公开(公告)号：US20100142281A1

公开(公告)日：2010-06-10

申请号：US12575735

申请日：2009-10-08

申请人： Han Woong Yoo ,  Seung-Hwan Song ,  Junjin Kong ,  Heeseok Eun

发明人： Han Woong Yoo ,  Seung-Hwan Song ,  Junjin Kong ,  Heeseok Eun

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5628 ,  G11C2211/5621

摘要： Disclosed is a program method of a non-volatile memory device which comprises classifying plural memory cells into aggressor cells and victim cells based on program data to be written in the plural memory cells; and programming the aggressor cells by a program manner different from the victim cells.

摘要翻译： 本发明公开了一种非易失性存储器件的程序方法，该方法包括：根据要写入多个存储器单元的程序数据，将多个存储单元分为侵略单元和受害单元; 并且通过与受害细胞不同的程序方式对攻击者细胞进行编程。

公开(公告)号：US08595601B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13011279

申请日：2011-01-21

申请人： Yong June Kim ,  Junjin Kong ,  KyoungLae Cho

发明人： Yong June Kim ,  Junjin Kong ,  KyoungLae Cho

IPC分类号： H03M13/00

CPC分类号： G06F11/1072 ,  G06F11/1048 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3404 ,  G11C16/349

摘要： Methods of operating nonvolatile memory devices include testing a plurality of strings of nonvolatile memory cells in the memory device to identify at least one weak string therein having a higher probability of yielding erroneous read data error relative to other ones of the plurality of strings. An identity of the at least one weak string may be stored as weak column information. This weak column information may be used to facilitate error detection and correction operations. In particular, an error correction operation may be performed on a first plurality of bits of data read from the plurality of strings using an algorithm that modifies a weighting of the reliability of one or more data bits in the first plurality of bits of data based on the weak column information. More specifically, an algorithm may be used that interprets a bit of data read from the at least one weak string as having a relatively reduced reliability relative to other ones of the first plurality of data bits.

摘要翻译： 操作非易失性存储器设备的方法包括测试存储器件中的多个非易失性存储单元串，以识别其中具有相对于多个字符串中的其他字符串产生错误读取数据错误的较高概率的至少一个弱字符串。 至少一个弱字符串的身份可以存储为弱列信息。 该弱列信息可以用于促进错误检测和校正操作。 特别地，可以使用这样的算法对从多个串读取的数据的第一多个位进行纠错操作，所述算法基于在第一多个数据位中修改一个或多个数据位的可靠性的加权，该算法基于 弱列信息。 更具体地，可以使用一种算法，其将从至少一个弱串读取的数据位解释为相对于第一多个数据位中的其他数据位具有相对降低的可靠性。

公开(公告)号：US20110209031A1

公开(公告)日：2011-08-25

申请号：US13011279

申请日：2011-01-21

申请人： Yong June Kim ,  Junjin Kong ,  KyoungLae Cho

发明人： Yong June Kim ,  Junjin Kong ,  KyoungLae Cho

IPC分类号： H03M13/05 ,  G11C16/06 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1072 ,  G06F11/1048 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3404 ,  G11C16/349

摘要： Methods of operating nonvolatile memory devices include testing a plurality of strings of nonvolatile memory cells in the memory device to identify at least one weak string therein having a higher probability of yielding erroneous read data error relative to other ones of the plurality of strings. An identity of the at least one weak string may be stored as weak column information. This weak column information may be used to facilitate error detection and correction operations. In particular, an error correction operation may be performed on a first plurality of bits of data read from the plurality of strings using an algorithm that modifies a weighting of the reliability of one or more data bits in the first plurality of bits of data based on the weak column information. More specifically, an algorithm may be used that interprets a bit of data read from the at least one weak string as having a relatively reduced reliability relative to other ones of the first plurality of data bits.

摘要翻译： 操作非易失性存储器设备的方法包括测试存储器件中的多个非易失性存储单元串，以识别其中具有相对于多个字符串中的其他字符串产生错误读取数据错误的较高概率的至少一个弱字符串。 至少一个弱字符串的身份可以存储为弱列信息。 该弱列信息可以用于促进错误检测和校正操作。 特别地，可以使用这样的算法对从多个串读取的数据的第一多个位进行纠错操作，所述算法基于在第一多个数据位中修改一个或多个数据位的可靠性的加权，该算法基于 弱列信息。 更具体地，可以使用一种算法，其将从至少一个弱串读取的数据位解释为相对于第一多个数据位中的其他数据位具有相对降低的可靠性。

公开(公告)号：US08891300B2

公开(公告)日：2014-11-18

申请号：US13746640

申请日：2013-01-22

申请人： Eun Chu Oh ,  Jaehong Kim ,  Jongha Kim ,  Junjin Kong

发明人： Eun Chu Oh ,  Jaehong Kim ,  Jongha Kim ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/04 ,  G06F12/02 ,  G11C11/56 ,  G11C16/10 ,  H01L27/115

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G11C11/5628 ,  G11C16/0483 ,  G11C16/10 ,  G11C2211/5641 ,  G11C2211/5646 ,  H01L27/11582

摘要： In one embodiment, the method includes overwriting a memory cell storing m-bit data to store n-bit data, where n is less than or equal to m. The memory cell has one of a first plurality of program states when storing the m-bit data, and the memory cell has one of a second plurality of program states when storing the n-bit data. The second plurality of program states include at least one program state not in the first plurality of program states.

