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    Single Crystal Ge On Si
    11.
    发明申请
    Single Crystal Ge On Si 审中-公开
    单晶晶硅

    公开(公告)号：US20120280276A1

    公开(公告)日：2012-11-08

    申请号：US13425079

    申请日：2012-03-20

    申请人： Rytis Dargis ,  Erdem Arkun ,  Andrew Clark ,  Michael Lebby

    发明人： Rytis Dargis ,  Erdem Arkun ,  Andrew Clark ,  Michael Lebby

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L29/165

    CPC分类号： H01L21/02488 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/02532

    摘要： A single crystal germanium-on-silicon structure includes a single crystal silicon substrate. A single crystal layer of gadolinium oxide is epitaxially grown on the substrate. The gadolinium oxide has a cubic crystal structure and a lattice spacing approximately equal to the lattice spacing or a multiple of the single crystal silicon. A single crystal layer of lanthanum oxide is epitaxially grown on the gadolinium oxide with a thickness of approximately 12 nm or less. The lanthanum oxide has a lattice spacing approximately equal to the lattice spacing or a multiple of single crystal germanium and a cubic crystal structure approximately similar to the cubic crystal structure of the gadolinium oxide. A single crystal layer of germanium with a (111) crystal orientation is epitaxially grown on the layer of lanthanum oxide.

    摘要翻译： 单晶硅硅结构包括单晶硅衬底。 在衬底上外延生长氧化钆单晶层。 氧化钆具有立方晶体结构和大约等于晶格间距或单晶硅倍数的晶格间距。 在氧化钆上外延生长氧化镧单晶层，厚度约为12nm以下。 氧化镧具有大约等于晶格间距的晶格间距或单晶锗的倍数和与氧化钆近似相似的立方晶体结构。 具有（111）晶体取向的锗的单晶层外延生长在氧化镧层上。

    III-N material grown on AIO/AIN buffer on Si substrate
    12.
    发明授权
    III-N material grown on AIO/AIN buffer on Si substrate 有权
    在Si衬底上在AIO / AIN缓冲液上生长的III-N材料

    公开(公告)号：US08823025B1

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：US13772126

    申请日：2013-02-20

    申请人： Erdem Arkun ,  Michael Lebby ,  Andrew Clark ,  Rytis Dargis

    发明人： Erdem Arkun ,  Michael Lebby ,  Andrew Clark ,  Rytis Dargis

    IPC分类号： H01L33/00

    CPC分类号： H01L29/205 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778

    摘要： III-N material grown on a silicon substrate includes a single crystal buffer positioned on a silicon substrate. The buffer is substantially crystal lattice matched to the surface of the silicon substrate and includes aluminum oxynitride adjacent the substrate and aluminum nitride adjacent the upper surface. A first layer of III-N material is positioned on the upper surface of the buffer. An inter-layer of aluminum nitride (AlN) is positioned on the first III-N layer and an additional layer of III-N material is positioned on the inter-layer. The inter-layer of aluminum nitride and the additional layer of III-N material are repeated n-times to reduce or engineer strain in a final III-N layer.

    摘要翻译： 在硅衬底上生长的III-N材料包括位于硅衬底上的单晶缓冲器。 缓冲器基本上与硅衬底的表面晶格匹配，并且包括邻近衬底的氮氧化铝和与上表面相邻的氮化铝。 第一层III-N材料位于缓冲器的上表面上。 氮化铝（AlN）的层间位于第一III-N层上，并且在层之间设置附加的III-N材料层。 氮化铝层和III-N材料的附加层重复n次，以减少或设计最终III-N层的应变。

    AlN cap grown on GaN/REO/silicon substrate structure
    15.
    发明授权
    AlN cap grown on GaN/REO/silicon substrate structure 有权
    AlN帽生长在GaN / REO /硅衬底结构上

    公开(公告)号：US08872308B2

    公开(公告)日：2014-10-28

    申请号：US13772169

    申请日：2013-02-20

    申请人： Erdem Arkun ,  Michael Lebby ,  Andrew Clark ,  Rytis Dargis

    发明人： Erdem Arkun ,  Michael Lebby ,  Andrew Clark ,  Rytis Dargis

    IPC分类号： H01L29/20 ,  H01L21/02

    CPC分类号： H01L21/0254 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02507 ,  H01L29/155 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778

    摘要： III-N material grown on a silicon substrate includes a single crystal rare earth oxide layer positioned on a silicon substrate. The rare earth oxide is substantially crystal lattice matched to the surface of the silicon substrate. A first layer of III-N material is positioned on the surface of the rare earth oxide layer. An inter-layer of aluminum nitride (AlN) is positioned on the surface of the first layer of III-N material and an additional layer of III-N material is positioned on the surface of the inter-layer of aluminum nitride. The inter-layer of aluminum nitride and the additional layer of III-N material are repeated n-times to reduce or engineer strain in a final III-N layer. A cap layer of AlN is grown on the final III-N layer and a III-N layer of material with one of an LED structure and an HEMT structure is grown on the AlN cap layer.

