公开(公告)号：US08208229B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US13243553

申请日：2011-09-23

申请人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

发明人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa

IPC分类号： G11B5/33

CPC分类号： G11B5/398 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/305 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121 ,  Y10T428/1129

摘要： A magneto-resistance effect element, comprising a first magnetic layer, a first metallic layer, which is formed on said first magnetic layer, mainly containing an element selected from the group consisting of Cu, Au, Ag, a current confined layer including an insulating layer and a current path which are made by oxidizing, nitriding or oxynitriding for a second metallic layer, mainly containing Al, formed on said first metallic layer, a functional layer, which is formed on said current confined layer, mainly containing an element selected from the group consisting of Si, Hf, Ti, Mo, W, Nb, Mg, Cr and Zr, a third metallic layer, which is formed on said functional layer, mainly containing an element selected from the group consisting of Cu, Au, Ag; and a second magnetic layer which is formed on said third metallic layer.

摘要翻译： 一种磁电阻效应元件，包括第一磁性层，第一金属层，其形成在所述第一磁性层上，主要包含选自由Cu，Au，Ag组成的组的元素，包含绝缘体的电流限制层 层和电流路径，其通过对形成在所述第一金属层上的主要包含Al的第二金属层进行氧化，氮化或氧氮化而形成，功能层，其形成在所述电流限制层上，主要含有选自 由Si，Hf，Ti，Mo，W，Nb，Mg，Cr和Zr组成的组，形成在所述功能层上的第三金属层，主要含有选自Cu，Au，Ag ; 以及形成在所述第三金属层上的第二磁性层。

公开(公告)号：US20120050920A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：US13186389

申请日：2011-07-19

申请人： Akihiko Takeo ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami ,  Hideaki Fukuzawa

发明人： Akihiko Takeo ,  Yoshihiko Fuji ,  Hiromi Yuasa ,  Michiko Hara ,  Shuichi Murakami ,  Hideaki Fukuzawa

IPC分类号： H01F1/04 ,  G11B5/48

CPC分类号： G11B5/3903 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/098 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3983 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3295 ,  H01F41/303 ,  H01F41/325 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1129

摘要： According to one embodiment, a method of manufacturing a magnetoresistive element includes a layered structure and a pair of electrodes, the layered structure including a cap layer, a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, a spacer layer and a functional layer provided in the magnetization pinned layer, between the magnetization pinned layer and the spacer layer, between the spacer layer and the magnetization free layer, in the magnetization free layer, or between the magnetization free layer and the cap layer and including an oxide, the method including forming a film including a base material of the functional layer, performing an oxidation treatment on the film using a gas containing oxygen in a form of at least one selected from the group consisting of molecule, ion, plasma and radical, and performing a reduction treatment using a reducing gas on the film after the oxidation treatment.

摘要翻译： 根据一个实施例，制造磁阻元件的方法包括层状结构和一对电极，所述层叠结构包括盖层，磁化固定层，磁化自由层，间隔层和功能层 在磁化被钉扎层和间隔层之间，在间隔层和磁化自由层之间，在磁化自由层中，或在磁化自由层和覆盖层之间并包括氧化物的磁化钉扎层，该方法包括形成 膜，其包括功能层的基材，使用含有选自分子，离子，等离子体和自由基中的至少一种形式的含氧气体，对膜进行氧化处理，并使用 在氧化处理后还原气膜。

公开(公告)号：US20110228427A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US12879376

申请日：2010-09-10

申请人： Hiromi YUASA ,  Shuichi Murakami ,  Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa

发明人： Hiromi YUASA ,  Shuichi Murakami ,  Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa

IPC分类号： G11B5/33 ,  G11B5/48

CPC分类号： G11B5/3906 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/486 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/1936 ,  H01F10/30 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3268 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： A magnetoresistive element includes a first ferromagnetic layer, a second ferromagnetic layer, a nonmagnetic layer, a first metal layer, a second metal layer, a first electrode, and a second electrode. The nonmagnetic layer is provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer. The first metal layer includes Au and is provided so that the first ferromagnetic layer is sandwiched between the nonmagnetic layer and the first metal layer. The second metal layer includes a CuNi alloy, and is provided so that the first metal layer is sandwiched between the first ferromagnetic layer and the second metal layer. In addition, magnetization of either one of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer is fixed in a direction. Magnetization of the other is variable in response to an external field. At least one of the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer includes a half metal.

