公开(公告)号：US20080248657A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US11784503

申请日：2007-04-06

申请人： Zsolt Nenyei ,  Paul J. Timans ,  Wilfried Lerch ,  Juergen Niess ,  Manfred Falter ,  Patrick Schmid ,  Conor Patrick O'Carroll ,  Rudy Cardema ,  Igor Fidelman ,  Sing-Pin Tay ,  Yao Zhi Hu ,  Daniel J. Devine

发明人： Zsolt Nenyei ,  Paul J. Timans ,  Wilfried Lerch ,  Juergen Niess ,  Manfred Falter ,  Patrick Schmid ,  Conor Patrick O'Carroll ,  Rudy Cardema ,  Igor Fidelman ,  Sing-Pin Tay ,  Yao Zhi Hu ,  Daniel J. Devine

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/67115

摘要： Process and system for processing wafer-shaped objects, such as semiconductor wafers is disclosed. In accordance with the present disclosure, a multiple of two wafers are processed in a thermal processing chamber. The thermal processing chamber is in communication with at least one heating device for heating the wafers. The wafers are placed in the thermal processing chamber in a face-to-face configuration or in a back-to-back configuration.

摘要翻译： 公开了用于处理诸如半导体晶片的晶片状物体的工艺和系统。 根据本公开，在热处理室中处理两个晶片的倍数。 热处理室与用于加热晶片的至少一个加热装置连通。 将晶片以面对面配置或背对背配置放置在热处理室中。

公开(公告)号：US5872889A

公开(公告)日：1999-02-16

申请号：US778245

申请日：1997-01-08

申请人： Guenter Kaltenbrunner ,  Zsolt Nenyei ,  Helmut Sommer

发明人： Guenter Kaltenbrunner ,  Zsolt Nenyei ,  Helmut Sommer

IPC分类号： G01J5/00 ,  H01L21/00 ,  C23C16/00

CPC分类号： H01L21/67115 ,  G01J5/0003 ,  Y10T29/41

摘要： A closable enclosure for rapid thermal processing of semiconductor wafers is presented, wherein the closable enclosure has an enclosed volume less than 10 times the volume of the wafer, and wherein the closable enclosure may be closed about the wafer while the closable enclosure is surrounded by the process gas.

摘要翻译： 提出了一种用于半导体晶片的快速热处理的可闭合的外壳，其中可封闭的外壳具有小于晶片体积的10倍的封闭容积，并且其中可封闭的外壳可围绕晶片封闭，而可封闭的外壳由 工艺气体。

公开(公告)号：US08575521B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US12060652

申请日：2008-04-01

申请人： Zsolt Nenyei ,  Paul Janis Timans

发明人： Zsolt Nenyei ,  Paul Janis Timans

IPC分类号： A21B1/00

CPC分类号： G05D23/27 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26

摘要： Temperature control in an RTP system can be improved by consideration of one or more witness structures different from the wafer (or other semiconductor object) being processed. For example, power coupling between the RTP heating system and witness structure can be used to adjust one or more control parameters, such as model definitions, that are used by the RTP system to control wafer heating. As another example, a stored trajectory of a desired witness structure temperature or other property can be used as a basis for control during a processing cycle. Thus, the witness structure may be controlled “closed-loop” while the wafer is heated “open-loop.” As a further example, a heat flux between the RTP heating system and witness structure can be used to determine radiant energy from the heating system that is incident on the witness structure. One or more control actions can be taken based on this incident energy.

摘要翻译： 通过考虑与正在处理的晶片（或其他半导体物体）不同的一个或多个证人结构，可以提高RTP系统中的温度控制。 例如，RTP加热系统和见证结构之间的功率耦合可用于调整由RTP系统用于控制晶片加热的一个或多个控制参数，例如模型定义。 作为另一个示例，期望的见证结构温度或其他属性的存储的轨迹可以用作处理循环期间的控制的基础。 因此，当晶片被加热“开环”时，证人结构可以被控制为“闭环”。 作为另一个例子，可以使用RTP加热系统和证人结构之间的热通量来确定来自加热系统的辐射能量，该加热系统是入射到见证结构上的。 可以基于该入射能量进行一个或多个控制动作。

