公开(公告)号：US20100008130A1

公开(公告)日：2010-01-14

申请号：US12458411

申请日：2009-07-10

申请人： Kwang-seok Kim ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  In-jun Hwang ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-yeon Lee ,  Seung-jun Lee

发明人： Kwang-seok Kim ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  In-jun Hwang ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-yeon Lee ,  Seung-jun Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C7/00 ,  G11C11/14

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675

摘要： Provided is a method of operating a magnetic random access memory device comprising a switch structure and a magnetoresistance structure. According to the method, current variation depending on the direction of the current can be reduced by controlling a gate voltage of the switch structure when supplying current to write data to the magnetoresistance structure.

摘要翻译： 提供了一种操作包括开关结构和磁阻结构的磁性随机存取存储器件的方法。 根据该方法，当向磁阻结构写入数据时，通过控制开关结构的栅极电压可以减小依赖于电流方向的电流变化。

公开(公告)号：US20090122596A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US12073678

申请日：2008-03-07

申请人： In-Jun Hwang ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-Jun Lee ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

发明人： In-Jun Hwang ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-Jun Lee ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： G11C11/1697 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

摘要： Provided are a semiconductor memory device and a method of programming the same. The semiconductor memory device includes a mode input value generating unit and a logic operating unit. The mode input value generating unit changes a connection state between input values of a current driving circuit so as to correspond to each of at least two operating modes, and defines a logic function of a magnetic memory cell connected to the current driving circuit in response to each operating mode. The logic operating unit performs a logic operation on the logic functions of at least two magnetic memory cells defined according to each of the operating modes and generates a result of logic operation.

摘要翻译： 提供一种半导体存储器件及其编程方法。 半导体存储器件包括模式输入值生成单元和逻辑运算单元。 模式输入值生成单元将当前驱动电路的输入值之间的连接状态改变为对应于至少两个操作模式中的每一个，并且响应于所述至少两个操作模式定义连接到当前驱动电路的磁存储单元的逻辑功能 每个操作模式。 逻辑操作单元对根据每个操作模式定义的至少两个磁存储器单元的逻辑功能进行逻辑运算，并产生逻辑运算的结果。

公开(公告)号：US08144504B2

公开(公告)日：2012-03-27

申请号：US12458411

申请日：2009-07-10

申请人： Kwang-seok Kim ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  In-jun Hwang ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-yeon Lee ,  Seung-jun Lee

发明人： Kwang-seok Kim ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  In-jun Hwang ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-yeon Lee ,  Seung-jun Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675

摘要： Provided is a method of operating a magnetic random access memory device comprising a switch structure and a magnetoresistance structure. According to the method, current variation depending on the direction of the current can be reduced by controlling a gate voltage of the switch structure when supplying current to write data to the magnetoresistance structure.

摘要翻译： 提供了一种操作包括开关结构和磁阻结构的磁性随机存取存储器件的方法。 根据该方法，当向磁阻结构写入数据时，通过控制开关结构的栅极电压可以减小依赖于电流方向的电流变化。

公开(公告)号：US20110149647A1

公开(公告)日：2011-06-23

申请号：US12926442

申请日：2010-11-18

申请人： Kwang-seok Kim ,  Taek-dong Lee ,  Woo-jin Kim ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  Sun-ok Kim

发明人： Kwang-seok Kim ,  Taek-dong Lee ,  Woo-jin Kim ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  Sun-ok Kim

IPC分类号： G11C11/14 ,  H01L29/82 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： Provided are a perpendicular magnetic tunnel junction (MTJ), a magnetic device including the same, and a method of manufacturing the MTJ, the perpendicular MTJ includes a lower magnetic layer; a tunnelling layer on the lower magnetic layer; and an upper magnetic layer on the tunnelling layer. One of the upper and lower magnetic layers includes a free magnetic layer that exhibits perpendicular magnetic anisotropy, wherein the magnetizing direction of the free magnetic layer is changed by a spin polarization current. A polarization enhancing layer (PEL) and an exchange blocking layer (EBL) are stacked between the tunnelling layer and the free magnetic layer.

摘要翻译： 提供垂直磁性隧道结（MTJ），包括该垂直磁性隧道结（MTJ）的磁性装置以及制造MTJ的方法，垂直MTJ包括下部磁性层; 下层磁性层上的隧道层; 和隧道层上的上层磁性层。 上下磁性层中的一个包括具有垂直磁各向异性的自由磁性层，其中自由磁性层的磁化方向由自旋极化电流改变。 极化增强层（PEL）和交换阻挡层（EBL）堆叠在隧穿层和自由磁性层之间。

公开(公告)号：US07672154B2

公开(公告)日：2010-03-02

申请号：US12073678

申请日：2008-03-07

申请人： In-jun Hwang ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

发明人： In-jun Hwang ,  Hyung-soon Shin ,  Seung-jun Lee ,  Sun-ae Seo ,  Kee-won Kim ,  Kwang-seok Kim

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/1697 ,  G11C11/1653 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

摘要： Provided are a semiconductor memory device and a method of programming the same. The semiconductor memory device includes a mode input value generating unit and a logic operating unit. The mode input value generating unit changes a connection state between input values of a current driving circuit so as to correspond to each of at least two operating modes, and defines a logic function of a magnetic memory cell connected to the current driving circuit in response to each operating mode. The logic operating unit performs a logic operation on the logic functions of at least two magnetic memory cells defined according to each of the operating modes and generates a result of logic operation.

