公开(公告)号：US08138571B2

公开(公告)日：2012-03-20

申请号：US12419500

申请日：2009-04-07

申请人： Christoph Schwan ,  Joe Bloomquist ,  Peter Javorka ,  Manfred Horstmann ,  Sven Beyer ,  Markus Forsberg ,  Frank Wirbeleit ,  Karla Romero

发明人： Christoph Schwan ,  Joe Bloomquist ,  Peter Javorka ,  Manfred Horstmann ,  Sven Beyer ,  Markus Forsberg ,  Frank Wirbeleit ,  Karla Romero

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846

摘要： By forming isolation trenches of different types of intrinsic stress on the basis of separate process sequences, the strain characteristics of adjacent active semiconductor regions may be adjusted so as to obtain overall device performance. For example, highly stressed dielectric fill material including compressive and tensile stress may be appropriately provided in the respective isolation trenches in order to correspondingly adapt the charge carrier mobility of respective channel regions.

摘要翻译： 通过基于分离的工艺顺序形成不同类型的固有应力的隔离沟槽，可以调节相邻有源半导体区域的应变特性以获得整体器件性能。 例如，可以在相应的隔离沟槽中适当地提供包括压缩和拉伸应力的高应力电介质填充材料，以便相应地适应各个沟道区的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US20090218601A1

公开(公告)日：2009-09-03

申请号：US12204022

申请日：2008-09-04

申请人： Rolf Stephan ,  Markus Forsberg ,  Gert Burbach ,  Anthony Mowry

发明人： Rolf Stephan ,  Markus Forsberg ,  Gert Burbach ,  Anthony Mowry

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L31/058 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/1203

摘要： By incorporating germanium material into thermal sensing diode structures, the sensitivity thereof may be significantly increased. In some illustrative embodiments, the process for incorporating the germanium material may be performed with high compatibility with a process flow for incorporating a silicon/germanium material into P-channel transistors of sophisticated semiconductor devices. Hence, temperature control efficiency may be increased with reduced die area consumption.

摘要翻译： 通过将锗材料结合到热敏二极管结构中，其灵敏度可以显着增加。 在一些说明性实施例中，可以与用于将硅/锗材料并入复杂半导体器件的P沟道晶体管的工艺流程具有高兼容性来执行用于并入锗材料的工艺。 因此，可以降低模具面积消耗来提高温度控制效率。

公开(公告)号：US20070278596A1

公开(公告)日：2007-12-06

申请号：US11620406

申请日：2007-01-05

申请人： Christoph Schwan ,  Manfred Horstmann ,  Martin Gerhardt ,  Markus Forsberg

发明人： Christoph Schwan ,  Manfred Horstmann ,  Martin Gerhardt ,  Markus Forsberg

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/76

CPC分类号： H01L21/76224 ,  H01L29/665

摘要： By recessing the isolation structure of a transistor prior to silicidation, the series resistance may be reduced due to the increased amount of metal silicide formed in the vicinity of the isolation structure. By recessing the isolation structure prior to the formation of the gate electrode, an increased degree of poly wrap around may be obtained, thereby increasing the effective channel width.

摘要翻译： 通过在硅化之前使晶体管的隔离结构凹陷，由于在隔离结构附近形成的金属硅化物的量增加，串联电阻可能会降低。 通过在形成栅电极之前使隔离结构凹陷，可以获得增加的聚环绕的程度，从而增加有效沟道宽度。

公开(公告)号：US20050020677A1

公开(公告)日：2005-01-27

申请号：US10482700

申请日：2002-07-04

申请人： Jukka Gynther ,  Pekka Mannisto ,  Erik Wallen ,  Johannes Christiaans ,  Markus Forsberg ,  Antti Poso ,  Jarkko Venalainen ,  Elina Jarho

发明人： Jukka Gynther ,  Pekka Mannisto ,  Erik Wallen ,  Johannes Christiaans ,  Markus Forsberg ,  Antti Poso ,  Jarkko Venalainen ,  Elina Jarho

