公开(公告)号：US08643404B1

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US13556579

申请日：2012-07-24

申请人： Yu-Meng Chaung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen

发明人： Yu-Meng Chaung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen

IPC分类号： H03K3/00

CPC分类号： H03K17/145 ,  H03K19/00384 ,  H03K2005/00026

摘要： An integrated circuit includes an output buffer and a control circuit. The output buffer has a signal input, a signal output, and a set of control inputs. The output buffer has an output buffer delay, and a driving strength adjustable in response to control signals applied to the set of control inputs. The control circuit is connected to the set of control inputs of the output buffer. The control circuit uses first and second timing signals to generate the control signals, and includes a reference delay circuit that generates the first timing signal with a reference delay, and a delay emulation circuit that generates the second timing signal with an emulation delay that correlates with the output buffer delay.

摘要翻译： 集成电路包括输出缓冲器和控制电路。 输出缓冲器具有信号输入，信号输出和一组控制输入。 输出缓冲器具有输出缓冲器延迟，并且响应于施加到该组控制输入的控制信号而可调整驱动强度。 控制电路连接到输出缓冲器的一组控制输入。 控制电路使用第一和第二定时信号来产生控制信号，并且包括产生具有参考延迟的第一定时信号的参考延迟电路，以及延迟仿真电路，其产生与第二定时信号相关的仿真延迟 输出缓冲区延迟。

公开(公告)号：US20130242665A1

公开(公告)日：2013-09-19

申请号：US13536555

申请日：2012-06-28

申请人： Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Chin-Hung Chang ,  Chang-Ting Chen

发明人： Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Chin-Hung Chang ,  Chang-Ting Chen

IPC分类号： G11C16/16

CPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14 ,  G11C29/34 ,  G11C2029/2602

摘要： A nonvolatile memory array has a multiple erase procedures of different durations. A block of memory cells of the array can be erased by one of the different erase procedures.

摘要翻译： 非易失性存储器阵列具有不同持续时间的多个擦除过程。 可以通过不同的擦除过程之一来擦除阵列的存储器单元的块。

公开(公告)号：US20130094319A1

公开(公告)日：2013-04-18

申请号：US13708150

申请日：2012-12-07

申请人： Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Hsieh Ming Chih

发明人： Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Hsieh Ming Chih

IPC分类号： G11C8/10

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C8/12

摘要： A memory integrated circuit has control circuitry that accesses memory cells of the memory integrated circuit. The control circuitry is responsive to commands including a first command and a second command. The first command specifies a high order set of address bits. The second command specifies a low order set of address bits. The high order set of address bits and the low order set of address bits constitute a complete access address of the memory integrated circuit. The first command and the second command have different in command codes.

摘要翻译： 存储器集成电路具有访问存储器集成电路的存储单元的控制电路。 控制电路响应于包括第一命令和第二命令的命令。 第一个命令指定高位地址位集合。 第二个命令指定低位地址位集合。 地址位的高位集合和地址位的低位集合构成存储器集成电路的完整访问地址。 第一个命令和第二个命令在命令代码中有所不同。

公开(公告)号：US20120268987A1

公开(公告)日：2012-10-25

申请号：US13539831

申请日：2012-07-02

申请人： Chun-Hsiung Hung ,  Jeng-Kuan Lin ,  Kuen-Long Chang

发明人： Chun-Hsiung Hung ,  Jeng-Kuan Lin ,  Kuen-Long Chang

IPC分类号： G11C16/06

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C16/28

摘要： A method of detecting a disturb condition of a memory cell includes application of multiple sets of conditions to the memory cell and determining whether the memory cell behaves as a programmed memory cell in response to the sets of conditions. A disturbed memory cell can be detected if the memory cell responds as a programmed memory cell in response to one of the sets of conditions, but responds as an erased memory cell in response to another of the sets of conditions.