摘要翻译： 磁阻元件包括第一铁磁层，第二铁磁层，非磁性层，第一金属层，第二金属层，第一电极和第二电极。 非磁性层设置在第一铁磁层和第二铁磁层之间。 第一金属层包括Au，并且设置成使得第一铁磁层夹在非磁性层和第一金属层之间。 第二金属层包括CuNi合金，并且被设置成使得第一金属层夹在第一铁磁层和第二金属层之间。 此外，第一铁磁层和第二铁磁层中的任一个的磁化在一个方向上固定。 另一个的磁化响应于外部场是可变的。 第一铁磁层和第二铁磁层中的至少一个包括半金属。

公开(公告)号：US07948717B2

公开(公告)日：2011-05-24

申请号：US11898079

申请日：2007-09-07

申请人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji

发明人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/39 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B2005/0002 ,  G11C11/16 ,  H01L43/08 ,  Y10T428/1107

摘要： A magneto-resistance effect element includes a first magnetic layer of which a magnetization direction is fixed; a second magnetic layer of which a magnetization direction is fixed; an intermediate layer which is provided between the first magnetic layer and the second magnetic layer; and a pair of electrodes for flowing a current perpendicular to a film surface of the resultant laminated body comprised of the first magnetic layer, the second magnetic layer and the intermediate layer. The intermediate layer includes insulating portions and metallic portions containing at least one selected from the group consisting of Fe, Co, Ni, Cr and the metallic portions are contacted with the first magnetic layer and the second magnetic layer.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括其磁化方向固定的第一磁性层; 磁化方向固定的第二磁性层; 中间层，设置在第一磁性层和第二磁性层之间; 以及一对电极，用于垂直于由第一磁性层，第二磁性层和中间层构成的所得叠层体的膜表面流动电流。 中间层包括绝缘部分和含有选自Fe，Co，Ni，Cr中的至少一种的金属部分，金属部分与第一磁性层和第二磁性层接触。

公开(公告)号：US07821748B2

公开(公告)日：2010-10-26

申请号：US11525076

申请日：2006-09-22

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Masahiro Takashita ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Masahiro Takashita ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： H01L43/08 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/3983 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01F10/3295 ,  H01L27/224 ,  H01L27/228 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121

摘要： A magneto-resistance effect element, a magneto-resistance effect head, a magnetic storage and a magnetic memory, in which noise caused by a spin-transfer torque is reduced, are provided. In a fixed magnetization layer or a free magnetization layer of a magneto-resistance effect element including the fixed magnetization layer, a spacer layer and the free magnetization layer; a layer containing one element selected from the group consisting of Ti, Zr, Nb, Mo, Ru, Rh, Pd, Ag, La, Hf, Ta, W, Re, Os, Ir, Pt and Au is disposed.

摘要翻译： 提供了由旋转传递转矩引起的噪声减小的磁阻效应元件，磁阻效应头，磁存储器和磁存储器。 在包括固定磁化层，间隔层和自由磁化层的磁阻效应元件的固定磁化层或自由磁化层中; 设置包含选自Ti，Zr，Nb，Mo，Ru，Rh，Pd，Ag，La，Hf，Ta，W，Re，Os，Ir，Pt和Au中的一种元素的层。

