公开(公告)号：US08039867B2

公开(公告)日：2011-10-18

申请号：US12540772

申请日：2009-08-13

申请人： Akio Ogawa ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Hiroshi Kotani ,  Tomofumi Yamamuro

发明人： Akio Ogawa ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Hiroshi Kotani ,  Tomofumi Yamamuro

IPC分类号： H01L33/00

CPC分类号： H01S5/347 ,  B82Y20/00 ,  H01L33/285

摘要： A ZnO-containing semiconductor layer, doped with Se, has an emission peak wavelength in visual light and has a band gap equivalent to a band gap of ZnO.

摘要翻译： 掺有Se的含ZnO半导体层在视觉上具有发光峰值波长，并且具有与ZnO的带隙相当的带隙。

公开(公告)号：US07728347B2

公开(公告)日：2010-06-01

申请号：US12428567

申请日：2009-04-23

申请人： Akio Ogawa ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Hiroshi Kotani ,  Tomofumi Yamamuro

发明人： Akio Ogawa ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Hiroshi Kotani ,  Tomofumi Yamamuro

IPC分类号： H01L29/24 ,  H01L33/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L33/285 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L33/16 ,  Y10S438/914 ,  Y10S438/918

摘要： A ZnO layer is provided which can obtain emission at a wavelength longer than blue (e.g., 420 nm) and has a novel structure. A transition energy narrower by 0.6 eV or larger than a band gap of ZnO can be obtained by doping S into a ZnO layer.

摘要翻译： 提供了可以获得长于蓝色（例如420nm）的波长的发光并具有新颖结构的ZnO层。 通过将S掺杂到ZnO层中可以获得比ZnO的带隙窄0.6eV或更大的过渡能。

公开(公告)号：US20090206333A1

公开(公告)日：2009-08-20

申请号：US12371965

申请日：2009-02-17

申请人： Hiroshi Kotani ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Akio Ogawa ,  Tomofumi Yamamuro

发明人： Hiroshi Kotani ,  Michihiro Sano ,  Hiroyuki Kato ,  Naochika Horio ,  Akio Ogawa ,  Tomofumi Yamamuro

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/18

CPC分类号： H01L33/28 ,  H01L24/45 ,  H01L33/44 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8592 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： A ZnO based semiconductor device includes: a lamination structure including a first semiconductor layer containing ZnO based semiconductor of a first conductivity type and a second semiconductor layer containing ZnO based semiconductor of a second conductivity type opposite to the first conductivity type, formed above the first semiconductor layer and forming a pn junction together with the first semiconductor layer; and a Zn—Si—O layer containing compound of Zn, Si and O and covering a surface exposing the pn junction of the lamination structure.

摘要翻译： 一种ZnO基半导体器件包括：层叠结构，其包括第一半导体层，其包含第一导电类型的ZnO基半导体和包含与第一导电类型相反的第二导电类型的ZnO基半导体的第二半导体层，形成在第一半导体 并与第一半导体层一起形成pn结; 以及包含Zn，Si和O化合物的Zn-Si-O层，并覆盖暴露层压结构的pn结的表面。

公开(公告)号：US08546797B2

公开(公告)日：2013-10-01

申请号：US12907127

申请日：2010-10-19

申请人： Tomofumi Yamamuro ,  Hiroyuki Kato ,  Akio Ogawa

发明人： Tomofumi Yamamuro ,  Hiroyuki Kato ,  Akio Ogawa

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/02554 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/285

摘要： In a ZnO based compound semiconductor device, nitrogen (N) doped (Mg)ZnO:N layer is inserted as a diffusion barrier layer 9 between a ZnO based n-type layer 3 to which n-type dopants are doped and an active layer 4 or a p-type layer 5. The diffusion barrier layer 9 prevents diffusion of the n-type dopants to the active layer 4 or the p-type layer 5. Crystalline quality of the active layer 4 of the ZnO based compound semiconductor device is not deteriorated by the diffusion of the n-type dopants.

摘要翻译： 在基于ZnO的化合物半导体器件中，在掺杂有n型掺杂剂的ZnO基n型层3和有源层4之间插入氮（N）掺杂（Mg）ZnO：N层作为扩散阻挡层9 或p型层5.扩散阻挡层9防止n型掺杂剂扩散到有源层4或p型层5. ZnO基化合物半导体器件的有源层4的结晶质量不是 由于n型掺杂剂的扩散而劣化。

公开(公告)号：US08294146B2

公开(公告)日：2012-10-23

申请号：US12611234

申请日：2009-11-03

申请人： Tomofumi Yamamuro ,  Hiroyuki Kato

发明人： Tomofumi Yamamuro ,  Hiroyuki Kato

IPC分类号： H01L29/10

CPC分类号： H01L21/02554 ,  C23C14/086 ,  C23C14/46 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/28

摘要： Mg is doped in a ZnO-containing semiconductor layer in a concentration range from 1×1017 cm−3 to 2×1020 cm−3.

摘要翻译： Mg在1×1017cm-3至2×1020cm-3的浓度范围内掺杂在含ZnO的半导体层中。

公开(公告)号：US20100123129A1

公开(公告)日：2010-05-20

申请号：US12611234

申请日：2009-11-03

申请人： Tomofumi Yamamuro ,  Hiroyuki Kato

发明人： Tomofumi Yamamuro ,  Hiroyuki Kato

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L29/22 ,  H01L21/36

CPC分类号： H01L21/02554 ,  C23C14/086 ,  C23C14/46 ,  C30B23/02 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/28

摘要： Mg is doped in a ZnO-containing semiconductor layer in a concentration range from 1×1017 cm−3 to 2×1020 cm−3.

摘要翻译： Mg在1×1017cm-3至2×1020cm-3的浓度范围内掺杂在含ZnO的半导体层中。