    摘要翻译： 在硅衬底上生长的III-N材料包括位于硅衬底上的单晶稀土氧化物层。 稀土氧化物与硅衬底的表面基本上晶格匹配。 第一层III-N材料位于稀土氧化物层的表面上。 氮化铝（AlN）的层间位于III-N材料的第一层的表面上，并且在氮化铝层间的表面上设置附加的III-N层。 氮化铝层和III-N材料的附加层重复n次，以减少或设计最终III-N层的应变。 在最终的III-N层上生长AlN的覆盖层，并且在AlN覆盖层上生长具有LED结构和HEMT结构之一的III-N层材料。

    REO/ALO/A1N template for III-N material growth on silicon
    18.
    发明授权
    REO/ALO/A1N template for III-N material growth on silicon 有权
    REO / ALO / A1N模板，用于在硅上进行III-N材料生长

    公开(公告)号：US08823055B2

    公开(公告)日：2014-09-02

    申请号：US13717211

    申请日：2012-12-17

    申请人： Erdem Arkun ,  Michael Lebby ,  Andrew Clark ,  Rytis Dargis

    发明人： Erdem Arkun ,  Michael Lebby ,  Andrew Clark ,  Rytis Dargis

    IPC分类号： H01L31/0336

    CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0251 ,  H01L21/0254 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L33/007 ,  H01L33/12

    摘要： A method of forming a template on a silicon substrate includes providing a single crystal silicon substrate. The method further includes epitaxially depositing a layer of rare earth oxide on the surface of the silicon substrate. The rare earth oxide being substantially crystal lattice matched to the surface of the silicon substrate. The method further includes forming an aluminum oxide layer on the rare earth oxide, the aluminum oxide being substantially crystal lattice matched to the surface of the rare earth oxide and epitaxially depositing a layer of aluminum nitride (AlN) on the aluminum oxide layer substantially crystal lattice matched to the surface of the aluminum oxide.

    摘要翻译： 在硅衬底上形成模板的方法包括提供单晶硅衬底。 该方法还包括在硅衬底的表面上外延沉积稀土氧化物层。 稀土氧化物基本上与硅衬底的表面晶格匹配。 所述方法还包括在所述稀土氧化物上形成氧化铝层，所述氧化铝基本上与所述稀土氧化物的表面晶格匹配，并且在所述氧化铝层上外延沉积基本上晶格上的氮化铝（AlN）层 与氧化铝的表面匹配。

    Modification of REO by subsequent III-N EPI process
    20.
    发明授权
    Modification of REO by subsequent III-N EPI process 有权
    随后的III-N EPI过程修改REO

    公开(公告)号：US08501635B1

    公开(公告)日：2013-08-06

    申请号：US13631906

    申请日：2012-09-29

    申请人： Andrew Clark ,  Robin Smith ,  Rytis Dargis ,  Erdem Arkun ,  Michael Lebby

    发明人： Andrew Clark ,  Robin Smith ,  Rytis Dargis ,  Erdem Arkun ,  Michael Lebby

    IPC分类号： H01L21/31

    CPC分类号： H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631

    摘要： A method of growing single crystal III-N material on a semiconductor substrate includes providing a substrate including one of crystalline silicon or germanium and a layer of rare earth oxide. A layer of single crystal III-N material is epitaxially grown on the substrate using a process that elevates the temperature of the layer of rare earth oxide into a range of approximately 750° C. to approximately 1250° C. in the presence of an N or a III containing species, whereby a portion of the layer of rare earth oxide is transformed to a new alloy.

    摘要翻译： 在半导体衬底上生长单晶III-N材料的方法包括提供包括结晶硅或锗中的一种和稀土氧化物层的衬底。 使用在N存在下将稀土氧化物层的温度升高到大约750℃至大约1250℃的范围的方法在衬底上外延生长单层III-N材料层 或含III族的物质，由此将一部分稀土氧化物转变成新的合金。