公开(公告)号：US08232613B2

公开(公告)日：2012-07-31

申请号：US12926227

申请日：2010-11-03

申请人： Chang-wook Moon ,  Hyun-deok Yang ,  Joong S. Jeon ,  Hwa-sung Rhee ,  Nae-in Lee ,  Weiwei Chen

发明人： Chang-wook Moon ,  Hyun-deok Yang ,  Joong S. Jeon ,  Hwa-sung Rhee ,  Nae-in Lee ,  Weiwei Chen

IPC分类号： H01L31/119

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

摘要： Example embodiments relate to a method of forming a germanium (Ge) silicide layer, a semiconductor device including the Ge silicide layer, and a method of manufacturing the semiconductor device. A method of forming a Ge silicide layer according to example embodiments may include forming a metal layer including vanadium (V) on a silicon germanium (SiGe) layer. The metal layer may have a multiple-layer structure and may further include at least one of platinum (Pt) and nickel (Ni). The metal layer may be annealed to form the germanium silicide layer. The annealing may be performed using a laser spike annealing (LSA) method.

摘要翻译： 示例性实施例涉及形成锗（锗）硅化物层的方法，包括锗硅化物层的半导体器件以及制造半导体器件的方法。 根据示例性实施方案的形成锗硅化物层的方法可以包括在硅锗（SiGe）层上形成包括钒（V）的金属层。 金属层可以具有多层结构，并且还可以包括铂（Pt）和镍（Ni）中的至少一种。 金属层可以退火以形成硅化锗层。 可以使用激光尖峰退火（LSA）方法进行退火。

公开(公告)号：US06333630B1

公开(公告)日：2001-12-25

申请号：US09568124

申请日：2000-05-10

申请人： Ronald F. Holsinger ,  Kang-suk Lee ,  Chi-woong Mun ,  Chang-wook Moon ,  Jung-hoe Kim ,  Sang-bok Nam

发明人： Ronald F. Holsinger ,  Kang-suk Lee ,  Chi-woong Mun ,  Chang-wook Moon ,  Jung-hoe Kim ,  Sang-bok Nam

IPC分类号： G01V300

CPC分类号： G01R33/3806 ,  G01R33/383

摘要： A magnetic field generating apparatus for a magnetic resonance imaging (MRI) system adopting a C-shaped open magnet support structure includes a pair of polygonal permanent magnets disposed parallel to each other in the horizontal plane, with a predetermined imaging area therebetween; a pair of polygonal magnetic pole plates, stacked to face each other on the inner sides of the pair of permanent magnets, respectively; a pair of yokes to which the permanent magnets are fixed; at least one column for connecting the two yokes at one ends thereof with the imaging area being interposed between the yokes, wherein the at least one column together with the pair of yokes forms a closed path of the magnetic field; shims disposed at the vertexes of the polygonal magnetic pole plates, the shims having a polygonal shape, wherein the shims of one of the polygonal magnetic pole plates face those of the other polygonal magnetic pole plate; peripheral permanent magnets disposed along the edges of the polygonal magnetic pole plates, wherein the peripheral permanent magnets of one of the polygonal magnetic pole plates face those of the other polygonal magnetic pole plate; and booster shims arranged in the spaces between adjacent peripheral permanent magnets disposed at the vertexes of the polygonal magnetic pole plates.

摘要翻译： 采用C形开放磁体支撑结构的磁共振成像（MRI）系统的磁场产生装置包括在水平面上彼此平行设置的一对多边形永久磁铁，其间具有预定的成像区域; 一对多边形磁极板，分别在所述一对永磁体的内侧面彼此相对地堆叠; 固定有永磁体的一对轭铁; 至少一个列，用于在其一端连接两个轭，其中所述成像区被插入在所述轭之间，其中所述至少一个列与所述一对轭形成所述磁场的闭合路径; 垫片设置在多边形磁极板的顶点处，垫片具有多边形形状，其中多边形磁极板之一的垫片面对另一个多边形磁极板的垫片; 沿着所述多边形磁极板的边缘设置的外围永磁体，其中所述多边形磁极板之一的外围永久磁铁与所述另一个多边形磁极板的周边永磁体相对; 以及设置在设置在多边形磁极板的顶点处的相邻外围永磁体之间的空间中的增压垫片。

