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    Non-planar fuse structure including angular bend
    11.
    发明授权
    Non-planar fuse structure including angular bend 失效
    非平面保险丝结构包括角度弯曲

    公开(公告)号：US07777297B2

    公开(公告)日：2010-08-17

    申请号：US11693041

    申请日：2007-03-29

    申请人： Haining S. Yang ,  Wai-Kin Li ,  Deok-Kee Kim

    发明人： Haining S. Yang ,  Wai-Kin Li ,  Deok-Kee Kim

    IPC分类号： H01L29/41

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L29/785 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A fuse structure includes a non-planar fuse material layer typically located over and replicating a topographic feature within a substrate. The non-planar fuse material layer includes an angular bend that assists in providing a lower severance current within the non-planar fuse material layer.

    摘要翻译： 熔丝结构包括通常位于衬底内并且复制衬底内的形貌特征的非平面熔断体材料层。 非平面熔断体材料层包括有助于在非平面熔断体材料层内提供较低切断电流的角弯曲。

    EFUSE CONTAINING SIGE STACK
    14.
    发明申请
    EFUSE CONTAINING SIGE STACK 有权
    EFUSE包含信号堆栈

    公开(公告)号：US20080169529A1

    公开(公告)日：2008-07-17

    申请号：US11622616

    申请日：2007-01-12

    申请人： Deok-Kee Kim ,  Dureseti Chidambarrao ,  William K. Henson ,  Chandrasekharan Kothandaraman

    发明人： Deok-Kee Kim ,  Dureseti Chidambarrao ,  William K. Henson ,  Chandrasekharan Kothandaraman

    IPC分类号： H01L23/525

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An eFuse, includes: a substrate and an insulating layer disposed on the substrate; a first layer including a single crystal or polycrystalline silicon disposed on the insulating layer; a second layer including a single crystal or polycrystalline silicon germanium disposed on the first layer, and a third layer including a silicide disposed on the second layer. The Ge has a final concentration in a range of approximately five percent to approximately twenty-five percent.

    摘要翻译： eFuse包括：衬底和设置在衬底上的绝缘层; 包括设置在所述绝缘层上的单晶或多晶硅的第一层; 包括设置在第一层上的单晶或多晶硅锗的第二层，以及包括设置在第二层上的硅化物的第三层。 Ge的终浓度范围约为百分之五至百分之二十五。

    Structure and method to form E-fuse with enhanced current crowding
    16.
    发明授权
    Structure and method to form E-fuse with enhanced current crowding 有权
    具有增强的电流拥挤的电子熔断器的结构和方法

    公开(公告)号：US08809142B2

    公开(公告)日：2014-08-19

    申请号：US13453165

    申请日：2012-04-23

    申请人： Deok-Kee Kim ,  Ahmet S. Ozcan ,  Haining S. Yang

    发明人： Deok-Kee Kim ,  Ahmet S. Ozcan ,  Haining S. Yang

    IPC分类号： H01L21/8238

    CPC分类号： H01L23/5256 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： An e-fuse structure and method has an anode; a fuse link (a first end of the fuse link is connected to the anode); a cathode (a second end of the fuse link opposite the first end is connected to the cathode); and a silicide layer on the fuse link. The silicide layer has a first silicide region adjacent the anode and a second silicide region adjacent the cathode. The second silicide region comprises an impurity not contained within the first silicide region. Further, the first silicide region is thinner than the second silicide region.

    摘要翻译： 电熔丝结构和方法具有阳极; 熔丝连接（熔丝连接的第一端连接到阳极）; 阴极（与第一端相对的熔断体的第二端连接到阴极）; 和熔丝链上的硅化物层。 硅化物层具有邻近阳极的第一硅化物区域和与阴极相邻的第二硅化物区域。 第二硅化物区域包括不包含在第一硅化物区域内的杂质。 此外，第一硅化物区域比第二硅化物区域薄。

    Semiconductor devices and electronic systems
    17.
    发明授权
    Semiconductor devices and electronic systems 有权
    半导体器件和电子系统

