公开(公告)号：US20080265414A1

公开(公告)日：2008-10-30

申请号：US11988183

申请日：2006-07-03

申请人： Peter Kian-Hoon Ho ,  Lay-Lay Chua ,  Sankaran Sivaramakrishnan ,  Perq-Jon Chia

发明人： Peter Kian-Hoon Ho ,  Lay-Lay Chua ,  Sankaran Sivaramakrishnan ,  Perq-Jon Chia

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01B1/12 ,  B05D5/12

CPC分类号： H01B1/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： The present invention provides a conductive composite comprising: suspension matrix, metal nanoparticles suspended within the suspension matrix, wherein the conductive composite has a conductivity greater than 104 S cm−1.

摘要翻译： 本发明提供了一种导电复合材料，其包括：悬浮基质，悬浮在悬浮基质内的金属纳米颗粒，其中导电复合材料的导电率大于104Scm -1。

公开(公告)号：US20050255692A1

公开(公告)日：2005-11-17

申请号：US11184232

申请日：2005-07-19

申请人： Yang Yang ,  Chun-Ting Liu ,  Rose Kopf ,  Chen-Jung Chen ,  Lay-Lay Chua

发明人： Yang Yang ,  Chun-Ting Liu ,  Rose Kopf ,  Chen-Jung Chen ,  Lay-Lay Chua

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/3185 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/31612 ,  H01L28/65

摘要： The present invention provides a method for adhering dielectric layers to metals, in particular inert metals, using an adhesive layer comprising silicon-rich silicon nitride. Good adhesion is achieved at temperatures of less than 300° C., thereby facilitating the fabrication of semiconductor structures containing II-VI and III-V semiconductors.

摘要翻译： 本发明提供一种使用包含富硅氮化硅的粘合剂层将电介质层粘附到金属，特别是惰性金属的方法。 在低于300℃的温度下实现良好的附着力，从而有助于制造含有II-VI和III-V半导体的半导体结构。

公开(公告)号：US06610599B1

公开(公告)日：2003-08-26

申请号：US10175459

申请日：2002-06-19

申请人： Lay-Lay Chua ,  Chun-Ting Liu ,  Yang Yang

发明人： Lay-Lay Chua ,  Chun-Ting Liu ,  Yang Yang

IPC分类号： H01L2144

CPC分类号： H01L21/02063 ,  C11D3/3947 ,  C11D7/10 ,  C11D11/0047 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/76814

摘要： A method for making an ICD or MEOD structure includes dry etching a structure to produce one or more via holes in an upper layer of the structure. The dry etching step stops on a metal layer that underlies the upper layer in the structure. The method also includes cleaning the dry etched structure with an aqueous solution that includes hydrogen peroxide and either an ammonium salt or an amine salt.

摘要翻译： 制造ICD或MEOD结构的方法包括干式蚀刻结构以在该结构的上层中产生一个或多个通孔。 干蚀刻步骤停止在结构中的上层下方的金属层上。 该方法还包括用包含过氧化氢和铵盐或胺盐的水溶液清洗干蚀刻结构。

公开(公告)号：US08105745B2

公开(公告)日：2012-01-31

申请号：US11994565

申请日：2006-07-04

申请人： Peter Kian-Hoon Ho ,  Lay-Lay Chua ,  Siong-Hee Khong ,  Sankaran Sivaramakrishnan ,  Perq-Jon Chia

发明人： Peter Kian-Hoon Ho ,  Lay-Lay Chua ,  Siong-Hee Khong ,  Sankaran Sivaramakrishnan ,  Perq-Jon Chia

IPC分类号： G03F7/012 ,  C07C247/18

CPC分类号： C07C247/16 ,  C07C247/18 ,  G03F7/038

摘要： There is provided a class of crosslinking compound, said compound comprising (i) one or more fluorinated aromatic group; and (ii) one or more ionizable group, wherein the crosslinking compound is soluble in at least one polar solvent. Methods of preparing the crosslinking compounds are also disclosed. There is further provided devices obtainable from the methods of preparing the crosslinking compounds.

