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    Method of forming a locally strained transistor
    11.
    发明授权
    Method of forming a locally strained transistor 有权
    形成局部应变晶体管的方法

    公开(公告)号：US07232730B2

    公开(公告)日：2007-06-19

    申请号：US11119522

    申请日：2005-04-29

    申请人： Chien-Hao Chen ,  Donald Y. Chao ,  Tze-Liang Lee

    发明人： Chien-Hao Chen ,  Donald Y. Chao ,  Tze-Liang Lee

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/7843

    摘要： A preferred embodiment of the invention provides a semiconductor fabrication method. An embodiment comprises forming a MOS device having sidewall spacers. A highly stressed layer is deposited over the device. The stress is selectively adjusted in that portion of the layer over the gate electrode and the sidewall spacers. Preferably, the stress layer over the gate electrode and over the sidewall spacers is adjusted from a first stress to a second stress, wherein the first stress is one of tensile and compressive, and the second stress is the other of tensile and compressive. Preferred embodiments selectively induce a suitable stress within PMOS and NMOS channel regions for improving their respective carrier mobility. Still other embodiments of the invention comprise a field effect transistor (FET) having a overlying stressed layer, the stressed layer being comprised of different stress regions.

    摘要翻译： 本发明的优选实施例提供半导体制造方法。 一个实施例包括形成具有侧壁间隔物的MOS器件。 高应力层沉积在器件上。 在栅极电极和侧壁间隔物上的层的该部分中选择性地调节应力。 优选地，栅极上方和侧壁间隔物上的应力层从第一应力调整到第二应力，其中第一应力是拉伸和压缩之一，第二应力是拉伸和压缩中的另一个。 优选实施例在PMOS和NMOS沟道区域内选择性地诱发适当的应力，以改善其相应的载流子迁移率。 本发明的其它实施例包括具有上覆应力层的场效应晶体管（FET），所述应力层由不同的应力区域组成。

    Method of forming tensile stress films for NFET performance enhancement
    12.
    发明申请
    Method of forming tensile stress films for NFET performance enhancement 审中-公开
    形成用于NFET性能提高的拉伸应力膜的方法

    公开(公告)号：US20080138983A1

    公开(公告)日：2008-06-12

    申请号：US11634303

    申请日：2006-12-06

    申请人： Hao-Ming Lien ,  Jim Cy Huang ,  Donald Y. Chao ,  Ling-Yen Yeh ,  Hun-Jan Tao

    发明人： Hao-Ming Lien ,  Jim Cy Huang ,  Donald Y. Chao ,  Ling-Yen Yeh ,  Hun-Jan Tao

    IPC分类号： H01L21/44

    CPC分类号： H01L21/76832 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76828 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843

    摘要： A method of forming tensile stress films for NFET Performance enhancement, comprising the steps of: (a) providing a semiconductor substrate having a gate structure patterned thereon; (b) performing a deposition process to form a first dielectric film overlying the semiconductor substrate and covering the gate structure; (c) performing a curing process on the first dielectric film; (d) successively repeating the step (b) of deposition process and the step (c) of curing process at least once to form at least one second dielectric film on the first dielectric film until the total thickness of the first dielectric film and the at least one second dielectric film reaches a target thickness.

    摘要翻译： 一种形成用于NFET性能增强的拉伸应力膜的方法，包括以下步骤：（a）提供在其上图案化的栅极结构的半导体衬底; （b）进行沉积工艺以形成覆盖半导体衬底并覆盖栅极结构的第一电介质膜; （c）对所述第一电介质膜进行固化处理; （d）连续重复沉积处理步骤（b）和固化过程的步骤（c）至少一次，以在第一介电膜上形成至少一个第二电介质膜，直到第一介电膜和第 至少一个第二介电膜达到目标厚度。

    FinFET and method of fabricating the same
    14.
    发明授权
    FinFET and method of fabricating the same 有权
    FinFET及其制造方法

    公开(公告)号：US08659032B2

    公开(公告)日：2014-02-25

    申请号：US13363003

    申请日：2012-01-31

    申请人： Donald Y. Chao ,  Hou-Yu Chen ,  Shyh-Horng Yang

    发明人： Donald Y. Chao ,  Hou-Yu Chen ,  Shyh-Horng Yang

    IPC分类号： H01L29/15

    CPC分类号： H01L29/41791 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02636 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

    摘要： The disclosure relates to a fin field effect transistor (FinFET). An exemplary structure for a FinFET comprises a substrate comprising a major surface; a first fin and a second fin extending upward from the substrate major surface to a first height; an insulation layer comprising a top surface extending upward from the substrate major surface to a second height less than the first height, whereby portions of the fins extend beyond the top surface of the insulation layer; each fin covered by a bulbous epitaxial layer defining an hourglass shaped cavity between adjacent fins, the cavity comprising upper and lower portions, wherein the epitaxial layer bordering the lower portion of the cavity is converted to silicide.

    摘要翻译： 本发明涉及鳍状场效应晶体管（FinFET）。 FinFET的示例性结构包括：包括主表面的衬底; 第一翅片和第二翅片，其从所述基底主表面向上延伸到第一高度; 绝缘层，包括从所述基底主表面向上延伸到小于所述第一高度的第二高度的顶表面，由此所述翅片的部分延伸超出所述绝缘层的顶表面; 每个翅片由球形外延层覆盖，所述球形外延层在相邻翅片之间限定出沙漏形空腔，所述空腔包括上部和下部，其中与空腔的下部邻接的外延层被转换成硅化物。