公开(公告)号：US20090242543A1

公开(公告)日：2009-10-01

申请号：US12060652

申请日：2008-04-01

申请人： Zsolt Nenyei ,  Paul Janis Timans

发明人： Zsolt Nenyei ,  Paul Janis Timans

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  F26B3/30 ,  G05D23/27

CPC分类号： G05D23/27 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67253 ,  H01L22/26

摘要： Temperature control in an RTP system can be improved by consideration of one or more witness structures different from the wafer (or other semiconductor object) being processed. For example, power coupling between the RTP heating system and witness structure can be used to adjust one or more control parameters, such as model definitions, that are used by the RTP system to control wafer heating. As another example, a stored trajectory of a desired witness structure temperature or other property can be used as a basis for control during a processing cycle. Thus, the witness structure may be controlled “closed-loop” while the wafer is heated “open-loop.” As a further example, a heat flux between the RTP heating system and witness structure can be used to determine radiant energy from the heating system that is incident on the witness structure. One or more control actions can be taken based on this incident energy.

摘要翻译： 通过考虑与正在处理的晶片（或其他半导体物体）不同的一个或多个证人结构，可以提高RTP系统中的温度控制。 例如，RTP加热系统和见证结构之间的功率耦合可用于调整由RTP系统用于控制晶片加热的一个或多个控制参数，例如模型定义。 作为另一个示例，期望的见证结构温度或其他属性的存储的轨迹可以用作处理循环期间的控制的基础。 因此，当晶片被加热“开环”时，证人结构可以被控制为“闭环”。 作为另一个例子，可以使用RTP加热系统和证人结构之间的热通量来确定来自加热系统的辐射能量，该加热系统是入射到见证结构上的。 可以基于该入射能量进行一个或多个控制动作。

公开(公告)号：US20080311761A1

公开(公告)日：2008-12-18

申请号：US11659587

申请日：2004-10-28

申请人： Zsolt Nenyei ,  Steffen Frigge ,  Patrick Schmid ,  Thorsten Hulsmann ,  Thomas Theiler

发明人： Zsolt Nenyei ,  Steffen Frigge ,  Patrick Schmid ,  Thorsten Hulsmann ,  Thomas Theiler

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L21/324 ,  F27B5/04 ,  F27B17/0025 ,  H01L21/67115

摘要： Disclosed is an apparatus and a method for reducing flash in an injection mold (532 or 542, 543) which molds a molded article between a first mold surface and a second mold surface. The apparatus includes an active material actuator (530 or 533a and 533b or 561a and 561b) configured to, in response to application or removal of an electrical actuation signal thereto, change dimension and urge the first mold surface relative to the second mold surface to reduce flash therebetween. The apparatus also includes a transmission structure (533) configured to provide in use, the electrical acutation signal to said active material actuator (530 or 533a and 533b or 561a and 561b) includes a set of active material actuators stacked one against the other to provide a varying sealing force to urge the first mold surface relative to the second mold surface.

摘要翻译： 公开了一种用于减少在第一模具表面和第二模具表面之间模制模制品的注塑模具中的闪光的装置和方法（532或542,543）。 该装置包括被配置为响应于施加或去除电致动信号而改变尺寸并且相对于第二模具表面推动第一模具表面以减少第一模具表面的活性材料致动器（530或533a和533b或561a和561b） 闪烁。 所述装置还包括被配置为在使用中提供到所述活性材料致动器（530或533a和533b或561a和561b）的电响应信号的传输结构（533）包括一组彼此堆叠的一组活性材料致动器，以提供 不同的密封力以相对于第二模具表面推动第一模具表面。

公开(公告)号：US20070117413A1

公开(公告)日：2007-05-24

申请号：US10567626

申请日：2004-08-26

申请人： Zsolt Nenyei

发明人： Zsolt Nenyei

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02247 ,  C25D9/06 ,  C25D11/08 ,  C25D11/18 ,  C25D11/26 ,  C25D11/32 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3185

摘要： A first process for the production of a thin nitrogenous layer on a semiconductor surface by contacting at least a part of the surface with a nitrogenous liquid, by applying an electrical voltage between the surface, the liquid and an electrode according to a given voltage-time curve until a layer thickness of less than 5 nm is formed, and then separating the surface from the liquid. A second process for the production of a thin nitrogenous layer on a metal surface or on a metal layer located on a substrate by at least a part of the surface or the metal layer with a nitrogenous liquid, by applying an electrical voltage between the surface or metal layer, the liquid and an electrode according to a given voltage-time curve until a layer thickness of less than 50 nm is formed, and then separating the surface or the metal layer from the liquid. A third process for detaching an oxygen-containing and/or nitrogenous layer on a semiconductor or a metal surface.

