公开(公告)号：US06870751B2

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US10289589

申请日：2002-11-07

申请人： Andrew L. Van Brocklin ,  Peter Fricke

发明人： Andrew L. Van Brocklin ,  Peter Fricke

IPC分类号： G11C13/02 ,  G11C16/02 ,  H01L27/24 ,  G11C17/00

CPC分类号： H01L45/148 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0078 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2436 ,  H01L27/2445 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/141 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144

摘要： Disclosed are improved cross-point array memory devices. In one embodiment, a memory device comprises a cross-point array of memory cells, each memory cell including a storage element and a current concentrating feature that concentrates current applied to the storage element. In another embodiment, a memory device comprises a cross-point array of memory cells, each memory cell including a storage element having a preprogrammed filament fuse configured to be disabled during a write procedure.

摘要翻译： 公开了改进的交叉点阵列存储器件。 在一个实施例中，存储器设备包括存储器单元的交叉点阵列，每个存储器单元包括存储元件和集中于施加到存储元件的电流的电流集中特征。 在另一个实施例中，存储器件包括存储器单元的交叉点阵列，每个存储器单元包括具有被配置为在写入过程期间禁用的预编程灯丝熔丝的存储元件。

公开(公告)号：US20050007808A1

公开(公告)日：2005-01-13

申请号：US10615077

申请日：2003-07-08

申请人： Steven Johnson ,  Peter Fricke ,  Andy Brocklin

发明人： Steven Johnson ,  Peter Fricke ,  Andy Brocklin

IPC分类号： G11C16/04 ,  G11C16/18 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788

CPC分类号： G11C16/18 ,  G11C16/0483 ,  H01L27/115 ,  H01L29/7881

摘要： A system and method for erasing a high-density non-volatile fast memory is presented. In one embodiment the high-density non-volatile fast memory is a modified flash memory having modified flash cells. One embodiment of the system comprises ultra-violet (UV) light windows that permit exposure of the modified flash cells to UV light. The exposure of UV light onto the modified flash cells erases the modified flash cells.

摘要翻译： 提出了一种擦除高密度非易失性快速存储器的系统和方法。 在一个实施例中，高密度非易失性快速存储器是具有修改的闪存单元的改进的闪速存储器。 该系统的一个实施例包括紫外（UV）光窗口，其允许将修改的闪光单元暴露于UV光。 紫外光照射到修改的闪光细胞上将擦除修饰的闪光细胞。

公开(公告)号：US06707698B2

公开(公告)日：2004-03-16

申请号：US10371022

申请日：2003-02-19

申请人： Peter Fricke ,  Andrew L. Van Brocklin

发明人： Peter Fricke ,  Andrew L. Van Brocklin

IPC分类号： G11C1706

CPC分类号： G11C17/16 ,  G11C13/0004 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/06 ,  H01L45/122 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148

摘要： A memory cell has a first and second conductor. The first conductor is oriented in a first direction and the second conductor is oriented in a second direction. The first conductor has at least one edge. A state-change layer is disposed on the first conductor and a control element is partially offset over the at least one edge of the first conductor. The control element is disposed between the first and second conductors. Preferably the state-change layer is a direct-tunneling or dielectric rupture anti-fuse. A memory array can be formed from a plurality of the memory cells. Optionally, creating multiple layers of the memory cells can form a three-dimensional memory array.

摘要翻译： 存储单元具有第一和第二导体。 第一导体沿第一方向定向，第二导体沿第二方向定向。 第一导体具有至少一个边缘。 状态变化层设置在第一导体上，并且控制元件部分地偏移在第一导体的至少一个边缘上。 控制元件设置在第一和第二导体之间。 优选地，状态变化层是直接隧穿或介电破裂反熔丝。 存储器阵列可以由多个存储单元形成。 可选地，创建多层存储器单元可以形成三维存储器阵列。