摘要翻译： 提供一类交联化合物，所述化合物包含（i）一种或多种氟化芳族基团; 和（ii）一个或多个可离子化基团，其中所述交联化合物可溶于至少一种极性溶剂。 还公开了制备交联化合物的方法。 进一步提供可从制备交联化合物的方法获得的装置。

公开(公告)号：US20090029536A1

公开(公告)日：2009-01-29

申请号：US12286239

申请日：2008-09-29

申请人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

发明人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

IPC分类号： H01L21/425

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/7371

摘要： A method for fabricating a bipolar transistor includes forming a vertical sequence of semiconductor layers, forming an implant mask on the last formed semiconductor layer, and implanting dopant ions into a portion of one or more of the semiconductor layers. The sequence of semiconductor layers includes a collector layer, a base layer that is in contact with the collector layer, and an emitter layer that is in contact with the base layer. The implanting uses a process in which the implant mask stops dopant ions from penetrating into a portion of the sequence of layers.

公开(公告)号：US20080283825A1

公开(公告)日：2008-11-20

申请号：US11547269

申请日：2005-04-05

申请人： Lay-Lay Chua ,  Peter Kian-Hoon Ho ,  Richard Henry Friend

发明人： Lay-Lay Chua ,  Peter Kian-Hoon Ho ,  Richard Henry Friend

IPC分类号： H01L51/05

CPC分类号： H01L51/0508 ,  H01L27/283 ,  H01L51/0512 ,  H01L51/0554

摘要： A field effect transistor device comprising: a source electrode; a drain electrode; a semiconductive region comprising an organic semiconductor material and defining a channel of the device between the source electrode and the drain electrode; a first gate structure comprising a first gate electrode and a first dielectric region located between the first gate electrode and the semiconductive region; and a second gate structure comprising a second gate electrode and a second dielectric region located between the second gate electrode and the semiconductive region; whereby the conductance of the semiconductor region in the channel can be influenced by potentials applied separately or to both the first gate electrode and the second gate electrode.

摘要翻译： 一种场效应晶体管器件，包括：源电极; 漏电极; 半导体区域，包括有机半导体材料，并且限定所述源电极和所述漏电极之间的所述器件的沟道; 第一栅极结构，包括位于第一栅极电极和半导体区域之间的第一栅极电极和第一电介质区域; 以及第二栅极结构，其包括位于所述第二栅极电极和所述半导体区域之间的第二栅电极和第二电介质区域; 由此沟道中的半导体区域的电导可以受单独施加的电位或第一栅极电极和第二栅极电极的影响。

公开(公告)号：US06911716B2

公开(公告)日：2005-06-28

申请号：US10243369

申请日：2002-09-13

申请人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

发明人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L29/737 ,  H01L27/082

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/7371

摘要： A method for fabricating a bipolar transistor includes forming a vertical sequence of semiconductor layers, forming an implant mask on the last formed semiconductor layer, and implanting dopant ions into a portion of one or more of the semiconductor layers. The sequence of semiconductor layers includes a collector layer, a base layer that is in contact with the collector layer, and an emitter layer that is in contact with the base layer. The implanting uses a process in which the implant mask stops dopant ions from penetrating into a portion of the sequence of layers.

摘要翻译： 一种用于制造双极晶体管的方法，包括形成垂直的半导体层序列，在最后形成的半导体层上形成注入掩模，以及将掺杂离子注入到一个或多个半导体层的一部分中。 半导体层的序列包括集电极层，与集电极层接触的基极层和与基极层接触的发射极层。 植入使用其中植入掩模阻止掺杂剂离子渗入层序列的一部分的过程。

公开(公告)号：US07595249B2

公开(公告)日：2009-09-29

申请号：US12286239

申请日：2008-09-29

申请人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

发明人： Young-Kai Chen ,  Lay-Lay Chua ,  Vincent Etienne Houtsma ,  Rose Fasano Kopf ,  Andreas Leven ,  Chun-Ting Liu ,  Wei-Jer Sung ,  Yang Yang

IPC分类号： H01L21/331 ,  H01L21/8222

CPC分类号： H01L29/66318 ,  H01L29/7371

摘要： A method for fabricating a bipolar transistor includes forming a vertical sequence of semiconductor layers, forming an implant mask on the last formed semiconductor layer, and implanting dopant ions into a portion of one or more of the semiconductor layers. The sequence of semiconductor layers includes a collector layer, a base layer that is in contact with the collector layer, and an emitter layer that is in contact with the base layer. The implanting uses a process in which the implant mask stops dopant ions from penetrating into a portion of the sequence of layers.

摘要翻译： 一种用于制造双极晶体管的方法，包括形成垂直的半导体层序列，在最后形成的半导体层上形成注入掩模，以及将掺杂离子注入到一个或多个半导体层的一部分中。 半导体层的序列包括集电极层，与集电极层接触的基极层和与基极层接触的发射极层。 植入使用其中植入掩模阻止掺杂剂离子渗入层序列的一部分的过程。