摘要翻译： 提供一种半导体存储器件及其编程方法。 半导体存储器件包括模式输入值生成单元和逻辑运算单元。 模式输入值生成单元将当前驱动电路的输入值之间的连接状态改变为对应于至少两种操作模式中的每一种，并且响应于所述至少两种操作模式而连接到当前驱动电路的磁存储单元的逻辑功能 每个操作模式。 逻辑操作单元对根据每个操作模式定义的至少两个磁存储器单元的逻辑功能进行逻辑运算，并产生逻辑运算的结果。

公开(公告)号：US08411498B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US12923377

申请日：2010-09-17

申请人： Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Sun-ae Seo ,  Seung-kyo Lee ,  Young-man Jang

发明人： Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Sun-ae Seo ,  Seung-kyo Lee ,  Young-man Jang

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/133 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular magnetic tunnel junction (MTJ) devices, methods of fabricating a perpendicular MTJ device, electronic devices including a perpendicular MTJ device and methods of fabricating the electronic device are provided, the perpendicular MTJ devices include a pinned layer, a tunneling layer and a free layer. At least one of the pinned layer and the free layer includes a multi-layered structure including an amorphous perpendicular magnetic anisotropy (PMA) material.

摘要翻译： 提供垂直磁隧道结（MTJ）装置，制造垂直MTJ装置的方法，包括垂直MTJ装置的电子装置和制造电子装置的方法，垂直MTJ装置包括钉扎层，隧穿层和自由层 。 被钉扎层和自由层中的至少一个包括包含无定形垂直磁各向异性（PMA）材料的多层结构。

公开(公告)号：US20110141803A1

公开(公告)日：2011-06-16

申请号：US12923377

申请日：2010-09-17

申请人： Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Sun-ae Seo ,  Seung-kyo Lee ,  Young-man Jang

发明人： Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Sun-ae Seo ,  Seung-kyo Lee ,  Young-man Jang

IPC分类号： G11C11/14 ,  H01L29/82 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/133 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3286 ,  H01F41/307 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

摘要： Perpendicular magnetic tunnel junction (MTJ) devices, methods of fabricating a perpendicular MTJ device, electronic devices including a perpendicular MTJ device and methods of fabricating the electronic device are provided, the perpendicular MTJ devices include a pinned layer, a tunneling layer and a free layer. At least one of the pinned layer and the free layer includes a multi-layered structure including an amorphous perpendicular magnetic anisotropy (PMA) material.

摘要翻译： 提供垂直磁隧道结（MTJ）装置，制造垂直MTJ装置的方法，包括垂直MTJ装置的电子装置和制造电子装置的方法，垂直MTJ装置包括钉扎层，隧道层和自由层 。 被钉扎层和自由层中的至少一个包括包含无定形垂直磁各向异性（PMA）材料的多层结构。

公开(公告)号：US10128433B2

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：US15332460

申请日：2016-10-24

申请人： Ung-hwan Pi ,  Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Sung-chul Lee ,  Young-man Jang

发明人： Ung-hwan Pi ,  Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Sung-chul Lee ,  Young-man Jang

IPC分类号： H01L43/06 ,  H01L43/04 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L27/22 ,  G11C11/18

摘要： Provided is a magnetic memory device. The magnetic memory device includes a first magnetization layer, a tunnel barrier disposed on the first magnetization layer, a second magnetization layer disposed on the tunnel barrier, and a spin current assisting layer disposed on at least a portion of a sidewall of the second magnetization layer.

公开(公告)号：US08848432B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US13591809

申请日：2012-08-22

申请人： Sung-chul Lee ,  Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Young-man Jang ,  Ung-hwan Pi

发明人： Sung-chul Lee ,  Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Young-man Jang ,  Ung-hwan Pi

IPC分类号： G11C11/16 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08

CPC分类号： G11C11/161 ,  G11C11/15 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1121

摘要： Magnetoresistive elements, and memory devices including the same, include a free layer having a changeable magnetization direction, a pinned layer facing the free layer and having a fixed magnetization direction, and an auxiliary element on a surface of the pinned layer. The auxiliary element has a width smaller than a width of the pinned layer, and a magnetization direction fixed to a direction the same as a direction of the fixed magnetization direction of the pinned layer.

摘要翻译： 磁阻元件和包括它们的存储器件包括具有可变磁化方向的自由层，面向自由层的固定层并且具有固定的磁化方向，以及在被钉扎层的表面上的辅助元件。 辅助元件的宽度小于钉扎层的宽度，并且固定在与被钉扎层的固定磁化方向的方向相同的方向上的磁化方向。

公开(公告)号：US09530478B2

公开(公告)日：2016-12-27

申请号：US14162144

申请日：2014-01-23

申请人： Ung-hwan Pi ,  Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Sung-chul Lee ,  Young-man Jang

发明人： Ung-hwan Pi ,  Kwang-seok Kim ,  Kee-won Kim ,  Sung-chul Lee ,  Young-man Jang

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  H01L27/22 ,  G11C11/18

CPC分类号： G11C11/1675 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/18 ,  H01L27/222 ,  H01L43/08

摘要： A memory device using a spin hall effect, and methods of manufacturing and operating the memory device, include applying a first operational current to a bit line of the memory device such that a spin current is applied to a magnetic tunnel junction (MTJ) cell coupled to the bit line due to a material in the bit line, wherein the bit line is electrically connected to a word line via the MTJ cell, and the word line intersects the bit line.

摘要翻译： 使用旋转门厅效应的存储器件以及制造和操作存储器件的方法包括将第一工作电流施加到存储器件的位线，使得自旋电流被施加到耦合到磁性隧道结（MTJ）的单元 由于位线中的材料而导致位线，其中位线经由MTJ单元电连接到字线，并且字线与位线相交。