摘要翻译： 一种检测存储器单元的干扰状况的方法包括将多组条件应用于存储单元，并根据条件集确定存储单元是否作为编程存储器单元。 如果存储器单元响应于一组条件而作为编程存储器单元进行响应，则可以检测到干扰的存储器单元，而是响应于另一组条件而被响应为擦除存储器单元。

公开(公告)号：US20120262988A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13308301

申请日：2011-11-30

申请人： Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung ,  Chia-Feng Cheng ,  Ken-Hui Chen ,  Yu-Chen Wang

发明人： Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung ,  Chia-Feng Cheng ,  Ken-Hui Chen ,  Yu-Chen Wang

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C16/3409 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14

摘要： Techniques are described herein for detecting and recovering over-erased memory cells in a flash memory device. In one embodiment, a flash memory device is described including a memory array including a plurality of blocks of memory cells. The device also includes a controller to perform a leakage-suppression process. The leakage-suppression process includes determining that a given block of memory cells includes one or more over-erased memory cells. Upon the determination, the leakage-suppression process also includes performing a soft program operation to increase the threshold voltage of the over-erased memory cells in the given block.

摘要翻译： 本文描述了用于检测和恢复闪存设备中的过擦除存储器单元的技术。 在一个实施例中，描述了一种闪存器件，其包括包括多个存储器单元块的存储器阵列。 该装置还包括执行泄漏抑制处理的控制器。 泄漏抑制过程包括确定给定的存储单元块包括一个或多个过擦除存储器单元。 在确定时，泄漏抑制处理还包括执行软程序操作以增加给定块中的被擦除的存储器单元的阈值电压。

公开(公告)号：US08238162B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12868228

申请日：2010-08-25

申请人： Chun-Hsiung Hung ,  Jeng-Kuan Lin ,  Kuen-Long Chang

发明人： Chun-Hsiung Hung ,  Jeng-Kuan Lin ,  Kuen-Long Chang

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/04 ,  G11C16/06 ,  G11C5/06

CPC分类号： G11C16/3418 ,  G11C16/28

摘要： A method of detecting a disturb condition of a memory cell includes application of multiple sets of conditions to the memory cell and determining whether the memory cell behaves as a programmed memory cell in response to the sets of conditions. A disturbed memory cell can be detected if the memory cell responds as a programmed memory cell in response to one of the sets of conditions, but responds as an erased memory cell in response to another of the sets of conditions.

摘要翻译： 一种检测存储器单元的干扰状况的方法包括将多组条件应用于存储单元，并根据条件集确定存储单元是否作为编程存储器单元。 如果存储器单元响应于一组条件而作为编程存储器单元进行响应，则可以检测到干扰的存储器单元，而是响应于另一组条件而被响应为擦除存储器单元。

公开(公告)号：US20110238939A1

公开(公告)日：2011-09-29

申请号：US13155404

申请日：2011-06-08

申请人： Yu-Lan Kuo ,  Chun-Yi Lee ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

发明人： Yu-Lan Kuo ,  Chun-Yi Lee ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

IPC分类号： G06F12/14

CPC分类号： G11C8/20 ,  G06F21/79 ,  G11C16/22

摘要： A memory device comprises a memory array, a status register, a status-register write-protect bit and a security register. The memory array contains a number of memory blocks. The status register includes at least one protection bit indicative of a protection status of at least one corresponding block of the memory blocks. The status-register write-protect bit is coupled with the status register for preventing a state change of the at least one protection bit. The security register includes at least one register-protection bit for preventing the state change in one of the at least one protection bit of the status register and the status-register write-protect bit.

