公开(公告)号：US20120262987A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13308266

申请日：2011-11-30

申请人： Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung ,  Chia-Feng Cheng ,  Ken-Hui Chen ,  Yu-Chen Wang

发明人： Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung ,  Chia-Feng Cheng ,  Ken-Hui Chen ,  Yu-Chen Wang

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C16/3409 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14

摘要： Techniques are described herein for detecting and recovering over-erased memory cells in a flash memory device. In one embodiment, a flash memory device includes a memory array including a plurality of blocks of memory cells. The device also includes a command interface to receive a command from a source external to the memory device. The device also includes a controller including logic to perform a leakage-suppression process in response to the command. The leakage-suppression process includes performing a soft program operation to increase a threshold voltage of one or more over-erased memory cells in a given block of memory cells and establish an erased state.

摘要翻译： 本文描述了用于检测和恢复闪存设备中的过擦除存储器单元的技术。 在一个实施例中，闪存器件包括包括多个存储单元块的存储器阵列。 该设备还包括用于从存储设备外部的源接收命令的命令接口。 该装置还包括控制器，其包括响应于该命令执行泄漏抑制处理的逻辑。 泄漏抑制处理包括执行软程序操作以增加给定的存储单元块中的一个或多个过擦除存储器单元的阈值电压并建立擦除状态。

公开(公告)号：US08929139B2

公开(公告)日：2015-01-06

申请号：US13308301

申请日：2011-11-30

申请人： Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung ,  Chia-Feng Cheng ,  Ken-Hui Chen ,  Yu-Chen Wang

发明人： Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung ,  Chia-Feng Cheng ,  Ken-Hui Chen ,  Yu-Chen Wang

IPC分类号： G11C11/34 ,  G11C16/04 ,  G11C16/34 ,  G11C11/56 ,  G11C16/14

CPC分类号： G11C16/3409 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14

摘要： Techniques are described herein for detecting and recovering over-erased memory cells in a flash memory device. In one embodiment, a flash memory device is described including a memory array including a plurality of blocks of memory cells. The device also includes a controller to perform a leakage-suppression process. The leakage-suppression process includes determining that a given block of memory cells includes one or more over-erased memory cells. Upon the determination, the leakage-suppression process also includes performing a soft program operation to increase the threshold voltage of the over-erased memory cells in the given block.

摘要翻译： 本文描述了用于检测和恢复闪存设备中的过擦除存储器单元的技术。 在一个实施例中，描述了一种闪存器件，其包括包括多个存储器单元块的存储器阵列。 该装置还包括执行泄漏抑制处理的控制器。 泄漏抑制过程包括确定给定的存储单元块包括一个或多个过擦除存储器单元。 在确定时，泄漏抑制处理还包括执行软程序操作以增加给定块中的被擦除的存储器单元的阈值电压。

公开(公告)号：US08717813B2

公开(公告)日：2014-05-06

申请号：US13308266

申请日：2011-11-30

申请人： Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung ,  Chia-Feng Cheng ,  Ken-Hui Chen ,  Yu-Chen Wang

发明人： Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung ,  Chia-Feng Cheng ,  Ken-Hui Chen ,  Yu-Chen Wang

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/3409 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14

摘要： Techniques are described herein for detecting and recovering over-erased memory cells in a flash memory device. In one embodiment, a flash memory device includes a memory array including a plurality of blocks of memory cells. The device also includes a command interface to receive a command from a source external to the memory device. The device also includes a controller including logic to perform a leakage-suppression process in response to the command. The leakage-suppression process includes performing a soft program operation to increase a threshold voltage of one or more over-erased memory cells in a given block of memory cells and establish an erased state.

摘要翻译： 本文描述了用于检测和恢复闪存设备中的过擦除存储器单元的技术。 在一个实施例中，闪存器件包括包括多个存储单元块的存储器阵列。 该设备还包括用于从存储设备外部的源接收命令的命令接口。 该装置还包括控制器，其包括响应于该命令执行泄漏抑制处理的逻辑。 泄漏抑制处理包括执行软程序操作以增加给定的存储单元块中的一个或多个过擦除存储器单元的阈值电压并建立擦除状态。

公开(公告)号：US20120262988A1

公开(公告)日：2012-10-18

申请号：US13308301

申请日：2011-11-30

申请人： Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung ,  Chia-Feng Cheng ,  Ken-Hui Chen ,  Yu-Chen Wang

发明人： Nai-Ping Kuo ,  Su-Chueh Lo ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung ,  Chia-Feng Cheng ,  Ken-Hui Chen ,  Yu-Chen Wang

IPC分类号： G11C16/10

CPC分类号： G11C16/3409 ,  G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14

摘要： Techniques are described herein for detecting and recovering over-erased memory cells in a flash memory device. In one embodiment, a flash memory device is described including a memory array including a plurality of blocks of memory cells. The device also includes a controller to perform a leakage-suppression process. The leakage-suppression process includes determining that a given block of memory cells includes one or more over-erased memory cells. Upon the determination, the leakage-suppression process also includes performing a soft program operation to increase the threshold voltage of the over-erased memory cells in the given block.

