公开(公告)号：US20080087919A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11973182

申请日：2007-10-05

申请人： Steven Tysoe ,  Dong-Sil Park ,  John Leman ,  Mark D'Evelyn ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong

发明人： Steven Tysoe ,  Dong-Sil Park ,  John Leman ,  Mark D'Evelyn ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong

IPC分类号： H01L29/205 ,  C01B21/00 ,  C30B15/00

CPC分类号： C30B9/00 ,  C30B29/403

摘要： A method for growing a nitride crystal and a crystalline composition selected from one of AlN, InGaN, AlGaInN, InGaN, and AlGaNInN is provided. The composition comprises a true single crystal, grown from a single nucleus, at least 1 mm in diameter, free of lateral strain and tilt boundaries, with a dislocation density less than about 104 cm−2.

摘要翻译： 提供了用于生长氮化物晶体和选自AlN，InGaN，AlGaInN，InGaN和AlGaNInN中的晶体组成的方法。 该组合物包含从单个细胞核生长的直径至少为1mm，无横向应变和倾斜边界的真实单晶，位错密度小于约10 -4 cm -3， 2 。

公开(公告)号：US07098487B2

公开(公告)日：2006-08-29

申请号：US10329981

申请日：2002-12-27

申请人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Peter M. Sandvik

发明人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven LeBoeuf ,  Larry Rowland ,  Kristi Narang ,  Huicong Hong ,  Peter M. Sandvik

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： There is provided a GaN single crystal at least about 2 millimeters in diameter, with a dislocation density less than about 104 cm−1, and having no tilt boundaries. A method of forming a GaN single crystal is also disclosed. The method includes providing a nucleation center, a GaN source material, and a GaN solvent in a chamber. The chamber is pressurized. First and second temperature distributions are generated in the chamber such that the solvent is supersaturated in the nucleation region of the chamber. The first and second temperature distributions have different temperature gradients within the chamber.

摘要翻译： 提供了至少约2毫米直径的GaN单晶，位错密度小于约10 -4厘米-1，并且没有倾斜边界。 还公开了形成GaN单晶的方法。 该方法包括在室中提供成核中心，GaN源材料和GaN溶剂。 该室被加压。 在室中产生第一和第二温度分布，使得溶剂在室的成核区域中过饱和。 第一和第二温度分布在室内具有不同的温度梯度。

公开(公告)号：US09279193B2

公开(公告)日：2016-03-08

申请号：US11558048

申请日：2006-11-09

申请人： Mark Philip D'Evelyn ,  Kristi Jean Narang ,  Dong-Sil Park ,  Huicong Hong ,  Xian-An Cao ,  Larry Qiang Zeng

发明人： Mark Philip D'Evelyn ,  Kristi Jean Narang ,  Dong-Sil Park ,  Huicong Hong ,  Xian-An Cao ,  Larry Qiang Zeng

IPC分类号： C30B23/02 ,  C30B25/02 ,  C30B9/08 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12

CPC分类号： C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B9/08 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68

摘要： A method for growing a crystalline composition, the first crystalline composition may include gallium and nitrogen. The crystalline composition may have an infrared absorption peak at about 3175 cm−1, with an absorbance per unit thickness of greater than about 0.01 cm−1. In one embodiment, the composition may have an amount of oxygen present in a concentration of less than about 3×1018 per cubic centimeter, and may be free of two-dimensional planar boundary defects in a determined volume of the first crystalline composition.

摘要翻译： 生长结晶组合物的方法，第一结晶组合物可包括镓和氮。 结晶组合物可以在约3175cm -1处具有红外吸收峰，每单位厚度的吸光度大于约0.01cm -1。 在一个实施方案中，组合物可以具有以小于约3×1018 /立方厘米的浓度存在的量的量，并且在确定的第一结晶组合物体积中可以没有二维平面边界缺陷。

公开(公告)号：US20120017825A1

公开(公告)日：2012-01-26

申请号：US11558048

申请日：2006-11-09

申请人： Mark Philip D'Evelyn ,  Kristi Jean Narang ,  Dong-Sil Park ,  Huicong Hong ,  Xian-An Cao ,  Larry Qiang Zeng

发明人： Mark Philip D'Evelyn ,  Kristi Jean Narang ,  Dong-Sil Park ,  Huicong Hong ,  Xian-An Cao ,  Larry Qiang Zeng