IPC分类号： C07D207/16 ,  A61K31/215 ,  A61K31/225 ,  A61K31/401 ,  A61K31/4025 ,  A61K31/496 ,  A61K31/5375 ,  A61K31/5377 ,  A61K31/55 ,  A61P25/00 ,  A61P25/28 ,  A61P43/00 ,  C07C20060101 ,  C07C69/74 ,  C07C69/76

CPC分类号： C07D403/14 ,  A61K31/401 ,  A61K31/496 ,  A61K31/5375 ,  A61K31/55 ,  C07D207/08 ,  C07D207/16 ,  C07D295/18 ,  C07D403/06 ,  C07D403/10 ,  C07D413/14

摘要： Compounds of the formula (I), wherein the symbol aa means a residue of an α-amino acid. The invention is also directed to a method for the preparation of the compounds of formula (I), as well as their use as prolyl oligopeptide inhibitors, for example for the treatment of Alzheimer's disease.

摘要翻译： 式（I）的化合物，其中符号aa表示α-氨基酸的残基。 本发明还涉及制备式（I）化合物的方法，以及它们作为脯氨酰寡肽抑制剂的用途，例如用于治疗阿尔茨海默氏病。

公开(公告)号：US20090236667A1

公开(公告)日：2009-09-24

申请号：US12419500

申请日：2009-04-07

申请人： Christoph Schwan ,  Joe Bloomquist ,  Peter Javorka ,  Manfred Horstmann ,  Sven Beyer ,  Markus Forsberg ,  Frank Wirbeleit ,  Karla Romero

发明人： Christoph Schwan ,  Joe Bloomquist ,  Peter Javorka ,  Manfred Horstmann ,  Sven Beyer ,  Markus Forsberg ,  Frank Wirbeleit ,  Karla Romero

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846

摘要： By forming isolation trenches of different types of intrinsic stress on the basis of separate process sequences, the strain characteristics of adjacent active semiconductor regions may be adjusted so as to obtain overall device performance. For example, highly stressed dielectric fill material including compressive and tensile stress may be appropriately provided in the respective isolation trenches in order to correspondingly adapt the charge carrier mobility of respective channel regions.

摘要翻译： 通过基于分离的工艺顺序形成不同类型的固有应力的隔离沟槽，可以调节相邻有源半导体区域的应变特性以获得整体器件性能。 例如，可以在相应的隔离沟槽中适当地提供包括压缩和拉伸应力的高应力电介质填充材料，以便相应地适应各个沟道区的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US07547610B2

公开(公告)日：2009-06-16

申请号：US11734320

申请日：2007-04-12

申请人： Christoph Schwan ,  Joe Bloomquist ,  Peter Javorka ,  Manfred Horstmann ,  Sven Beyer ,  Markus Forsberg ,  Frank Wirbeleit ,  Karla Romero

发明人： Christoph Schwan ,  Joe Bloomquist ,  Peter Javorka ,  Manfred Horstmann ,  Sven Beyer ,  Markus Forsberg ,  Frank Wirbeleit ,  Karla Romero

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846

摘要： By forming isolation trenches of different types of intrinsic stress on the basis of separate process sequences, the strain characteristics of adjacent active semiconductor regions may be adjusted so as to obtain overall device performance. For example, highly stressed dielectric fill material including compressive and tensile stress may be appropriately provided in the respective isolation trenches in order to correspondingly adapt the charge carrier mobility of respective channel regions.

摘要翻译： 通过基于分离的工艺顺序形成不同类型的固有应力的隔离沟槽，可以调节相邻有源半导体区域的应变特性以获得整体器件性能。 例如，可以在相应的隔离沟槽中适当地提供包括压缩和拉伸应力的高应力电介质填充材料，以便相应地适应各个沟道区的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US20080079085A1

公开(公告)日：2008-04-03

申请号：US11734320

申请日：2007-04-12

申请人： Christoph Schwan ,  Joe Bloomquist ,  Peter Javorka ,  Manfred Horstmann ,  Sven Beyer ,  Markus Forsberg ,  Frank Wirbeleit ,  Karla Romero

