公开(公告)号：US20120276657A1

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：US13095736

申请日：2011-04-27

申请人： Olivier Joubert ,  Benjamin Schwarz ,  Jérémy Gilbert Maurice Pereira ,  Kevin Menguelti ,  Erwine Maude Pargon ,  Maxime Darnon

发明人： Olivier Joubert ,  Benjamin Schwarz ,  Jérémy Gilbert Maurice Pereira ,  Kevin Menguelti ,  Erwine Maude Pargon ,  Maxime Darnon

IPC分类号： H01L21/8246

CPC分类号： H01L43/12

摘要： Embodiments of the invention generally relate to methods for fabricating devices on semiconductor substrates. More specifically, embodiments of the invention relate to methods of patterning magnetic materials. Certain embodiments described herein use a reducing chemistry containing a hydrogen gas or hydrogen containing gas with an optional dilution gas at temperatures ranging from 20 to 300 degrees Celsius at a substrate bias less than 1,000 DC voltage to reduce the amount of sputtering and redeposition. Exemplary hydrogen containing gases which may be used with the embodiments described herein include NH3, H2, CH4, C2H4, SiH4, and H2S. It has been found that patterning a magnetic tunnel junction with an oxidizer-free gas mixture comprising hydrogen maintains the integrity of the magnetic tunnel junction without producing harmful conductive residue.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及在半导体衬底上制造器件的方法。 更具体地，本发明的实施例涉及图案化磁性材料的方法。 本文所述的某些实施方案使用含有氢气或含氢气体的还原化学物质，其具有任选的稀释气体，温度范围为20-300摄氏度，衬底偏压小于1,000直流电压，以减少溅射和再沉积的量。 可与本文所述实施方案一起使用的示例性含氢气体包括NH 3，H 2，CH 4，C 2 H 4，SiH 4和H 2 S. 已经发现，使用包含氢的无氧化剂气体混合物构图磁隧道结保持了磁性隧道结的完整性，而不会产生有害的导电残留物。

公开(公告)号：US20120094499A1

公开(公告)日：2012-04-19

申请号：US13087227

申请日：2011-04-14

申请人： Siu Tang Ng ,  Guowen Ding ,  Teh-Tien Su ,  Zhuang Li ,  Benjamin Schwarz ,  Benjamin Lee

发明人： Siu Tang Ng ,  Guowen Ding ,  Teh-Tien Su ,  Zhuang Li ,  Benjamin Schwarz ,  Benjamin Lee

IPC分类号： H01L21/3065

CPC分类号： B08B7/0035 ,  H01J37/32862

摘要： Methods of performing in situ chamber cleaning for etch chambers are described.

摘要翻译： 描述了对蚀刻室进行原位室清洁的方法。

公开(公告)号：US08546263B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US13095736

申请日：2011-04-27

申请人： Olivier Joubert ,  Benjamin Schwarz ,  Jérémy Gilbert Maurice Pereira ,  Kevin Menguelti ,  Erwine Maude Pargon ,  Maxime Darnon

发明人： Olivier Joubert ,  Benjamin Schwarz ,  Jérémy Gilbert Maurice Pereira ,  Kevin Menguelti ,  Erwine Maude Pargon ,  Maxime Darnon

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L43/12

摘要： Embodiments of the invention generally relate to methods for fabricating devices on semiconductor substrates. More specifically, embodiments of the invention relate to methods of patterning magnetic materials. Certain embodiments described herein use a reducing chemistry containing a hydrogen gas or hydrogen containing gas with an optional dilution gas at temperatures ranging from 20 to 300 degrees Celsius at a substrate bias less than 1,000 DC voltage to reduce the amount of sputtering and redeposition. Exemplary hydrogen containing gases which may be used with the embodiments described herein include NH3, H2, CH4, C2H4, SiH4, and H2S. It has been found that patterning a magnetic tunnel junction with an oxidizer-free gas mixture comprising hydrogen maintains the integrity of the magnetic tunnel junction without producing harmful conductive residue.