IPC分类号： C30B19/08 ,  C30B7/10 ,  H01L21/02 ,  C30B25/04 ,  B29C35/02 ,  C30B19/00 ,  C30B25/02

CPC分类号： C30B7/005 ,  C30B7/105 ,  C30B9/08 ,  C30B19/02 ,  C30B19/12 ,  C30B25/02 ,  C30B25/20 ,  C30B29/406 ,  C30B29/68

摘要： A method for growing a crystalline composition, the first crystalline composition may include gallium and nitrogen. The crystalline composition may have an infrared absorption peak at about 3175 cm−1, with an absorbance per unit thickness of greater than about 0.01 cm−1. In one embodiment, the composition ay have an amount of oxygen present in a concentration of less than about 3×1018 per cubic centimeter, and may be free of two-dimensional planar boundary defects in a determined volume of the first crystalline composition.

摘要翻译： 生长结晶组合物的方法，第一结晶组合物可包括镓和氮。 结晶组合物可以在约3175cm -1处具有红外吸收峰，每单位厚度的吸光度大于约0.01cm -1。 在一个实施方案中，组合物a y具有以小于约3×1018 /立方厘米的浓度存在的氧量，并且在确定的第一结晶组合物体积中可以没有二维平面边界缺陷。

公开(公告)号：US20060048699A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11249896

申请日：2005-10-13

申请人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty ,  Huicong Hong

发明人： Mark D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Victor Lou ,  Thomas McNulty ,  Huicong Hong

IPC分类号： C30B28/06 ,  C30B21/02 ,  C30B7/00

CPC分类号： C30B29/403 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/1096

摘要： An apparatus including a crucible, an energy source, and a controller is provided. The crucible may be sealed to a nitrogen-containing gas, and may be chemically inert to at least ammonia at a temperature in a range of about 400 degrees Celsius to about 2500 degrees Celsius. The energy source may supply thermal energy to the crucible. The controller may control the energy source to selectively direct sufficient thermal energy to a predefined first volume within the crucible to attain and maintain a temperature in the first volume to be in a range of from about 400 degrees Celsius to about 2500 degrees Celsius. The thermal energy may be sufficient to initiate, sustain, or both initiate and sustain growth of a crystal in the first volume. The first temperature in the first volume may be controllable separately from a second temperature in another volume within the crucible. The first temperature and the second temperature differ from each other. Associated methods are provided.

摘要翻译： 提供一种包括坩埚，能量源和控制器的装置。 该坩埚可以密封到含氮气体，并且在约400摄氏度至约2500摄氏度的温度范围内，至少可以在至少氨的化学惰性。 能量源可以向坩埚提供热能。 控制器可以控制能量源以选择性地将足够的热能引导到坩埚内的预定义的第一体积，以获得并将第一体积中的温度维持在从约400摄氏度到约2500摄氏度的范围内。 热能可能足以启动，维持或同时启动和维持晶体在第一体积中的生长。 第一体积中的第一温度可以与坩埚内的另一体积中的第二温度分开控制。 第一温度和第二温度彼此不同。 提供相关方法。

公开(公告)号：US20070215887A1

公开(公告)日：2007-09-20

申请号：US11588181

申请日：2006-10-26

申请人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven Francis LeBoeuf ,  Larry Burton Rowland ,  Kristi Jean Narang ,  Huicong Hong ,  Peter Micah Sandvik

发明人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven Francis LeBoeuf ,  Larry Burton Rowland ,  Kristi Jean Narang ,  Huicong Hong ,  Peter Micah Sandvik

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B7/10

摘要： There is provided a GaN single crystal at least about 2.75 millimeters in diameter, with a dislocation density less than about 104 cm−1, and having substantially no tilt boundaries. A method of forming a GaN single crystal is also disclosed. The method includes providing a nucleation center, a GaN source material, and a GaN solvent in a chamber. The chamber is pressurized. First and second temperature distributions are generated in the chamber such that the solvent is supersaturated in the nucleation region of the chamber. The first and second temperature distributions have different temperature gradients within the chamber.

摘要翻译： 提供了直径至少约2.75毫米的GaN单晶，位错密度小于约10 -4厘米-1，并且基本上没有倾斜边界。 还公开了形成GaN单晶的方法。 该方法包括在室中提供成核中心，GaN源材料和GaN溶剂。 该室被加压。 在室中产生第一和第二温度分布，使得溶剂在室的成核区域中过饱和。 第一和第二温度分布在室内具有不同的温度梯度。

公开(公告)号：US07078731B2

公开(公告)日：2006-07-18

申请号：US11010507

申请日：2004-12-13

申请人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven Francis LeBoeuf ,  Larry Burton Rowland ,  Kristi Jean Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Daley Arthur ,  Peter Micah Sandvik

发明人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven Francis LeBoeuf ,  Larry Burton Rowland ,  Kristi Jean Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Daley Arthur ,  Peter Micah Sandvik

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01L33/32 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  C30B7/00 ,  C30B7/005 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A GaN crystal having up to about 5 mole percent of at least one of aluminum, indium, and combinations thereof. The GaN crystal has at least one grain having a diameter greater than 2 mm, a dislocation density less than about 104 cm−2, and is substantially free of tilt boundaries.