摘要翻译： 存储器件包括存储器阵列，状态寄存器，状态寄存器写保护位和安全寄存器。 存储器阵列包含许多存储器块。 状态寄存器包括至少一个指示存储块的至少一个相应块的保护状态的保护位。 状态寄存器写保护位与状态寄存器耦合以防止至少一个保护位的状态改变。 安全寄存器包括至少一个用于防止状态寄存器的至少一个保护位和状态寄存器写保护位之一的状态改变的寄存器保护位。

公开(公告)号：US20110128809A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12769456

申请日：2010-04-28

申请人： Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Hsieh-Ming Chih

发明人： Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Hsieh-Ming Chih

IPC分类号： G11C8/00

CPC分类号： G11C8/10 ,  G11C8/12

摘要： A memory integrated circuit has control circuitry that accesses memory cells of the memory integrated circuit. The control circuitry is responsive to commands including a first command and a second command. The first command specifies a high order set of address bits. The second command specifies a low order set of address bits. The high order set of address bits and the low order set of address bits constitute a complete access address of the memory integrated circuit. The first command and the second command have different in command codes.

摘要翻译： 存储器集成电路具有访问存储器集成电路的存储单元的控制电路。 控制电路响应于包括第一命令和第二命令的命令。 第一个命令指定高位地址位集合。 第二个命令指定低位地址位集合。 地址位的高位集合和地址位的低位集合构成存储器集成电路的完整访问地址。 第一个命令和第二个命令在命令代码中有所不同。

公开(公告)号：US20110128791A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12834686

申请日：2010-07-12

申请人： Yi-Fan Chang ,  Cheng Ming Yih ,  Su-chueh Lo ,  Jian Shing Liu ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

发明人： Yi-Fan Chang ,  Cheng Ming Yih ,  Su-chueh Lo ,  Jian Shing Liu ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

IPC分类号： G11C16/06 ,  G11C16/16

CPC分类号： G11C16/14 ,  G11C16/344 ,  G11C16/3477

摘要： Various discussed approaches include an improved grouping of edge word lines and center word lines of an erase group during erase verify and erase sub-operations of an erase operation. In another approach, changed voltage levels of edge word lines to address the over-erase issue of the erase group, and also improve erase time performance. Another approach uses dummy word lines.

摘要翻译： 各种讨论的方法包括在擦除验证和擦除擦除操作的子操作期间改进擦除组的边缘字线和中心字线的分组。 在另一种方法中，改变边缘字线的电压电平以解决擦除组的过擦除问题，并且还提高擦除时间性能。 另一种方法使用虚拟字线。

公开(公告)号：US20110085380A1

公开(公告)日：2011-04-14

申请号：US12970222

申请日：2010-12-16

申请人： Wen-Chiao Ho ,  Chin-Hung Chang ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

发明人： Wen-Chiao Ho ,  Chin-Hung Chang ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

IPC分类号： G11C16/10 ,  G11C16/04 ,  G11C16/34

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3454 ,  G11C2211/5621 ,  G11C2211/5642

摘要： A method of programming a memory, wherein the memory includes many memory regions having multiple multi-level cells. Each memory region includes a first bit line, a second bit line, a data buffer and a protecting unit. The protecting unit, coupled to the first and second bit lines, and the data buffer, prevents a programming error from occurring. In an embodiment of the programming method, corresponding data are inputted to the data buffers respectively. The data corresponding to an nth phase are programmed into the targeted multi-level cells. Data corresponding to an (n+1)th phase is modified to make the data corresponding to the (n+1)th phase be the same as the data corresponding to the nth phase if the targeted multi-level cells pass a programming verification process according to an nth programming verification voltage. The above steps are repeated until n is equal to a maximum, n being a positive integer.

摘要翻译： 一种对存储器进行编程的方法，其中所述存储器包括具有多个多电平单元的许多存储区域。 每个存储器区域包括第一位线，第二位线，数据缓冲器和保护单元。 耦合到第一和第二位线的保护单元和数据缓冲器防止编程错误发生。 在编程方法的实施例中，对应的数据分别输入到数据缓冲器。 对应于第n阶段的数据被编程到目标多级单元中。 修改对应于第（n + 1）个相位的数据，以使对应于第（n + 1）相的数据与对应于第n相的数据相同，如果目标多电平单元通过编程验证处理 根据第n个编程验证电压。 重复上述步骤直到n等于最大值，n为正整数。