120196449A1

公开(公告)日：2012-08-02

申请号：US13360453

申请日：2012-01-27

申请人： Chongying Xu ,  Thomas M. Cameron ,  William Hunks

发明人： Chongying Xu ,  Thomas M. Cameron ,  William Hunks

IPC分类号： C07F17/00 ,  H01L21/02 ,  C23C16/40 ,  C07F7/00 ,  C23C16/06 ,  C07F7/28

CPC分类号： C07F17/00 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L28/40

摘要： A zirconium precursor selected from among compounds of Formulae (I), (II) and (III): wherein: M is Zr, Hf or Ti; R1 is hydrogen or C1-C5 alkyl; each of R2, R′ and R″ is independently selected from C1-C5 alkyl; and n has a value of 0, 1, 2, 3 or 4. Compounds of such formulae are useful in vapor deposition processes such as atomic layer deposition, to form corresponding metal-containing films, e.g., high k dielectric zirconium films in the fabrication of DRAM memory cells.

摘要翻译： 选自式（I），（II）和（III）的化合物的锆前体：其中：M是Zr，Hf或Ti; R1是氢或C1-C5烷基; R 2，R'和R“各自独立地选自C 1 -C 5烷基; 并且n具有0,1,2,3或4的值。这些式的化合物可用于诸如原子层沉积的气相沉积工艺，以形成相应的含金属膜，例如制造中的高k介电锆膜 的DRAM存储单元。