摘要翻译： 具有至多约5摩尔％的铝，铟及其组合中的至少一种的GaN晶体。 GaN晶体具有至少一个直径大于2mm的晶粒，位错密度小于约10 -4 cm -2，并且基本上没有倾斜边界。

公开(公告)号：US08357945B2

公开(公告)日：2013-01-22

申请号：US11588181

申请日：2006-10-26

申请人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven Francis LeBoeuf ,  Larry Burton Rowland ,  Kristi Jean Narang ,  Huicong Hong ,  Peter Micah Sandvik

发明人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven Francis LeBoeuf ,  Larry Burton Rowland ,  Kristi Jean Narang ,  Huicong Hong ,  Peter Micah Sandvik

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B7/10

摘要： There is provided a GaN single crystal at least about 2.75 millimeters in diameter, with a dislocation density less than about 104 cm−1, and having substantially no tilt boundaries. A method of forming a GaN single crystal is also disclosed. The method includes providing a nucleation center, a GaN source material, and a GaN solvent in a chamber. The chamber is pressurized. First and second temperature distributions are generated in the chamber such that the solvent is supersaturated in the nucleation region of the chamber. The first and second temperature distributions have different temperature gradients within the chamber.

摘要翻译： 提供直径至少约2.75毫米的GaN单晶，位错密度小于约104厘米-1，并且基本上没有倾斜边界。 还公开了形成GaN单晶的方法。 该方法包括在室中提供成核中心，GaN源材料和GaN溶剂。 该室被加压。 在室中产生第一和第二温度分布，使得溶剂在室的成核区域中过饱和。 第一和第二温度分布在室内具有不同的温度梯度。

公开(公告)号：US07859008B2

公开(公告)日：2010-12-28

申请号：US11621556

申请日：2007-01-09

申请人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven Francis LeBoeuf ,  Larry Burton Rowland ,  Kristi Jean Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Daley Arthur ,  Peter Micah Sandvik

发明人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven Francis LeBoeuf ,  Larry Burton Rowland ,  Kristi Jean Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Daley Arthur ,  Peter Micah Sandvik

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B7/10 ,  H01S5/305 ,  H01S5/32341 ,  Y10T428/21

摘要： A crystalline composition is provided that includes gallium and nitrogen. The crystalline composition may have an amount of oxygen present in a concentration of less than about 3×1018 per cubic centimeter, and may be free of two-dimensional planar boundary defects in a determined volume of the crystalline composition. The volume may have at least one dimension that is about 2.75 millimeters or greater, and the volume may have a one-dimensional linear defect dislocation density of less than about 10,000 per square centimeter.

摘要翻译： 提供了包括镓和氮的结晶组合物。 结晶组合物可以具有以小于约3×1018 /立方厘米的浓度存在的氧量，并且在确定体积的结晶组合物中可以没有二维平面边界缺陷。 该体积可以具有至少一个尺寸为约2.75毫米或更大，并且该体积可具有小于约10,000每平方厘米的一维线性缺陷位错密度。

公开(公告)号：US07786503B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US11559146

申请日：2006-11-13

申请人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven Francis LeBoeuf ,  Larry Burton Rowland ,  Kristi Jean Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Daley Arthur ,  Peter Micah Sandvik

发明人： Mark Philip D'Evelyn ,  Dong-Sil Park ,  Steven Francis LeBoeuf ,  Larry Burton Rowland ,  Kristi Jean Narang ,  Huicong Hong ,  Stephen Daley Arthur ,  Peter Micah Sandvik

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： C30B29/406 ,  C30B9/00

摘要： A crystal comprising gallium nitride is disclosed. The crystal has at least one grain having at least one dimension greater than 2.75 mm, a dislocation density less than about 104 cm−2, and is substantially free of tilt boundaries.

摘要翻译： 公开了一种包括氮化镓的晶体。 晶体具有至少一个具有至少一个尺寸大于2.75mm，位错密度小于约104cm -2的晶粒，并且基本上没有倾斜边界。