摘要翻译： 本发明的实施例一般涉及在半导体衬底上制造器件的方法。 更具体地，本发明的实施例涉及图案化磁性材料的方法。 本文所述的某些实施方案使用含有氢气或含氢气体的还原化学物质，其具有任选的稀释气体，温度范围为20-300摄氏度，衬底偏压小于1,000直流电压，以减少溅射和再沉积的量。 可与本文所述实施方案一起使用的示例性含氢气体包括NH 3，H 2，CH 4，C 2 H 4，SiH 4和H 2 S. 已经发现，使用包含氢的无氧化剂气体混合物构图磁隧道结保持了磁性隧道结的完整性，而不会产生有害的导电残留物。

公开(公告)号：US08435419B2

公开(公告)日：2013-05-07

申请号：US13014813

申请日：2011-01-27

申请人： Guowen Ding ,  Herrick Ng ,  Teh-Tien Sue ,  Benjamin Schwarz ,  Zhuang Li

发明人： Guowen Ding ,  Herrick Ng ,  Teh-Tien Sue ,  Benjamin Schwarz ,  Zhuang Li

IPC分类号： C23F1/00

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/31122 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

摘要： Methods of processing substrates having metal layers are provided herein. In some embodiments, a method of processing a substrate comprising a metal layer having a patterned mask layer disposed above the metal layer, the method may include etching the metal layer through the patterned mask layer; and removing the patterned mask layer using a first plasma formed from a first process gas comprising oxygen (O2) and a carbohydrate. In some embodiments, a two step method with an additional second process gas comprising chlorine (Cl2) or a sulfur (S) containing gas, may provide an efficient way to remove patterned mask residue.

摘要翻译： 本文提供了处理具有金属层的基板的方法。 在一些实施例中，一种处理包括具有设置在金属层上方的图案化掩模层的金属层的衬底的方法，所述方法可以包括通过图案化掩模层蚀刻金属层; 以及使用由包含氧（O 2）和碳水化合物的第一工艺气体形成的第一等离子体去除图案化掩模层。 在一些实施方案中，具有包含氯（Cl 2）或含硫（S））气体的另外的第二工艺气体的两步法可以提供去除图案化掩模残余物的有效方式。

公开(公告)号：US06759339B1

公开(公告)日：2004-07-06

申请号：US10319318

申请日：2002-12-13

申请人： Chang Ju Choi ,  Benjamin Schwarz

发明人： Chang Ju Choi ,  Benjamin Schwarz

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： B82Y10/00 ,  H01L21/32136 ,  H01L43/12

摘要： A method is provided which includes pulsing power applied to a microelectronic topography between a high level and a low level during a plasma etch process. In particular, the high level may be sufficient to form etch byproducts at a faster rate than a rate of removal of the etch byproducts from the reaction chamber at the high level. In contrast, the low level may be sufficient to form etch byproducts at a rate that is less than a rate of removal of the etch byproducts at the low level. In this manner, an etched topography may be formed without an accumulation of residue upon its periphery. Such a method may be particularly beneficial in an embodiment in which the etch byproducts include a plurality of nonvolatile compounds, such as in the fabrication of a magnetic junction of an MRAM device, for example.

摘要翻译： 提供了一种方法，其包括在等离子体蚀刻工艺期间施加到高电平和低电平之间的微电子拓扑的脉冲功率。 特别地，高水平可能足以以比以高水平从反应室去除蚀刻副产物的速率更快的速率形成蚀刻副产物。 相比之下，低水平可能足以以低于在低水平下去除蚀刻副产物的速率形成蚀刻副产物。 以这种方式，可以形成蚀刻的形貌，而不会在其周边上积聚残留物。 这种方法在其中蚀刻副产物包括多种非挥发性化合物的实施方案中可能是特别有利的，例如在制造MRAM器件的磁结时。

公开(公告)号：US06699795B1

公开(公告)日：2004-03-02

申请号：US10099841

申请日：2002-03-15

申请人： Benjamin Schwarz ,  Chan-Lon Yang ,  Kiyoko Ikeuchi ,  Peter Keswick ,  Lien Lee

发明人： Benjamin Schwarz ,  Chan-Lon Yang ,  Kiyoko Ikeuchi ,  Peter Keswick ,  Lien Lee

IPC分类号： H01L21302

CPC分类号： H01L21/31116 ,  H01L21/32137 ,  Y10S438/952

摘要： A method of making a semiconductor structure includes etching an anti-reflective coating layer at a pressure of 10 millitorr or less; etching a nitride layer with a first nitride etch plasma having a first F:C ratio; and etching the nitride layer with a second nitride etch plasma having a second F:C ratio. The first F:C ratio is greater than the second F:C ratio.

摘要翻译： 制造半导体结构的方法包括在10毫托或更低的压力下蚀刻抗反射涂层; 用具有第一F：C比率的第一氮化物蚀刻等离子体蚀刻氮化物层; 并用具有第二F：C比率的第二氮化物蚀刻等离子体蚀刻氮化物层。 第一F：C比大于第二F：C比。