    公开(公告)号：US08536703B2

    公开(公告)日：2013-09-17

    申请号：US13052614

    申请日：2011-03-21

    申请人： Deok-Kee Kim ,  Byeung-Chul Kim ,  Hoon-Jeong ,  Yong-Woo Kwon

    发明人： Deok-Kee Kim ,  Byeung-Chul Kim ,  Hoon-Jeong ,  Yong-Woo Kwon

    IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40

    CPC分类号： H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1253

    摘要： A semiconductor device and an electronic system are provided. The semiconductor device includes a lower conductive pattern, and an intermediate conductive pattern on the lower conductive pattern. An upper conductive pattern is provided on the intermediate conductive pattern and is electrically connected to the intermediate conductive pattern. The intermediate conductive pattern includes a first portion and a second portion that extends from a part of the first portion and that is disposed at a higher level from the lower conductive pattern than the first portion. The upper conductive pattern is disposed on the first portion of the intermediate conductive pattern and has a top surface that is disposed at a higher level from the lower conductive pattern than the second portion of the intermediate conductive pattern.

    摘要翻译： 提供半导体器件和电子系统。 半导体器件包括下导电图案和下导电图案上的中间导电图案。 上导电图案设置在中间导电图案上并电连接到中间导电图案。 中间导电图案包括第一部分和第二部分，第一部分和第二部分从第一部分的一部分延伸并且设置在比第一部分更低级别的下导电图案处。 上导电图案设置在中间导电图案的第一部分上，并且具有从中间导电图案的第二部分设置在比下导电图案更高的高度的顶表面。

    SOLAR CELL
    18.
    发明申请
    SOLAR CELL 审中-公开
    太阳能电池

    公开(公告)号：US20120247544A1

    公开(公告)日：2012-10-04

    申请号：US13296833

    申请日：2011-11-15

    申请人： Young Moon Choi ,  Yun Gi Kim ,  Dong Kyun Kim ,  Deok-Kee Kim ,  Eun Cheol Do

    发明人： Young Moon Choi ,  Yun Gi Kim ,  Dong Kyun Kim ,  Deok-Kee Kim ,  Eun Cheol Do

    IPC分类号： H01L31/06

    CPC分类号： H01L31/0504 ,  H01L31/043 ,  H01L2924/0002 ,  Y02E10/50 ,  H01L2924/00

    摘要： According to example embodiments, a solar cell includes a plurality of unit portions. Each of the unit portions may have a stacked structure including a plurality of photoelectric members and at least one insulating layer disposed between the photoelectric members. The photoelectric members in different levels may have different energy bandgaps. The photoelectric members in a level may be connected to each other.

    摘要翻译： 根据示例性实施例，太阳能电池包括多个单元部分。 每个单元部分可以具有包括多个光电部件和设置在光电部件之间的至少一个绝缘层的堆叠结构。 不同级别的光电元件可能具有不同的能量带隙。 一个电平的光电元件可以彼此连接。

    Solar Cell And Method Of Manufacturing Same
    19.
    发明申请
    Solar Cell And Method Of Manufacturing Same 审中-公开
    太阳能电池及制造方法相同

    公开(公告)号：US20120211072A1

    公开(公告)日：2012-08-23

    申请号：US13236030

    申请日：2011-09-19

    申请人： Deok-Kee Kim ,  Yun Gi Kim ,  Dongkyun Kim ,  Young Moon Choi ,  Eun Cheol Do

    发明人： Deok-Kee Kim ,  Yun Gi Kim ,  Dongkyun Kim ,  Young Moon Choi ,  Eun Cheol Do

    IPC分类号： H01L31/0216 ,  H01L31/18

    CPC分类号： H01L31/02167 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

    摘要： Example embodiments of a solar cell including a semiconductor substrate, an N emitter layer formed on a light-absorbing surface of the semiconductor substrate, a p+ region formed on the light-absorbing surface of the semiconductor substrate, a first electrode electrically connected to the p+ region, a second electrode separately formed from the first electrode on the light-absorbing surface of the semiconductor substrate and electrically connected to the N emitter layer, and an auxiliary layer inducing an N+ back surface field (BSF) on the opposite surface to the light-absorbing surface of the semiconductor substrate, and a method of manufacturing the solar cell are provided.

    摘要翻译： 包括半导体衬底，形成在半导体衬底的光吸收表面上的N发射极层，形成在半导体衬底的光吸收表面上的p +区的太阳能电池的示例实施例，与p + 区域，由半导体衬底的光吸收表面上的第一电极单独形成并电连接到N发射极层的第二电极，以及在与光的相对表面上引导N +背表面场（BSF）的辅助层 吸收表面，以及制造太阳能电池的方法。