摘要翻译： 在一个实施例中，该方法包括重写存储m位数据以存储n位数据的存储单元，其中n小于或等于m。 当存储m位数据时，存储单元具有第一多个程序状态之一，并且当存储n位数据时存储单元具有第二多个程序状态之一。 第二多个程序状态包括不在第一多个程序状态中的至少一个程序状态。

公开(公告)号：US08351256B2

公开(公告)日：2013-01-08

申请号：US12821654

申请日：2010-06-23

申请人： Hong Rak Son ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

发明人： Hong Rak Son ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C11/34

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G06F11/1072

摘要： A memory system and a nonvolatile memory device therein are disclosed. The memory system comprises a memory device outputting a plurality of analog signals during a read operation, a converter to convert the plurality of analog signals into binary data, and a memory controller to operate an error correction operation on the binary data. The error correction operation uses a soft decision algorithm.

摘要翻译： 公开了一种其中的存储器系统和非易失性存储器件。 存储器系统包括在读取操作期间输出多个模拟信号的存储器件，将多个模拟信号转换为二进制数据的转换器以及用于对二进制数据进行纠错操作的存储器控​​制器。 纠错操作使用软判决算法。

公开(公告)号：US08321760B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12702353

申请日：2010-02-09

申请人： Hong Rak Son ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim

发明人： Hong Rak Son ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim

IPC分类号： G11C29/00

CPC分类号： G06F11/1072

摘要： Provided are a semiconductor memory device and a data processing method thereof. The semiconductor memory device includes a nonvolatile memory and a memory controller. The nonvolatile memory stores data a plurality of memory cells. The memory controller rearranges data by various operations such as a modulation code operation and processes the data according to an ECC operation to reduce the interference between the memory cells.

摘要翻译： 提供半导体存储器件及其数据处理方法。 半导体存储器件包括非易失性存储器和存储器控制器。 非易失性存储器将数据存储在多个存储单元中。 存储器控制器通过诸如调制码操作的各种操作重新排列数据，并根据ECC操作处理数据以减少存储器单元之间的干扰。

公开(公告)号：US08310876B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US12662103

申请日：2010-03-31

申请人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

发明人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  G11C2211/5648

摘要： Methods of accessing storage devices. The methods include rearranging a writing order of continuous first and second data according to a reading order, and writing the first and second data in a first and second storage region of the storage device, respectively, according to the writing order. The reading order reads the second storage region first that provides interference on the first storage region.

摘要翻译： 访问存储设备的方法 这些方法包括根据读取顺序重新排列连续的第一和第二数据的写入顺序，以及根据写入顺序将第一和第二数据分别写入存储装置的第一和第二存储区域。 读取顺序首先读取在第一存储区域上提供干扰的第二存储区域。

公开(公告)号：US20110032758A1

公开(公告)日：2011-02-10

申请号：US12821654

申请日：2010-06-23

申请人： Hong Rak Son ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

发明人： Hong Rak Son ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/04

CPC分类号： G11C11/5642 ,  G06F11/1072

摘要： A memory system and a nonvolatile memory device therein are disclosed. The memory system comprises a memory device outputting a plurality of analog signals during a read operation, a converter to convert the plurality of analog signals into binary data, and a memory controller to operate an error correction operation on the binary data. The error correction operation uses a soft decision algorithm.

摘要翻译： 公开了一种其中的存储器系统和非易失性存储器件。 存储器系统包括在读取操作期间输出多个模拟信号的存储器件，将多个模拟信号转换为二进制数据的转换器以及用于对二进制数据进行纠错操作的存储器控​​制器。 纠错操作使用软判决算法。

公开(公告)号：US20100265764A1

公开(公告)日：2010-10-21

申请号：US12662103

申请日：2010-03-31

申请人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

发明人： Han Woong Yoo ,  Jaehong Kim ,  Junjin Kong

IPC分类号： G11C16/02

CPC分类号： G11C16/10 ,  G11C11/5628 ,  G11C11/5642 ,  G11C16/3418 ,  G11C16/3427 ,  G11C2211/5648

摘要： Methods of accessing storage devices. The methods include rearranging a writing order of continuous first and second data according to a reading order, and writing the first and second data in a first and second storage region of the storage device, respectively, according to the writing order. The reading order reads the second storage region first that provides interference on the first storage region.

摘要翻译： 访问存储设备的方法 这些方法包括根据读取顺序重新排列连续的第一和第二数据的写入顺序，以及根据写入顺序将第一和第二数据分别写入存储装置的第一和第二存储区域。 读取顺序首先读取在第一存储区域上提供干扰的第二存储区域。

公开(公告)号：US20100223530A1

公开(公告)日：2010-09-02

申请号：US12702353

申请日：2010-02-09

申请人： Hong Rak Son ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim

发明人： Hong Rak Son ,  Junjin Kong ,  Jaehong Kim

IPC分类号： H03M13/05 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F11/1072

摘要： Provided are a semiconductor memory device and a data processing method thereof. The semiconductor memory device includes a nonvolatile memory and a memory controller. The nonvolatile memory stores data a plurality of memory cells. The memory controller rearranges data by various operations such as a modulation code operation and processes the data according to an ECC operation to reduce the interference between the memory cells.

摘要翻译： 提供半导体存储器件及其数据处理方法。 半导体存储器件包括非易失性存储器和存储器控制器。 非易失性存储器将数据存储在多个存储单元中。 存储器控制器通过诸如调制码操作的各种操作重新排列数据，并根据ECC操作处理数据以减少存储器单元之间的干扰。