公开(公告)号：US20080191261A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11980346

申请日：2007-10-31

申请人： Chang-wook Moon ,  Joong S. Jeon ,  El Mostafa Bourim ,  Hyun-deok Yang

发明人： Chang-wook Moon ,  Joong S. Jeon ,  El Mostafa Bourim ,  Hyun-deok Yang

IPC分类号： H01L29/76 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/957 ,  Y10S438/958 ,  Y10S977/735 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/943

摘要： Example embodiments may provide nonvolatile memory devices and example methods of fabricating nonvolatile memory devices. Example embodiment nonvolatile memory devices may include a switching device on a substrate and/or a storage node electrically connected to the switching device. A storage node may include a lower metal layer electrically connected to the switching device, a first insulating layer, a middle metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, a carbon nanotube layer, and/or a passivation layer stacked on the lower metal layer.

摘要翻译： 示例性实施例可以提供非易失性存储器件和制造非易失性存储器件的示例性方法。 示例性实施例非易失性存储器件可以包括电连接到开关器件的衬底和/或存储节点上的开关器件。 存储节点可以包括电连接到开关装置的下金属层，堆叠在开关装置上的第一绝缘层，中间金属层，第二绝缘层，上金属层，碳纳米管层和/或钝化层 下层金属层。

公开(公告)号：US20070138940A1

公开(公告)日：2007-06-21

申请号：US11543848

申请日：2006-10-06

申请人： Chang-wook Moon ,  Sang-mock Lee ,  El Mostafa Bourim ,  Seung-woon Lee ,  Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho

发明人： Chang-wook Moon ,  Sang-mock Lee ,  El Mostafa Bourim ,  Seung-woon Lee ,  Eun-hong Lee ,  Choong-rae Cho

IPC分类号： H01J63/04 ,  H01J1/62

CPC分类号： H01J1/312 ,  B82Y10/00 ,  H01J29/04 ,  H01J31/127 ,  H01J2201/3125

摘要： Provided are a surface electron emission device and a display device having the same. The surface electron emission device may include a lower electrode, an insulating layer, and an upper electrode sequentially stacked, and a nano structure layer formed on the upper electrode.

摘要翻译： 提供一种表面电子发射装置和具有该表面电子发射装置的显示装置。 表面电子发射器件可以包括顺序堆叠的下电极，绝缘层和上电极，以及形成在上电极上的纳米结构层。

公开(公告)号：US20110117735A1

公开(公告)日：2011-05-19

申请号：US12929122

申请日：2011-01-03

申请人： Chang-wook Moon ,  Joong S. Jeon ,  El Mostafa Bourim ,  Hyun-deok Yang

发明人： Chang-wook Moon ,  Joong S. Jeon ,  El Mostafa Bourim ,  Hyun-deok Yang

IPC分类号： H01L21/28 ,  B82Y40/00

CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/12 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1675 ,  Y10S438/957 ,  Y10S438/958 ,  Y10S977/735 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/943

摘要： Nonvolatile memory devices may be fabricated to include a switching device on a substrate and/or a storage node electrically connected to the switching device. A storage node may include a lower metal layer electrically connected to the switching device, a first insulating layer, a middle metal layer, a second insulating layer, an upper metal layer, a carbon nanotube layer, and/or a passivation layer stacked on the lower metal layer.

摘要翻译： 可以制造非易失性存储器件，以在电连接到开关器件的衬底和/或存储节点上包括开关器件。 存储节点可以包括电连接到开关装置的下金属层，堆叠在开关装置上的第一绝缘层，中间金属层，第二绝缘层，上金属层，碳纳米管层和/或钝化层 下层金属层。

公开(公告)号：US20110049587A1

公开(公告)日：2011-03-03

申请号：US12926227

申请日：2010-11-03

申请人： Chang-wook Moon ,  Hyun-deok Yang ,  Joong S. Jeon ,  Hwa-sung Rhee ,  Nae-in Lee ,  Weiwei Chen