公开(公告)号：US06605821B1

公开(公告)日：2003-08-12

申请号：US10142494

申请日：2002-05-10

申请人： Heon Lee ,  Dennis Lazaroff ,  Neal Meyer ,  Jim Ellenson ,  Ken Kramer ,  Kurt Ulmer ,  David Pursalan ,  Peter Fricke ,  Andrew Koll ,  Andy Van Brockin

发明人： Heon Lee ,  Dennis Lazaroff ,  Neal Meyer ,  Jim Ellenson ,  Ken Kramer ,  Kurt Ulmer ,  David Pursalan ,  Peter Fricke ,  Andrew Koll ,  Andy Van Brockin

IPC分类号： H01L2902

CPC分类号： H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/90

摘要： The invention includes an electronic memory structure. The electronic memory structure includes a substrate. A substantially planar first conductor is formed adjacent to the substrate. An interconnection layer is formed adjacent to the first conductor. A phase change material element is formed adjacent to the interconnection layer. The interconnection layer includes a conductive interconnect structure extending from the first conductor to the phase change material element. The interconnect structure includes a first surface physically connected to the first conductor. The interconnect structure further includes a second surface attached to the phase change material element. The second surface area of the second surface is substantially smaller than a first surface area of the first surface. A substantially planar second conductor is formed adjacent to the phase change material element.

摘要翻译： 本发明包括电子存储器结构。 电子存储器结构包括基板。 基本上平面的第一导体形成为与基板相邻。 互连层与第一导体相邻地形成。 在互连层附近形成相变材料元件。 互连层包括从第一导体延伸到相变材料元件的导电互连结构。 互连结构包括物理地连接到第一导体的第一表面。 互连结构还包括附接到相变材料元件的第二表面。 第二表面的第二表面积基本上小于第一表面的第一表面积。 形成与相变材料元件相邻的基本平坦的第二导体。

公开(公告)号：US06534841B1

公开(公告)日：2003-03-18

申请号：US10017567

申请日：2001-12-14

申请人： Andrew L. Van Brocklin ,  Kenneth J. Eldredge ,  S. Jonathan Wang ,  Frederick A Perner ,  Peter Fricke

发明人： Andrew L. Van Brocklin ,  Kenneth J. Eldredge ,  S. Jonathan Wang ,  Frederick A Perner ,  Peter Fricke

IPC分类号： H01L2900

CPC分类号： H01L23/5252 ,  H01L27/10 ,  H01L27/1203 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A memory structure has an antifuse material that is unpatterned and sandwiched between each of a plurality of antifuse electrode pairs. The antifuse material is continuous between the antifuse electrode pairs. Furthermore the present invention includes a memory structure comprising a plurality of antifuse electrode pairs forming a plurality of row conductors and a plurality of middle conductors in electrical communication with a plurality of control elements.

摘要翻译： 存储器结构具有未图案化并夹在多个反熔丝电极对中的每一个之间的反熔丝材料。 反熔丝材料在反熔丝电极对之间是连续的。 此外，本发明包括一种存储结构，该存储结构包括形成多个行导体的多个反熔丝电极对以及与多个控制元件电连通的多个中间导体。

公开(公告)号：US06410776B1

公开(公告)日：2002-06-25

申请号：US09647422

申请日：2000-10-04

申请人： Willi Roll ,  Axel Bottcher ,  Walter Napp ,  Peter Fricke

发明人： Willi Roll ,  Axel Bottcher ,  Walter Napp ,  Peter Fricke

IPC分类号： C07C26100

CPC分类号： C08G8/10

摘要： The invention relates to a process for the preparation of resols by reacting phenolic compounds with aldehydes with catalysis by metal salts whose cation can easily be precipitated as low-solubility salts in industrial processes. In this process, a dispersant is added to the reaction mixture comprising phenolic compound, aldehyde and metal salt before, during or after the condensation reaction, and a complexing agent is admixed after the condensation reaction is complete and after the dispersant has been admixed. The resultant resins are transparent even after neutralization using sulphuric acid.