摘要翻译： 本文描述了用于检测和恢复闪存设备中的过擦除存储器单元的技术。 在一个实施例中，描述了一种闪存器件，其包括包括多个存储器单元块的存储器阵列。 该装置还包括执行泄漏抑制处理的控制器。 泄漏抑制过程包括确定给定的存储单元块包括一个或多个过擦除存储器单元。 在确定时，泄漏抑制处理还包括执行软程序操作以增加给定块中的被擦除的存储器单元的阈值电压。

公开(公告)号：US08259499B2

公开(公告)日：2012-09-04

申请号：US12826280

申请日：2010-06-29

申请人： Yi-Fan Chang ,  Su-chueh Lo ,  Cheng Ming Yih ,  Ta Kang Chu ,  Chu Ching Wu ,  Kuo Yu Liao ,  Ken Hui Chen ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

发明人： Yi-Fan Chang ,  Su-chueh Lo ,  Cheng Ming Yih ,  Ta Kang Chu ,  Chu Ching Wu ,  Kuo Yu Liao ,  Ken Hui Chen ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418

摘要： Various discussed approaches improve the over erase issue and the coupling effect, and include (A) multilevel contacts between (i) the first outer selected word line of an erase group, and (ii) the first unselected word line outside the ease group neighboring the first outer selected word line; (B) a sufficient separation distance between (i) the first outer selected word line of an erase group, and (ii) the first unselected word line outside the ease group neighboring the first outer selected word line. These are examples of electrically isolating (i) the first outer selected word line of an erase group, from (ii) the first unselected word line outside the ease group neighboring the first outer selected word line.

摘要翻译： 各种讨论的方法改进了过度擦除问题和耦合效应，并且包括（A）（i）擦除组的第一外部选定字线之间的多电平接触，以及（ii）与易失性组相邻的第一未选择字线 第一外选字线; （B）在（i）擦除组的第一外部选择字线之间的足够的间隔距离，和（ii）与第一外部选择字线相邻的容易组之外的第一未选择字线。 这些是将（i）擦除组的第一外部选择的字线从（ii）与第一外部选择字线相邻的易用组之外的第一未选择字线电隔离的示例。

公开(公告)号：US20110317493A1

公开(公告)日：2011-12-29

申请号：US12826280

申请日：2010-06-29

申请人： Yi-Fan Chang ,  Su-chueh Lo ,  Cheng Ming Yih ,  Ta Kang Chu ,  Chu Ching Wu ,  Kuo Yu Liao ,  Ken Hui Chen ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

发明人： Yi-Fan Chang ,  Su-chueh Lo ,  Cheng Ming Yih ,  Ta Kang Chu ,  Chu Ching Wu ,  Kuo Yu Liao ,  Ken Hui Chen ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418

摘要： Various discussed approaches improve the over erase issue and the coupling effect, and include (A) multilevel contacts between (i) the first outer selected word line of an erase group, and (ii) the first unselected word line outside the ease group neighboring the first outer selected word line; (B) a sufficient separation distance between (i) the first outer selected word line of an erase group, and (ii) the first unselected word line outside the ease group neighboring the first outer selected word line. These are examples of electrically isolating (i) the first outer selected word line of an erase group, from (ii) the first unselected word line outside the ease group neighboring the first outer selected word line.

摘要翻译： 各种讨论的方法改进了过度擦除问题和耦合效应，并且包括（A）（i）擦除组的第一外部选定字线之间的多电平接触，以及（ii）与易失性组相邻的第一未选择字线 第一外选字线; （B）在（i）擦除组的第一外部选择字线之间的足够的间隔距离，和（ii）与第一外部选择字线相邻的容易组之外的第一未选择字线。 这些是将（i）擦除组的第一外部选择的字线从（ii）与第一外部选择字线相邻的易用组之外的第一未选择字线电隔离的示例。

公开(公告)号：US20120300553A1

公开(公告)日：2012-11-29

申请号：US13567817

申请日：2012-08-06

申请人： Yi-Fan Chang ,  Su-chueh Lo ,  Cheng Ming Yih ,  Ta Kang Chu ,  Chu Ching Wu ,  Kuo Yu Liao ,  Ken Hui Chen ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

发明人： Yi-Fan Chang ,  Su-chueh Lo ,  Cheng Ming Yih ,  Ta Kang Chu ,  Chu Ching Wu ,  Kuo Yu Liao ,  Ken Hui Chen ,  Kuen-Long Chang ,  Chun-Hsiung Hung

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5635 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/3418

摘要： Various discussed approaches improve the over erase issue and the coupling effect, and include (A) multilevel contacts between (i) the first outer selected word line of an erase group, and (ii) the first unselected word line outside the ease group neighboring the first outer selected word line; (B) a sufficient separation distance between (i) the first outer selected word line of an erase group, and (ii) the first unselected word line outside the ease group neighboring the first outer selected word line. These are examples of electrically isolating (i) the first outer selected word line of an erase group, from (ii) the first unselected word line outside the ease group neighboring the first outer selected word line.