发明人： Chang-wook Moon ,  Hyun-deok Yang ,  Joong S. Jeon ,  Hwa-sung Rhee ,  Nae-in Lee ,  Weiwei Chen

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

摘要： Example embodiments relate to a method of forming a germanium (Ge) silicide layer, a semiconductor device including the Ge silicide layer, and a method of manufacturing the semiconductor device. A method of forming a Ge silicide layer according to example embodiments may include forming a metal layer including vanadium (V) on a silicon germanium (SiGe) layer. The metal layer may have a multiple-layer structure and may further include at least one of platinum (Pt) and nickel (Ni). The metal layer may be annealed to form the germanium silicide layer. The annealing may be performed using a laser spike annealing (LSA) method.

摘要翻译： 示例性实施例涉及形成锗（锗）硅化物层的方法，包括锗硅化物层的半导体器件以及制造半导体器件的方法。 根据示例性实施方案的形成锗硅化物层的方法可以包括在硅锗（SiGe）层上形成包括钒（V）的金属层。 金属层可以具有多层结构，并且还可以包括铂（Pt）和镍（Ni）中的至少一种。 金属层可以退火以形成硅化锗层。 可以使用激光尖峰退火（LSA）方法进行退火。

公开(公告)号：US20090146183A1

公开(公告)日：2009-06-11

申请号：US12078750

申请日：2008-04-04

申请人： Chang-wook Moon ,  Hyun-deok Yang ,  Joong S. Jeon ,  Hwa-sung Rhee ,  Nae-in Lee ,  Weiwei Chen

发明人： Chang-wook Moon ,  Hyun-deok Yang ,  Joong S. Jeon ,  Hwa-sung Rhee ,  Nae-in Lee ,  Weiwei Chen

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/20 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L21/28518 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/78

摘要： Example embodiments relate to a method of forming a germanium (Ge) silicide layer, a semiconductor device including the Ge silicide layer, and a method of manufacturing the semiconductor device. A method of forming a Ge silicide layer according to example embodiments may include forming a metal layer including vanadium (V) on a silicon germanium (SiGe) layer. The metal layer may have a multiple-layer structure and may further include at least one of platinum (Pt) and nickel (Ni). The metal layer may be annealed to form the germanium silicide layer. The annealing may be performed using a laser spike annealing (LSA) method.

摘要翻译： 示例性实施例涉及形成锗（锗）硅化物层的方法，包括锗硅化物层的半导体器件以及制造半导体器件的方法。 根据示例性实施方案的形成锗硅化物层的方法可以包括在硅锗（SiGe）层上形成包括钒（V）的金属层。 金属层可以具有多层结构，并且还可以包括铂（Pt）和镍（Ni）中的至少一种。 金属层可以退火以形成硅化锗层。 可以使用激光尖峰退火（LSA）方法进行退火。

公开(公告)号：US20080272366A1

公开(公告)日：2008-11-06

申请号：US12010806

申请日：2008-01-30

申请人： Chang-wook Moon ,  Joong S. Jeon ,  Jung-hyun Lee ,  Nae-in Lee ,  Yeon-sik Park ,  Hwa-sung Rhee ,  Ho Lee ,  Se-young Cho ,  Suk-pil Kim

发明人： Chang-wook Moon ,  Joong S. Jeon ,  Jung-hyun Lee ,  Nae-in Lee ,  Yeon-sik Park ,  Hwa-sung Rhee ,  Ho Lee ,  Se-young Cho ,  Suk-pil Kim

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66439 ,  B82Y10/00 ,  B82Y15/00 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02365 ,  H01L21/02601 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0669 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7839 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696 ,  H01L51/426 ,  H01L2221/1094

摘要： A field effect transistor having at least one Ge nanorod and a method of manufacturing the field effect transistor are provided. The field effect transistor may include a gate oxide layer formed on a silicon substrate, at least one nanorod embedded in the gate oxide layer having both ends thereof exposed, a source electrode and a drain electrode connected to opposite sides of the at least one Ge nanorod, and a gate electrode formed on the gate oxide layer between the source electrode and the drain electrode.