发明人： Christoph Schwan ,  Joe Bloomquist ,  Peter Javorka ,  Manfred Horstmann ,  Sven Beyer ,  Markus Forsberg ,  Frank Wirbeleit ,  Karla Romero

IPC分类号： H01L21/762 ,  H01L23/58 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L21/823878 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/823807 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L29/7846

摘要： By forming isolation trenches of different types of intrinsic stress on the basis of separate process sequences, the strain characteristics of adjacent active semiconductor regions may be adjusted so as to obtain overall device performance. For example, highly stressed dielectric fill material including compressive and tensile stress may be appropriately provided in the respective isolation trenches in order to correspondingly adapt the charge carrier mobility of respective channel regions.

摘要翻译： 通过基于分离的工艺顺序形成不同类型的固有应力的隔离沟槽，可以调节相邻有源半导体区域的应变特性以获得整体器件性能。 例如，可以在相应的隔离沟槽中适当地提供包括压缩和拉伸应力的高应力电介质填充材料，以便相应地适应各个沟道区的电荷载流子迁移率。

公开(公告)号：US20080026552A1

公开(公告)日：2008-01-31

申请号：US11773631

申请日：2007-07-05

申请人： Martin Gerhardt ,  Martin Trentzsch ,  Markus Forsberg ,  Manfred Horstmann

发明人： Martin Gerhardt ,  Martin Trentzsch ,  Markus Forsberg ,  Manfred Horstmann

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L29/66772

摘要： In a mesa isolation configuration for forming a transistor on a semiconductor island, an additional planarization step is performed to enhance the uniformity of the gate patterning process. In some illustrative embodiments, the gate electrode material may be planarized, for instance, on the basis of CMP, to compensate for the highly non-uniform surface topography, when the gate electrode material is formed above the non-filled isolation trenches. Consequently, significant advantages of the mesa isolation strategy may be combined with a high degree of scalability due to the enhancement of the critical gate patterning process.

摘要翻译： 在用于在半导体岛上形成晶体管的台面隔离结构中，执行附加的平面化步骤以增强栅极图案化工艺的均匀性。 在一些说明性实施例中，当栅电极材料形成在未填充的隔离沟槽上方时，栅电极材料可以例如基于CMP平坦化，以补偿高度不均匀的表面形貌。 因此，由于关键栅极图案化工艺的增强，台面隔离策略的显着优点可能与高度的可扩展性相结合。

公开(公告)号：US20060229254A1

公开(公告)日：2006-10-12

申请号：US10541387

申请日：2004-01-02

申请人： Jukka Gynther ,  Erik Wallen ,  Elina Jarho ,  Pekka Mannisto ,  Markus Forsberg ,  Antti Poso ,  Johannes Christiaans ,  Jarkko Venalainen ,  Jouko Vepsalainen ,  Taija Saarinen ,  Tomi Jarvinen

发明人： Jukka Gynther ,  Erik Wallen ,  Elina Jarho ,  Pekka Mannisto ,  Markus Forsberg ,  Antti Poso ,  Johannes Christiaans ,  Jarkko Venalainen ,  Jouko Vepsalainen ,  Taija Saarinen ,  Tomi Jarvinen

IPC分类号： A61K31/4025 ,  A61K38/04 ,  C07K5/04 ,  C07D403/02

CPC分类号： C07D295/185 ,  C07D207/16

摘要： A compound of formula (I), wherein X, R1, R2 and R3 are as defined in the disclosure, or a pharmaceutically acceptable salt or ester thereof, useful as a prolyl oligopeptidase inhibitor. The compounds can be used for the treatment of diseases or conditions where prolyl oligopeptidase inhibitors are indicated to be effective, for example for the treatment of neurodegenerative diseases, such as Alzheimer's disease and senile dementia.

摘要翻译： 式（I）化合物，其中X，R 1，R 2和R 3 3如本公开内容所定义，或药学上 可接受的盐或酯，可用作脯氨酰寡肽酶抑制剂。 这些化合物可用于治疗脯氨酰寡肽酶抑制剂被认为有效的疾病或病症，例如用于治疗神经变性疾病如阿尔茨海默氏病和老年痴呆症。