公开(公告)号：US20100151669A1

公开(公告)日：2010-06-17

申请号：US12713432

申请日：2010-02-26

申请人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Mark Bohr ,  Anand S. Murthy

发明人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Mark Bohr ,  Anand S. Murthy

IPC分类号： H01L21/28

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

摘要： A gate structure may be utilized as a mask to form source and drain regions. Then the gate structure may be removed to form a gap and spacers may be formed in the gap to define a trench. In the process of forming a trench into the substrate, a portion of the source drain region is removed. Then the substrate is filled back up with an epitaxial material and a new gate structure is formed thereover. As a result, more abrupt source drain junctions may be achieved.

摘要翻译： 栅极结构可以用作掩模以形成源区和漏区。 然后可以去除栅极结构以形成间隙，并且可以在间隙中形成间隔物以限定沟槽。 在将沟槽形成衬底的过程中，去除源极漏极区的一部分。 然后用外延材料填充衬底，并在其上形成新的栅极结构。 结果，可以实现更突然的源极漏极结。

公开(公告)号：US07704833B2

公开(公告)日：2010-04-27

申请号：US10925566

申请日：2004-08-25

申请人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Mark Bohr ,  Anand S. Murthy

发明人： Nick Lindert ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Mark Bohr ,  Anand S. Murthy

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/7833 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66553 ,  H01L29/6656

摘要： A gate structure may be utilized as a mask to form source and drain regions. Then the gate structure may be removed to form a gap and spacers may be formed in the gap to define a trench. In the process of forming a trench into the substrate, a portion of the source drain region is removed. Then the substrate is filled back up with an epitaxial material and a new gate structure is formed thereover. As a result, more abrupt source drain junctions may be achieved.

摘要翻译： 栅极结构可以用作掩模以形成源区和漏区。 然后可以去除栅极结构以形成间隙，并且可以在间隙中形成间隔物以限定沟槽。 在将沟槽形成衬底的过程中，去除源极漏极区的一部分。 然后用外延材料填充衬底，并在其上形成新的栅极结构。 结果，可以实现更突然的源极漏极结。

公开(公告)号：US20090159872A1

公开(公告)日：2009-06-25

申请号：US12359479

申请日：2009-01-26

申请人： Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau

发明人： Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Marko Radosavljevic ,  Amlan Majumdar ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/08

CPC分类号： H01L51/102 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0052 ,  H01L51/0545 ,  H01L51/105

摘要： Ambipolar conduction can be reduced in carbon nanotube transistors by forming a gate electrode of a metal. Metal sidewall spacers having different workfunctions than the gate electrode may be formed to bracket the metal gate electrode.

摘要翻译： 通过形成金属的栅电极，可以在碳纳米管晶体管中减少双极传导。 可以形成具有与栅电极不同的功函数的金属侧壁间隔物以支撑金属栅电极。

公开(公告)号：US20090020836A1

公开(公告)日：2009-01-22

申请号：US12040166

申请日：2008-02-29

申请人： Mark L. Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Adrian B. Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert S. Chau

发明人： Mark L. Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Adrian B. Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/49

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming an oxide layer on a substrate, and forming a high-k dielectric layer on the oxide layer. The oxide layer and the high-k dielectric layer are then annealed at a sufficient temperature for a sufficient time to generate a gate dielectric with a graded dielectric constant.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成氧化物层，并在氧化物层上形成高k电介质层。 然后将氧化物层和高k电介质层在足够的温度下退火足够的时间以产生具有渐变介电常数的栅极电介质。

公开(公告)号：US07390709B2

公开(公告)日：2008-06-24

申请号：US10937195

申请日：2004-09-08

申请人： Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert S. Chau

发明人： Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a first dielectric layer on a substrate, a trench within the first dielectric layer, and a second dielectric layer on the substrate. The second dielectric layer has a first part that is formed in the trench and a second part. After a first metal layer with a first workfunction is formed on the first and second parts of the second dielectric layer, part of the first metal layer is converted into a second metal layer with a second workfunction.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成第一电介质层，在第一介电层内形成沟槽，在衬底上形成第二电介质层。 第二电介质层具有形成在沟槽中的第一部分和第二部分。 在第二电介质层的第一和第二部分上形成具有第一功函数的第一金属层之后，第一金属层的一部分被转换成具有第二功函数的第二金属层。

公开(公告)号：US07160779B2

公开(公告)日：2007-01-09

申请号：US11064648

申请日：2005-02-23

申请人： Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Brian S. Doyle ,  Robert S. Chau

发明人： Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Brian S. Doyle ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02244 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/31683 ,  H01L21/31691 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/78

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a high-k gate dielectric layer that contacts a metal oxide layer. The metal oxide layer is generated by forming a metal layer, then oxidizing the metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括形成接触金属氧化物层的高k栅介质层。 金属氧化物层通过形成金属层，然后氧化金属层而产生。

公开(公告)号：US07148548B2

公开(公告)日：2006-12-12

申请号：US10896124

申请日：2004-07-20

申请人： Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Justin K. Brask ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66545

摘要： A semiconductor device is described that comprises a gate dielectric and a metal gate electrode that comprises an aluminide.

摘要翻译： 描述了包括栅极电介质和包括铝化物的金属栅电极的半导体器件。

公开(公告)号：US07138323B2

公开(公告)日：2006-11-21

申请号：US10900582

申请日：2004-07-28

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Uday Shah ,  Chris E. Barns ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Uday Shah ,  Chris E. Barns ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/3205

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/7843

摘要： A sacrificial gate structure, including nitride and fill layers, may be replaced with a metal gate electrode. The metal gate electrode may again be covered with a nitride layer covered by a fill layer. The replacement of the nitride and fill layers may reintroduce strain and provide an etch stop.

摘要翻译： 包括氮化物和填充层的牺牲栅极结构可以被金属栅电极代替。 金属栅电极可以再次被填充层覆盖的氮化物层覆盖。 氮化物和填充层的替换可以重新引入应变并提供蚀刻停止。

公开(公告)号：US07060568B2

公开(公告)日：2006-06-13

申请号：US10881055

申请日：2004-06-30

申请人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau

发明人： Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L29/76 ,  H01L29/94 ,  H01L31/062 ,  H01L31/113 ,  H01L31/119

CPC分类号： H01L21/823828 ,  H01L21/823857

摘要： Complementary metal oxide semiconductor integrated circuits may be formed with NMOS and PMOS transistors having different gate dielectrics. The different gate dielectrics may be formed, for example, by a replacement process. The gate dielectrics may differ in material, thickness, or formation techniques, as a few examples.

公开(公告)号：US07045428B2

公开(公告)日：2006-05-16

申请号：US10855635

申请日：2004-05-26

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Chris E. Barns ,  Suman Datta ,  Robert B. Turkot, Jr. ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Chris E. Barns ,  Suman Datta ,  Robert B. Turkot, Jr. ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/8234

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a first gate dielectric layer that has a first substantially vertical component, then forming a first metal layer on the first gate dielectric layer. After forming on the substrate a second gate dielectric layer that has a second substantially vertical component, a second metal layer is formed on the second gate dielectric layer. In this method, a conductor is formed that contacts both the first metal layer and the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成具有第一基本垂直分量的第一栅极电介质层，然后在第一栅极电介质层上形成第一金属层。 在衬底上形成具有第二基本垂直分量的第二栅介质层之后，在第二栅介质层上形成第二金属层。 在该方法中，形成与第一金属层和第二金属层接触的导体。