摘要翻译： 提供具有至少一个Ge纳米棒的场效应晶体管和制造场效应晶体管的方法。 场效应晶体管可以包括形成在硅衬底上的栅氧化层，至少一个纳米棒嵌入在其两端被暴露的栅极氧化层中，源电极和漏极连接到至少一个Ge纳米棒的相对侧 以及形成在源电极和漏电极之间的栅氧化层上的栅电极。

公开(公告)号：US07189981B2

公开(公告)日：2007-03-13

申请号：US11205148

申请日：2005-08-17

申请人： Chang-wook Moon ,  Sidorkin Vadim ,  Chang-hoon Choi

发明人： Chang-wook Moon ,  Sidorkin Vadim ,  Chang-hoon Choi

IPC分类号： H01J37/302 ,  H01J1/30

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31793

摘要： A method for projecting a predetermined pattern of an electron beam from an emitter to a wafer in a vacuum chamber of an electron-beam lithography system is provided. An initial condition for performing an electromagnetic focusing is first set and outspread phenomenon of the electron beam, which is caused by an initial emitting velocity difference and an initial emitting angle difference between electrons emitted from the emitter, is corrected. Then, a shift of the electron beam, which is caused when an electric field is not in parallel with a magnetic field, is corrected and a shift of the electron beam, which is caused by a gradient of the magnetic field, is corrected, after which an increase of a beam diameter of the electron beam, which is caused by Coulomb-interaction between the electrons emitted from the emitter, is corrected. Then, it is determined if a focusing error is within a range of an allowable error. When it is determined the focusing error is out of the range of the allowable error, the above operations are repeated.

摘要翻译： 提供了一种在电子束光刻系统的真空室中将来自发射极的电子束的预定图案投影到晶片的方法。 首先设置用于执行电磁聚焦的初始条件，并校正由初始发射速度差和从发射器发射的电子之间的初始发射角差引起的电子束的扩展现象。 然后，校正当电场不与磁场平行时引起的电子束的偏移，并且由磁场的梯度引起的电子束的偏移被校正 校正了从发射极发射的电子之间的库仑相互作用引起的电子束的光束直径的增加。 然后，确定聚焦误差是否在允许误差的范围内。 当确定聚焦误差在允许误差的范围之外时，重复上述操作。

公开(公告)号：US20060151720A1

公开(公告)日：2006-07-13

申请号：US11205148

申请日：2005-08-17

申请人： Chang-wook Moon ,  Sidorkin Vadim ,  Chang-hoon Choi

发明人： Chang-wook Moon ,  Sidorkin Vadim ,  Chang-hoon Choi

IPC分类号： H01J37/302

CPC分类号： B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01J37/3174 ,  H01J2237/31793

摘要： A method for projecting a predetermined pattern of an electron beam from an emitter to a wafer in a vacuum chamber of an electron-beam lithography system is provided. An initial condition for performing an electromagnetic focusing is first set and outspread phenomenon of the electron beam, which is caused by an initial emitting velocity difference and an initial emitting angle difference between electrons emitted from the emitter, is corrected. Then, a shift of the electron beam, which is caused when an electric field is not in parallel with a magnetic field, is corrected and a shift of the electron beam, which is caused by a gradient of the magnetic field, is corrected, after which an increase of a beam diameter of the electron beam, which is caused by Coulomb-interaction between the electrons emitted from the emitter, is corrected. Then, it is determined if a focusing error is within a range of an allowable error. When it is determined the focusing error is out of the range of the allowable error, the above operations are repeated.

摘要翻译： 提供了一种在电子束光刻系统的真空室中将来自发射极的电子束的预定图案投影到晶片的方法。 首先设置用于执行电磁聚焦的初始条件，并校正由初始发射速度差和从发射器发射的电子之间的初始发射角差引起的电子束的扩展现象。 然后，校正当电场不与磁场平行时引起的电子束的偏移，并且由磁场的梯度引起的电子束的偏移被校正 校正了从发射极发射的电子之间的库仑相互作用引起的电子束的光束直径的增加。 然后，确定聚焦误差是否在允许误差的范围内。 当确定聚焦误差在允许误差的范围之外时，重复上述操作。