公开(公告)号：US07808747B2

公开(公告)日：2010-10-05

申请号：US11702582

申请日：2007-02-06

申请人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： G11B5/39

CPC分类号： G11B5/398 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/09 ,  G11B5/3906 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3281 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive effect element includes a fixed magnetization layer; a free magnetization layer; a nonmagnetic spacer layer between the fixed magnetization layer and the free magnetization layer; and an insertion layer disposed on an opposite side of the free magnetization layer from the nonmagnetic spacer layer, wherein the first insulating layer has an oxide, a nitride, or an oxynitride including at least one kind of element selected from a group constituted of Al (aluminum), Si (silicon), Mg (magnesium), Ta (tantalum) and Zn (zinc) as a major constituent, and the insertion layer has an oxide, a nitride, or an oxynitride including at least one kind of element selected from a group constituted of Al (aluminum), Si (silicon), Mg (magnesium), Ta (tantalum) and Zn (zinc) as a major constituent.

摘要翻译： 磁阻效应元件包括固定磁化层; 自由磁化层; 在固定磁化层和自由磁化层之间的非磁性间隔层; 以及插入层，其设置在所述自由磁化层与所述非磁性间隔层的相对侧上，其中，所述第一绝缘层具有氧化物，氮化物或氮氧化物，所述氧化物，氮化物或氮氧化物包含选自由Al组成的组中的至少一种元素 铝），Si（硅），Mg（镁），Ta（钽）和Zn（锌）作为主要成分，并且所述插入层具有氧化物，氮化物或氧氮化物，其包含至少一种选自 以Al（铝），Si（硅），Mg（镁），Ta（钽）和Zn（锌）为主要成分的基团。

公开(公告)号：US07785662B2

公开(公告)日：2010-08-31

申请号：US11583968

申请日：2006-10-20

申请人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Yoshihiko Fuji ,  Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： H05H1/00 ,  H01F41/00 ,  H01F41/22

CPC分类号： C23C8/02 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  C23C8/34 ,  C23C28/321 ,  C23C28/322 ,  C23C28/34 ,  C23C28/345 ,  C23C28/3455 ,  C23C28/42 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3268 ,  H01F41/305

摘要： There is provided a method for manufacturing a magnetoresistive element having a magnetization pinned layer, a magnetization free layer, and a spacer layer including an insulating layer arranged between the magnetization pinned layer and the magnetization free layer and current paths passing through the insulating layer. The method includes, in producing the spacer layer, depositing a first non-magnetic metal layer forming the current paths, depositing a second metal layer to be converted into the insulating layer on the first non-magnetic metal layer, and performing two stages of oxidation treatments in which a partial pressure of an oxidizing gas in a first oxidation treatment is set to 1/10 or less of a partial pressure of an oxidizing gas in a second oxidation treatment, and the second metal layer being irradiated with an ion beam or a RF plasma of a rare gas in the first oxidation treatment.

摘要翻译： 提供了一种用于制造具有磁化钉扎层，磁化自由层和包括布置在磁化钉扎层和磁化自由层之间的绝缘层和穿过绝缘层的电流路径的间隔层的磁阻元件的方法。 该方法包括在制造间隔层时，沉积形成电流路径的第一非磁性金属层，在第一非磁性金属层上沉积待转换成绝缘层的第二金属层，并进行两个阶段的氧化 将第一氧化处理中的氧化气体的分压设定为第二氧化处理中的氧化气体的分压的1/10以下的处理，将第二金属层照射离子束或 RF等离子体中的稀有气体进行第一次氧化处理。

公开(公告)号：US20090162698A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12086761

申请日：2006-12-20

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： B05D3/06

CPC分类号： H01F41/305 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3166 ,  G11B5/398 ,  G11B5/3983 ,  G11B2005/3996 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121

摘要： A magnetoresistive effect element is produced by forming a first magnetic layer, a spacer layer including an insulating layer and a conductive layer which penetrates through the insulating layer and passes a current, on the first magnetic layer, and a second magnetic layer all of which or part of which is treated with ion, plasma or heat, on the formed spacer layer.