摘要翻译： 第一种通过使至少一部分表面与含氮液接触的方法，通过在表面，液体和电极之间施加电压，根据给定的电压时间在半导体表面上生产薄的含氮层 直到形成小于5nm的层厚度，然后将表面与液体分离。 用于通过在表面或金属层的表面或金属层的表面或金属层之间的表面或金属层上的位于金属表面或金属层上的金属层上生产薄氮层的第二种方法， 金属层，液体和电极，直到形成小于50nm的层厚度，然后将表面或金属层与液体分离。 用于在半导体或金属表面上分离含氧和/或含氮层的第三种方法。

公开(公告)号：US06830631B2

公开(公告)日：2004-12-14

申请号：US10220001

申请日：2002-09-25

申请人： Zsolt Nenyei ,  Wilfried Lerch ,  Jürgen Niess ,  Thomas Graf

发明人： Zsolt Nenyei ,  Wilfried Lerch ,  Jürgen Niess ,  Thomas Graf

IPC分类号： B08B704

CPC分类号： C23C16/4408 ,  C23C14/564 ,  H01L21/67098 ,  Y10S134/902 ,  Y10S438/905 ,  Y10S438/906

摘要： A method of removing first molecules adsorbed on the surfaces of a chamber and/or at least one object found in the chamber is provided. Second, polar molecules that have a desorptive effect on the first molecules are introduced into the chamber. The second molecules comprise nitrogen and hydrogen, and especially NH3 molecules.

摘要翻译： 提供了一种去除吸附在室的表面上的第一分子和/或在室中发现的至少一个物体的方法。 第二，对第一分子具有解吸作用的极性分子被引入室中。 第二分子包括氮和氢，特别是NH 3分子。

公开(公告)号：US5861609A

公开(公告)日：1999-01-19

申请号：US537409

申请日：1995-10-02

申请人： Guenter Kaltenbrunner ,  Thomas Knarr ,  Zsolt Nenyei

发明人： Guenter Kaltenbrunner ,  Thomas Knarr ,  Zsolt Nenyei

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/268 ,  H01L21/687 ,  H05B3/00 ,  H01L21/324 ,  C23C16/00 ,  H05B1/00

CPC分类号： H05B3/0047 ,  H01L21/2686 ,  H01L21/67115 ,  H05B2203/032

摘要： A thin visible and near IR absorbing plate is placed between the radiation source and the object to be processed in a rapid thermal processing system. The object is heated in part by the near IR and far IR radiation from the thin plate, and the material and optically induced heating inhomogeneities are reduced.

摘要翻译： 在快速热处理系统中，在辐射源和待处理物体之间放置薄的可见光和近红外线吸收板。 该物体部分地被来自薄板的近IR和远红外辐射加热，并且材料和光学诱导的加热不均匀性降低。

公开(公告)号：US5837555A

公开(公告)日：1998-11-17

申请号：US631265

申请日：1996-04-12

申请人： Guenter Kaltenbrunner ,  Zsolt Nenyei ,  Helmut Sommer

发明人： Guenter Kaltenbrunner ,  Zsolt Nenyei ,  Helmut Sommer

IPC分类号： G01J5/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/324 ,  A21B2/00 ,  C23C16/00 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L21/67115 ,  G01J5/0003 ,  Y10T29/41

摘要： A closable enclosure for rapid thermal processing of semiconductor wafers is presented, wherein the closable enclosure has an enclosed volume less than 10 times the volume of the wafer, and wherein the closable enclosure may closed about the wafer while the closable enclosure is surrounded by the process gas.

摘要翻译： 提出了一种用于半导体晶片的快速热处理的可闭合的外壳，其中可封闭的外壳具有小于晶片体积的10倍的封闭容积，并且其中可封闭的外壳可围绕晶片封闭，同时封闭的外壳被该工艺 加油站。