公开(公告)号：US4125643A

公开(公告)日：1978-11-14

申请号：US774636

申请日：1977-03-04

申请人： Konrad Reuschel ,  Wolfgang Dietze ,  Ulrich Rucha

发明人： Konrad Reuschel ,  Wolfgang Dietze ,  Ulrich Rucha

IPC分类号： C01B33/02 ,  C01B33/035 ,  C23C16/22 ,  C23C16/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/52 ,  H01L21/205 ,  B05D5/12 ,  B01J17/28

CPC分类号： C23C16/24 ,  C01B33/035 ,  C23C16/4412 ,  C23C16/52 ,  Y10S438/935

摘要： A semiconductor material, such as elemental silicon, is deposited on heated rod-shaped mandrels from a reactive gas stream capable of pyrolytically depositing silicon wherein the gas stream is regulated in such a manner that the silicon deposition rate remains constant per cubic centimeter of mandrel surface throughout the deposition process.

摘要翻译： 将诸如元素硅的半导体材料从能够热解沉积硅的反应性气流中沉积在加热的棒状心轴上，其中气流以这样的方式调节，使得硅沉积速率保持恒定，每立方厘米的心轴表面 在整个沉积过程中。

公开(公告)号：US4108714A

公开(公告)日：1978-08-22

申请号：US659958

申请日：1976-02-20

申请人： Wolfgang Keller ,  Konrad Reuschel

发明人： Wolfgang Keller ,  Konrad Reuschel

IPC分类号： B22D11/06 ,  C01B33/02 ,  C30B15/00 ,  C30B15/08 ,  C30B15/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/208 ,  H01L31/04 ,  H01L31/18 ,  B01J17/16 ,  B01J17/18

CPC分类号： C30B15/24 ,  C30B15/002 ,  C30B15/08 ,  H01L31/182 ,  Y02E10/546 ,  Y02P70/521 ,  Y10S117/90 ,  Y10S117/914

摘要： Molten silicon is controllably fed into a nip between spaced-apart rollers, converted into a wide ribbon of a desired thickness by passing through such nip and then solidified. The solidified silicon ribbon is then severed into plate-shaped bodies of desired dimension for use in the manufacture of solar cells.

摘要翻译： 熔融硅可控地进料到间隔开的辊之间的辊隙中，通过穿过这种辊隙然后固化而转变成所需厚度的宽带。 然后将固化的硅带切割成用于制造太阳能电池的所需尺寸的板状体。

公开(公告)号：US4068020A

公开(公告)日：1978-01-10

申请号：US644963

申请日：1975-12-29

申请人： Konrad Reuschel

发明人： Konrad Reuschel

IPC分类号： C01B33/02 ,  C01B33/035 ,  C23C16/24 ,  C30B29/06 ,  H01L21/205 ,  H01L21/331 ,  H01L27/146 ,  H01L29/167 ,  H01L29/73 ,  H01L31/04 ,  C23C13/00 ,  C23C11/02

CPC分类号： C23C16/24 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02581 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/167 ,  Y10S148/016 ,  Y10S148/073 ,  Y10S148/122 ,  Y10S438/903

摘要： A smooth surfaced amorphous silicon layer useful in semiconductor technology is produced by pyrolytic deposition of elemental silicon onto a heated mandrel along with simultaneous pyrolytic deposition of at least one other element selected from Groups IV through VIII and which is non-semiconductive and does not function as a conductivity determining dopant.

摘要翻译： 可用于半导体技术的光滑的表面非晶硅层通过将元素硅热解沉积到加热的心轴上以及同时热解沉积至少一种选自组IV至VIII的其它元素并且不是作为 电导率确定掺杂剂。

公开(公告)号：US4042454A

公开(公告)日：1977-08-16

申请号：US521388

申请日：1974-11-06

申请人： Ernst Haas ,  Joachim Martin ,  Konrad Reuschel ,  Manfred Schnoeller

发明人： Ernst Haas ,  Joachim Martin ,  Konrad Reuschel ,  Manfred Schnoeller

IPC分类号： C30B13/10 ,  C30B13/00 ,  C30B29/06 ,  C30B31/20 ,  C30B31/22 ,  H01L21/261 ,  G21G1/06

CPC分类号： C30B31/22 ,  C30B13/00 ,  C30B31/20 ,  H01L21/261 ,  Y10S148/153 ,  Y10S148/165

摘要： Si monocrystals of the n-type are produced by zone melting polycrystalline Si rods under conditions sufficient to produce monocrystal rods, measuring the specific conductivity of such monocrystal rods and subjecting such monocrystal rods to a controlled radiation by thermal neutrons based on the measured conductivity to produce a desired degree of n-conductivity in the ultimately attained rods.

摘要翻译： n型的Si单晶通过区域熔化多晶硅棒在足以产生单晶棒的条件下产生，测量这种单晶棒的比电导率，并且基于所测量的导电率，使这种单晶棒受到热中子的受控辐射，以产生 在最终获得的杆中的n导电率的期望程度。