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    Protective seal ring for preventing die-saw induced stress
    11.
    发明授权
    Protective seal ring for preventing die-saw induced stress 有权
    用于防止模锯引起的应力的保护密封环

    公开(公告)号：US08334582B2

    公开(公告)日：2012-12-18

    申请号：US12347026

    申请日：2008-12-31

    申请人： Shin-Puu Jeng ,  Hsien-Wei Chen ,  Shang-Yun Hou ,  Hao-Yi Tsai ,  Anbiarshy N. F. Wu ,  Yu-Wen Liu

    发明人： Shin-Puu Jeng ,  Hsien-Wei Chen ,  Shang-Yun Hou ,  Hao-Yi Tsai ,  Anbiarshy N. F. Wu ,  Yu-Wen Liu

    IPC分类号： H01L23/544

    CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor chip includes a semiconductor substrate; a plurality of low-k dielectric layers over the semiconductor substrate; a first passivation layer over the plurality of low-k dielectric layers; and a second passivation layer over the first passivation layer. A first seal ring is adjacent to an edge of the semiconductor chip, wherein the first seal ring has an upper surface substantially level to a bottom surface of the first passivation layer. A second seal ring is adjacent to the first seal ring and on an inner side of the semiconductor chip than the first seal ring. The second seal ring includes a pad ring in the first passivation layer and the second passivation layer. A trench ring includes at least a portion directly over the first seal ring. The trench ring extends from a top surface of the second passivation layer down to at least an interface between the first passivation layer and the second passivation layer.

    摘要翻译： 半导体芯片包括半导体衬底; 半导体衬底上的多个低k电介质层; 在所述多个低k电介质层上的第一钝化层; 以及在所述第一钝化层上的第二钝化层。 第一密封环邻近半导体芯片的边缘，其中第一密封环具有基本上平坦于第一钝化层的底表面的上表面。 第二密封环与第一密封环相邻，并且在半导体芯片的内侧与第一密封环相邻。 第二密封环包括在第一钝化层和第二钝化层中的焊盘环。 沟槽环包括直接在第一密封环上的至少一部分。 沟槽环从第二钝化层的顶表面延伸到至少第一钝化层和第二钝化层之间的界面。

    Metal electrical fuse structure
    14.
    发明授权
    Metal electrical fuse structure 有权
    金属电熔丝结构

    公开(公告)号：US07651893B2

    公开(公告)日：2010-01-26

    申请号：US11320233

    申请日：2005-12-27

    申请人： Hsueh-Chung Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou

    发明人： Hsueh-Chung Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou

    IPC分类号： H01L21/82

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

    摘要： An electrical fuse and a method for forming the same are provided. The electrical fuse includes a dielectric layer over a shallow trench isolation region and a contact plug extending from a top surface of the dielectric layer to the shallow trench isolation region, wherein the contact plug comprises a middle portion substantially narrower than the two end portions. The contact plug forms a fuse element. The electrical fuse further includes two metal lines in a metallization layer on the dielectric layer, wherein each of the two metal lines is connected to different ones of the end portions of the contact plug.

    摘要翻译： 提供电熔丝及其形成方法。 电熔丝包括在浅沟槽隔离区域上的电介质层和从电介质层的顶表面延伸到浅沟槽隔离区域的接触插塞，其中接触插塞包括基本上比两个端部部分窄的中间部分。 接触插头形成熔丝元件。 电熔丝还包括在电介质层上的金属化层中的两条金属线，其中两条金属线中的每一条连接到接触插塞的不同端部。

    Metal electrical fuse structure
    16.
    发明申请
    Metal electrical fuse structure 有权
    金属电熔丝结构

    公开(公告)号：US20070145515A1

    公开(公告)日：2007-06-28

    申请号：US11320233

    申请日：2005-12-27

    申请人： Hsueh-Chung Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou

    发明人： Hsueh-Chung Chen ,  Hao-Yi Tsai ,  Hsien-Wei Chen ,  Shin-Puu Jeng ,  Shang-Yun Hou

    IPC分类号： H01L29/00

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/00

    摘要： An electrical fuse and a method for forming the same are provided. The electrical fuse includes a dielectric layer over a shallow trench isolation region and a contact plug extending from a top surface of the dielectric layer to the shallow trench isolation region, wherein the contact plug comprises a middle portion substantially narrower than the two end portions. The contact plug forms a fuse element. The electrical fuse further includes two metal lines in a metallization layer on the dielectric layer, wherein each of the two metal lines is connected to different ones of the end portions of the contact plug.

    摘要翻译： 提供电熔丝及其形成方法。 电熔丝包括在浅沟槽隔离区域上的电介质层和从电介质层的顶表面延伸到浅沟槽隔离区域的接触插塞，其中接触插塞包括基本上比两个端部部分窄的中间部分。 接触插头形成熔丝元件。 电熔丝还包括在电介质层上的金属化层中的两条金属线，其中两条金属线中的每一条连接到接触插塞的不同端部。

    Protective Seal Ring for Preventing Die-Saw Induced Stress
    20.
    发明申请
    Protective Seal Ring for Preventing Die-Saw Induced Stress 有权
    用于防止模切诱发应力的保护密封圈

    公开(公告)号：US20090321890A1

    公开(公告)日：2009-12-31

    申请号：US12347026

    申请日：2008-12-31

    申请人： Shin-Puu Jeng ,  Hsien-Wei Chen ,  Shang-Yun Hou ,  Hao-Yi Tsai ,  Anbiarshy N.F. Wu ,  Yu-Wen Liu

    发明人： Shin-Puu Jeng ,  Hsien-Wei Chen ,  Shang-Yun Hou ,  Hao-Yi Tsai ,  Anbiarshy N.F. Wu ,  Yu-Wen Liu

    IPC分类号： H01L23/10

    CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L23/562 ,  H01L23/564 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A semiconductor chip includes a semiconductor substrate; a plurality of low-k dielectric layers over the semiconductor substrate; a first passivation layer over the plurality of low-k dielectric layers; and a second passivation layer over the first passivation layer. A first seal ring is adjacent to an edge of the semiconductor chip, wherein the first seal ring has an upper surface substantially level to a bottom surface of the first passivation layer. A second seal ring is adjacent to the first seal ring and on an inner side of the semiconductor chip than the first seal ring. The second seal ring includes a pad ring in the first passivation layer and the second passivation layer. A trench ring includes at least a portion directly over the first seal ring. The trench ring extends from a top surface of the second passivation layer down to at least an interface between the first passivation layer and the second passivation layer.

    摘要翻译： 半导体芯片包括半导体衬底; 半导体衬底上的多个低k电介质层; 在所述多个低k电介质层上的第一钝化层; 以及在所述第一钝化层上的第二钝化层。 第一密封环邻近半导体芯片的边缘，其中第一密封环具有基本上平坦于第一钝化层的底表面的上表面。 第二密封环与第一密封环相邻，并且在半导体芯片的内侧与第一密封环相邻。 第二密封环包括在第一钝化层和第二钝化层中的焊盘环。 沟槽环包括直接在第一密封环上的至少一部分。 沟槽环从第二钝化层的顶表面延伸到至少第一钝化层和第二钝化层之间的界面。