摘要翻译： 磁阻效应元件通过在第一磁性层上形成第一磁性层，包括绝缘层的间隔层和穿过绝缘层并传导电流的导电层，以及第二磁性层， 其中一部分用离子，等离子体或热处理，形成间隔层。

公开(公告)号：US20080102315A1

公开(公告)日：2008-05-01

申请号：US11822545

申请日：2007-07-06

申请人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji

发明人： Hideaki Fukuzawa ,  Hiromi Yuasa ,  Yoshihiko Fuji

IPC分类号： G11B5/39 ,  B05D5/12 ,  H05H1/00

CPC分类号： G11B5/3983 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3906 ,  G11B5/398 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/305 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  Y10T428/1121

摘要： In a method for manufacturing a magneto-resistance effect element having a pinned magnetic layer of which a magnetization is fixed substantially in one direction, a free magnetization layer of which a magnetization is rotated in accordance with an external magnetic field and a spacer layer, which is located between the fixed magnetization layer and the free magnetization layer, with an insulating layer and a metallic layer penetrating through the insulating layer, the spacer layer is formed by forming a first metallic layer; forming, on the first metallic layer, a second metallic layer to be converted into a portion of the insulating layer; performing a first conversion treatment so as to convert the second metallic layer into the portion of said insulating layer and to form a portion of the metallic layer penetrating through the insulating layer; forming, on the insulating layer and the metallic layer formed through the first conversion treatment, a third metallic layer to be converted into the other portion of the insulating layer; and performing a second conversion treatment so as to convert the third metallic layer into the other portion of the insulating and to form the other portion of the metallic layer penetrating through the insulating layer.

摘要翻译： 在制造磁阻效应元件的方法中，该磁阻效应元件的磁化强度基本上沿一个方向固定，其中磁化按照外部磁场旋转的自由磁化层和间隔层， 位于固定磁化层和自由磁化层之间，绝缘层和穿过绝缘层的金属层位于隔离层之间，形成第一金属层; 在第一金属层上形成第二金属层，以转化成绝缘层的一部分; 进行第一转换处理，以将第二金属层转换成绝缘层的部分，并形成贯穿绝缘层的金属层的一部分; 在绝缘层和通过第一转换处理形成的金属层上形成将被转换成绝缘层的另一部分的第三金属层; 并进行第二转换处理，以将第三金属层转换成绝缘体的另一部分，并形成贯穿绝缘层的金属层的另一部分。

公开(公告)号：US20070202249A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11703830

申请日：2007-02-08

申请人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

发明人： Hiromi Yuasa ,  Hideaki Fukuzawa ,  Yoshihiko Fuji ,  Hitoshi Iwasaki

IPC分类号： B05D5/12

CPC分类号： G11B5/3909 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3163 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/3259 ,  H01F10/3272 ,  H01F10/3281 ,  H01F41/303 ,  H01F41/325

摘要： A method is for manufacturing a magnetoresistance effect element having a magnetization fixed layer, a non-magnetic intermediate layer, and a magnetization free layer being sequentially stacked. The method includes: forming at least a part of a magnetic layer that is to become either one of the magnetization fixed layer and the magnetization free layer; forming a function layer including at least one of an oxide, a nitride, and a fluoride on the part of the magnetic layer; and removing a part of the function layer by exposing the function layer to either one of an ion beam and plasma irradiation.

摘要翻译： 一种用于制造具有磁化固定层，非磁性中间层和顺序堆叠的无磁化层的磁阻效应元件的方法。 该方法包括：形成要成为磁化固定层和磁化自由层中的任一个的磁性层的至少一部分; 在所述磁性层的一部分上形成包括氧化物，氮化物和氟化物中的至少一种的功能层; 以及通过将功能层暴露于离子束和等离子体照射中的任一种来去除功能层的一部分。