公开(公告)号：US20050128815A1

公开(公告)日：2005-06-16

申请号：US11002802

申请日：2004-12-03

申请人： Jiro Ishikawa ,  Takashi Yamaki ,  Toshihiro Tanaka ,  Yukiko Umemoto ,  Akira Kato

发明人： Jiro Ishikawa ,  Takashi Yamaki ,  Toshihiro Tanaka ,  Yukiko Umemoto ,  Akira Kato

IPC分类号： G11C16/02 ,  G11C7/00 ,  G11C16/06 ,  G11C16/16 ,  G11C16/30 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/30

摘要： An erasing current is distributed to reduce a load of an internal power circuit and to decrease the number of drivers for erase. A semiconductor data processing device has: a memory array having nonvolatile memory cells arrayed in a matrix and divided into a plurality of erase blocks each instructed to be erased together; and a control circuit, wherein the control circuit controls both of two kinds of erasing voltages applied to the nonvolatile memory cell in the erase block instructed to be erased together to select an erase sector from the erase block for performing erase for each erase sector, thereby performing the erase for each erase sector in time division. Time division erase can distribute an erasing current. Two kinds of erasing voltages are used to select the erase sector. No specific drivers need be provided for each erase sector.

摘要翻译： 分配擦除电流以减少内部电源电路的负载并减少用于擦除的驱动器的数量。 一种半导体数据处理装置具有：存储阵列，其具有排列成矩阵状的非易失性存储单元，分为多个擦除块，分别被指示一起擦除; 以及控制电路，其中控制电路控制施加到擦除块中的非易失性存储单元的两种擦除电压，这些擦除块被一起擦除，以从擦除块中选择擦除扇区，以便为每个擦除扇区执行擦除，从而 按时间划分每个擦除扇区的擦除。 时分擦除可以分配擦除电流。 使用两种擦除电压来选择擦除扇区。 没有为每个擦除扇区提供特定的驱动程序。

公开(公告)号：US20060220100A1

公开(公告)日：2006-10-05

申请号：US11415129

申请日：2006-05-02

申请人： Toshihiro Tanaka ,  Yukiko Umemoto ,  Mitsuru Hiraki ,  Yutaka Shinagawa ,  Masamichi Fujito ,  Kazufumi Suzukawa ,  Hiroyuki Tanikawa ,  Takashi Yamaki ,  Yoshiaki Kamigaki ,  Shinichi Minami ,  Kozo Katayama ,  Nozomu Matsuzaki

发明人： Toshihiro Tanaka ,  Yukiko Umemoto ,  Mitsuru Hiraki ,  Yutaka Shinagawa ,  Masamichi Fujito ,  Kazufumi Suzukawa ,  Hiroyuki Tanikawa ,  Takashi Yamaki ,  Yoshiaki Kamigaki ,  Shinichi Minami ,  Kozo Katayama ,  Nozomu Matsuzaki

IPC分类号： H01L29/788

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C5/025 ,  G11C8/08 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/792

摘要： A semiconductor device includes a plurality of nonvolatile memory cells (1). Each of the nonvolatile memory cells comprises a MOS type first transistor section (3) used for information storage, and a MOS type second transistor section (4) which selects the first transistor section. The second transistor section has a bit line electrode (16) connected to a bit line, and a control gate electrode (18) connected to a control gate control line. The first transistor section has a source line electrode (10) connected to a source line, a memory gate electrode (14) connected to a memory gate control line, and a charge storage region (11) disposed directly below the memory gate electrode. A gate withstand voltage of the second transistor section is lower than that of the first transistor section. Assuming that the thickness of a gate insulating film of the second transistor section is defined as tc and the thickness of a gate insulating film of the first transistor section is defined as tm, they have a relationship of tc

摘要翻译： 半导体器件包括多个非易失性存储单元（1）。 每个非易失性存储单元包括用于信息存储的MOS型第一晶体管部分（3）和选择第一晶体管部分的MOS型第二晶体管部分（4）。 第二晶体管部分具有连接到位线的位线电极（16）和连接到控制栅极控制线的控制栅电极（18）。 第一晶体管部分具有连接到源极线的源极线电极（10），连接到存储器栅极控制线的存储栅电极（14）和直接位于存储栅电极下方的电荷存储区域（11）。 第二晶体管部分的栅极耐受电压低于第一晶体管部分的栅极耐受电压。 假设第二晶体管部分的栅极绝缘膜的厚度被定义为tc，并且第一晶体管部分的栅极绝缘膜的厚度被定义为tm，它们具有tc

公开(公告)号：US20050258474A1

公开(公告)日：2005-11-24

申请号：US10484578

申请日：2002-07-22

申请人： Toshihiro Tanaka ,  Yukiko Umemoto ,  Mitsuru Hiraki ,  Yutaka Shinagawa ,  Masamichi Fujito ,  Kazufumi Suzukawa ,  Hiroyuki Tanikawa ,  Takashi Yamaki ,  Yoshiaki Kamigaki ,  Shinichi Minami ,  Kozo Katayama ,  Nozomu Matsuzaki

发明人： Toshihiro Tanaka ,  Yukiko Umemoto ,  Mitsuru Hiraki ,  Yutaka Shinagawa ,  Masamichi Fujito ,  Kazufumi Suzukawa ,  Hiroyuki Tanikawa ,  Takashi Yamaki ,  Yoshiaki Kamigaki ,  Shinichi Minami ,  Kozo Katayama ,  Nozomu Matsuzaki

IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/105 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC分类号： G11C16/26 ,  G11C5/025 ,  G11C8/08 ,  G11C16/04 ,  G11C16/0425 ,  G11C16/0433 ,  G11C16/08 ,  G11C16/24 ,  G11C16/30 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/105 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11526 ,  H01L27/11546 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/792

摘要： A semiconductor device includes a plurality of nonvolatile memory cells (1). Each of the nonvolatile memory cells comprises a MOS type first transistor section (3) used for information storage, and a MOS type second transistor section (4) which selects the first transistor section. The second transistor section has a bit line electrode (16) connected to a bit line, and a control gate electrode (18) connected to a control gate control line. The first transistor section has a source line electrode (10) connected to a source line, a memory gate electrode (14) connected to a memory gate control line, and a charge storage region (11) disposed directly below the memory gate electrode. A gate withstand voltage of the second transistor section is lower than that of the first transistor section. Assuming that the thickness of a gate insulating film of the second transistor section is defined as tc and the thickness of a gate insulating film of the first transistor section is defined as tm, they have a relationship of tc

摘要翻译： 半导体器件包括多个非易失性存储单元（1）。 每个非易失性存储单元包括用于信息存储的MOS型第一晶体管部分（3）和选择第一晶体管部分的MOS型第二晶体管部分（4）。 第二晶体管部分具有连接到位线的位线电极（16）和连接到控制栅极控制线的控制栅电极（18）。 第一晶体管部分具有连接到源极线的源极线电极（10），连接到存储器栅极控制线的存储栅电极（14）和直接位于存储栅电极下方的电荷存储区域（11）。 第二晶体管部分的栅极耐受电压低于第一晶体管部分的栅极耐受电压。 假设第二晶体管部分的栅极绝缘膜的厚度被定义为tc，并且第一晶体管部分的栅极绝缘膜的厚度被定义为tm，它们具有tc