摘要翻译： 本发明涉及一种通过酚类化合物与醛反应制备甲阶酚醛树脂的方法，其催化作用是通过金属盐进行催化，其阳离子可以容易地在工业过程中作为低溶解度盐沉淀。 在该方法中，在缩合反应之前，期间或之后，向包括酚类化合物，醛和金属盐的反应混合物中加入分散剂，并且在缩合反应完成后和分散剂混合后混合络合剂。 所得树脂即使在使用硫酸中和后也是透明的。

公开(公告)号：US20090027755A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US11881215

申请日：2007-07-26

申请人： Joseph Stellbrink ,  Peter Fricke

发明人： Joseph Stellbrink ,  Peter Fricke

IPC分类号： G02F1/01 ,  G09G3/16

CPC分类号： G09G3/34 ,  G02F1/13473 ,  G02F2001/13478 ,  G09G2300/023 ,  G09G2340/0407 ,  G09G2340/06

摘要： A color display including: a stacked plurality of color layers, each layer being selectively reflective or absorptive of light in a different portion of the human visible spectrum; wherein, the layers are each configured as a plurality of independently addressable picture elements, at least some of the picture elements in at least one of the layers are superimposed in the stack over at least some picture elements in at least one other of the layers, and a resolution of the superimposed picture elements in the at least one of the layers is different from the resolution of the superimposed picture elements in the at least one other of the layers.

摘要翻译： 一种彩色显示器，包括：堆叠的多个彩色层，每个层在人类可见光谱的不同部分中选择性反射或吸收光; 其中，所述层各自被配置为多个可独立寻址的图像元素，所述层中的至少一个中的至少一些图像元素叠加在所述层中的至少另一个中的至少一些图像元素中， 并且所述至少一个层中的叠加图像元素的分辨率不同于所述至少另一层中的叠加图像元素的分辨率。

公开(公告)号：US20070085977A1

公开(公告)日：2007-04-19

申请号：US11250068

申请日：2005-10-13

申请人： Peter Fricke ,  Timothy Emmerich ,  Gregory May

发明人： Peter Fricke ,  Timothy Emmerich ,  Gregory May

IPC分类号： G03B21/14 ,  G03B21/56

CPC分类号： G03B21/56

摘要： Embodiments of synchronizing modification of an optical characteristic of a screen are disclosed.

摘要翻译： 公开了对屏幕的光学特性进行同步修改的实施例。

公开(公告)号：US07148088B2

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US10764009

申请日：2004-01-23

申请人： Andrew L Van Brocklin ,  Peter Fricke

发明人： Andrew L Van Brocklin ,  Peter Fricke

IPC分类号： H01L27/115

CPC分类号： H01L27/101

摘要： A memory structure has a plurality of row conductors intersecting a plurality of column conductors at a plurality of intersections. Each intersection includes an electrically linear resistive element in series with a voltage breakdown element.

公开(公告)号：US06967149B2

公开(公告)日：2005-11-22

申请号：US10718137

申请日：2003-11-20

申请人： Neal W. Meyer ,  Andrew L. Van Brocklin ,  Peter Fricke ,  Warren Jackson ,  Kenneth James Eldredge

发明人： Neal W. Meyer ,  Andrew L. Van Brocklin ,  Peter Fricke ,  Warren Jackson ,  Kenneth James Eldredge

IPC分类号： H01L27/10 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/12 ,  H01L21/30

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/2007

摘要： Apparatus and method for making a multi-layered storage structure includes forming a device layer on a single-crystal wafer, cleaving the device layer from the wafer, repeating the forming and cleaving to provide a plurality of cleaved device layers, and bonding the cleaved device layers together to form the multi-layered storage structure.

摘要翻译： 用于制造多层存储结构的装置和方法包括在单晶晶片上形成器件层，从晶片切割器件层，重复形成和切割以提供多个切割的器件层，以及将切割的器件 层叠在一起形成多层存储结构。