摘要翻译： 各种讨论的方法改进了过度擦除问题和耦合效应，并且包括（A）（i）擦除组的第一外部选定字线之间的多电平接触，以及（ii）与易失性组相邻的第一未选择字线 第一外选字线; （B）在（i）擦除组的第一外部选择字线之间的足够的间隔距离，和（ii）与第一外部选择字线相邻的容易组之外的第一未选择字线。 这些是将（i）擦除组的第一外部选择的字线从（ii）与第一外部选择字线相邻的易用组之外的第一未选择字线电隔离的示例。

公开(公告)号：US08797802B2

公开(公告)日：2014-08-05

申请号：US13536555

申请日：2012-06-28

申请人： Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Chin-Hung Chang ,  Chang-Ting Chen

发明人： Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Nai-Ping Kuo ,  Chin-Hung Chang ,  Chang-Ting Chen

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C16/16 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/14 ,  G11C29/34 ,  G11C2029/2602

摘要： A nonvolatile memory array has a multiple erase procedures of different durations. A block of memory cells of the array can be erased by one of the different erase procedures.

摘要翻译： 非易失性存储器阵列具有不同持续时间的多个擦除过程。 可以通过不同的擦除过程之一来擦除阵列的存储器单元的块。

公开(公告)号：US20130326184A1

公开(公告)日：2013-12-05

申请号：US13584393

申请日：2012-08-13

申请人： Yu-Meng Chaung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Nai-Ping Kuo

发明人： Yu-Meng Chaung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Nai-Ping Kuo

IPC分类号： G06F12/00

CPC分类号： G11C7/1072 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/222 ,  G11C2207/104

摘要： A memory apparatus includes a host device and a slave device. The host device stores verification data. The slave device includes a memory unit, a control unit, and a logic unit. The control unit drives the memory unit to provide storage data in a data transmission sub-period, and further provides a control signal, indicating the first verification data, in a dummy sub-period. The logic unit provides first preamble data, indicating substantially a same data value as the verification data, in the dummy sub-period in response to the first control signal. The preamble data and the storage data are transmitted according to an internal clock signal. The host device samples the first preamble data according to an external clock signal, and determines whether the external and the internal clock signals are synchronized by comparing the first preamble data and the first verification data.

摘要翻译： 存储装置包括主机装置和从装置。 主机设备存储验证数据。 从设备包括存储器单元，控制单元和逻辑单元。 控制单元驱动存储单元以在数据传输子时段中提供存储数据，并且还在虚拟子周期中提供指示第一验证数据的控制信号。 逻辑单元响应于第一控制信号，在虚拟子周期中提供与验证数据基本上相同的数据值的第一前同步码数据。 前导码数据和存储数据根据内部时钟信号发送。 主机设备根据外部时钟信号对第一前同步码数据进行采样，并且通过比较第一前导码数据和第一验证数据来确定外部和内部时钟信号是否被同步。

公开(公告)号：US08825978B2

公开(公告)日：2014-09-02

申请号：US13584393

申请日：2012-08-13

申请人： Yu-Meng Chaung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Nai-Ping Kuo

发明人： Yu-Meng Chaung ,  Chun-Hsiung Hung ,  Kuen-Long Chang ,  Ken-Hui Chen ,  Nai-Ping Kuo

IPC分类号： G06F12/00 ,  G06F13/42 ,  G11C29/00

CPC分类号： G11C7/1072 ,  G11C7/1066 ,  G11C7/222 ,  G11C2207/104

摘要： A memory apparatus includes a host device and a slave device. The host device stores verification data. The slave device includes a memory unit, a control unit, and a logic unit. The control unit drives the memory unit to provide storage data in a data transmission sub-period, and further provides a control signal, indicating the first verification data, in a dummy sub-period. The logic unit provides first preamble data, indicating substantially a same data value as the verification data, in the dummy sub-period in response to the first control signal. The preamble data and the storage data are transmitted according to an internal clock signal. The host device samples the first preamble data according to an external clock signal, and determines whether the external and the internal clock signals are synchronized by comparing the first preamble data and the first verification data.

摘要翻译： 存储装置包括主机装置和从装置。 主机设备存储验证数据。 从设备包括存储单元，控制单元和逻辑单元。 控制单元驱动存储单元以在数据传输子时段中提供存储数据，并且还在虚拟子周期中提供指示第一验证数据的控制信号。 逻辑单元响应于第一控制信号，在虚拟子周期中提供与验证数据基本上相同的数据值的第一前同步码数据。 前导码数据和存储数据根据内部时钟信号发送。 主机设备根据外部时钟信号对第一前同步码数据进行采样，并且通过比较第一前导码数据和第一验证数据来确定外部和内部时钟信号是否被同步。