公开(公告)号：US08455999B2

公开(公告)日：2013-06-04

申请号：US13240540

申请日：2011-09-22

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L23/34

CPC分类号： B81C1/00666 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L24/95 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A method of forming an integrated circuit structure including providing a wafer comprising a front surface and a back surface, wherein the wafer comprises a chip; forming an opening extending from the back surface into the chip; filling an organic material in the opening, wherein substantially no portion of the organic material is outside of the opening and on the back surface of the wafer; and baking the organic material to cause a contraction of the organic material.

摘要翻译： 一种形成集成电路结构的方法，包括提供包括前表面和后表面的晶片，其中所述晶片包括芯片; 形成从后表面延伸到芯片中的开口; 在开口中填充有机材料，其中基本上没有部分有机材料在晶片的开口和背面之外; 并烘烤有机材料以引起有机材料的收缩。

公开(公告)号：US08367516B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US12618477

申请日：2009-11-13

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L21/30

CPC分类号： B23K26/24 ,  H01L24/03 ,  H01L24/48 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/484 ,  H01L2224/85 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01007 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2924/00012

摘要： Methods and structures using laser bonding for stacking semiconductor substrates are described. In one embodiment, a method of forming a semiconductor device includes forming a trench in a first substrate, and a bond pad on a second substrate comprising active circuitry. A top surface of the bond pad includes a first material. The first substrate is aligned over the second substrate to align the trench over the bond pad. An electromagnetic beam is directed into the trench to form a bond between the first material on the bond pad and a second material at a bottom surface of the first substrate.

公开(公告)号：US08281658B2

公开(公告)日：2012-10-09

申请号：US12352449

申请日：2009-01-12

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Jung-Huei Peng ,  Shang-Ying Tsai

IPC分类号： G01C19/00

CPC分类号： G01C19/56 ,  Y10T29/49002

摘要： A gyroscope sensor includes a gyro disk. A first light source is configured to provide a first light beam adjacent to a first edge of the gyro disk. A first light receiver is configured to receive the first light beam for sensing a vibration at a first direction of the gyro disk.

摘要翻译： 陀螺传感器包括陀螺盘。 第一光源被配置为提供与陀螺盘的第一边缘相邻的第一光束。 第一光接收器被配置为接收用于感测陀螺盘的第一方向上的振动的第一光束。

公开(公告)号：US08237235B2

公开(公告)日：2012-08-07

申请号：US12692118

申请日：2010-01-22

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Jiou-Kang Lee

IPC分类号： H01L29/84 ,  H01L23/495

CPC分类号： B81C1/00095 ,  B81B2203/0384

摘要： A metal-ceramic multilayer structure is provided. The underlying layers of the metal/ceramic multilayer structure have sloped sidewalls such that cracking of the metal-ceramic multilayer structure may be reduced or eliminated. In an embodiment, a layer immediately underlying the metal-ceramic multilayer has sidewalls sloped less than 75 degrees. Subsequent layers underlying the layer immediately underlying the metal/ceramic layer have sidewalls sloped greater than 75 degrees. In this manner, less stress is applied to the overlying metal/ceramic layer, particularly in the corners, thereby reducing the cracking of the metal-ceramic multilayer. The metal/ceramic multilayer structure includes one or more alternating layers of a metal seed layer and a ceramic layer.

摘要翻译： 提供了一种金属陶瓷多层结构。 金属/陶瓷多层结构的下层具有倾斜的侧壁，从而可以减少或消除金属 - 陶瓷多层结构的开裂。 在一个实施例中，紧邻金属陶瓷多层的底层的侧壁倾斜小于75度。 紧邻金属/陶瓷层下面的层下面的后续层具有倾斜大于75度的侧壁。 以这种方式，对上覆的金属/陶瓷层，特别是在角部施加较小的应力，从而减少金属 - 陶瓷多层的开裂。 金属/陶瓷多层结构包括金属种子层和陶瓷层的一个或多个交替层。

公开(公告)号：US08053336B2

公开(公告)日：2011-11-08

申请号：US12610873

申请日：2009-11-02

申请人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

发明人： Ting-Hau Wu ,  Chun-Ren Cheng ,  Jiou-Kang Lee ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00666 ,  H01L23/562 ,  H01L24/16 ,  H01L24/31 ,  H01L24/48 ,  H01L24/95 ,  H01L29/0657 ,  H01L2224/0554 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10158 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/01031 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0555 ,  H01L2224/0556

摘要： A method of forming an integrated circuit structure including providing a wafer comprising a front surface and a back surface, wherein the wafer comprises a chip; forming an opening extending from the back surface into the chip; filling an organic material in the opening, wherein substantially no portion of the organic material is outside of the opening and on the back surface of the wafer; and baking the organic material to cause a contraction of the organic material.

摘要翻译： 一种形成集成电路结构的方法，包括提供包括前表面和后表面的晶片，其中所述晶片包括芯片; 形成从后表面延伸到芯片中的开口; 在开口中填充有机材料，其中基本上没有部分有机材料在晶片的开口和背面之外; 并烘烤有机材料以引起有机材料的收缩。

公开(公告)号：US07923379B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US12347250

申请日：2008-12-31

申请人： Jiou-Kang Lee ,  Ting-Hau Wu ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Chun-Ren Cheng

发明人： Jiou-Kang Lee ,  Ting-Hau Wu ,  Shang-Ying Tsai ,  Jung-Huei Peng ,  Chun-Ren Cheng

IPC分类号： H01L21/31

CPC分类号： B81C1/00071 ,  B81B2201/052 ,  B81B2201/058 ,  H01L21/76898

摘要： A method of forming an integrated circuit structure includes forming an opening in a substrate, with the opening extending from a top surface of the substrate into the substrate. The opening is filled with a filling material until a top surface of the filling material is substantially level with the top surface of the substrate. A device is formed over the top surface of the substrate, wherein the device includes a storage opening adjoining the filling material. A backside of the substrate is grinded until the filling material is exposed. The filling material is removed from the channel until the storage opening of the device is exposed.

摘要翻译： 形成集成电路结构的方法包括在衬底中形成开口，其中开口从衬底的顶表面延伸到衬底中。 开口填充有填充材料，直到填充材料的顶表面基本上与基板的顶表面平齐。 在衬底的顶表面上形成器件，其中该器件包括与填充材料相邻的存储开口。 研磨衬底的背面，直到填充材料暴露。 将填充材料从通道中取出直到设备的存储开口露出。

公开(公告)号：US08309441B2

公开(公告)日：2012-11-13

申请号：US13176548

申请日：2011-07-05

申请人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu Chen

发明人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu Chen

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/056 ,  B81C2201/019 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One embodiment is a method of forming a circuit structure. The method comprises forming a first amorphous layer over a substrate; forming a first glue layer over and adjoining the first amorphous layer; forming a second amorphous layer over and adjoining the first glue layer; and forming a plurality of posts separated from each other by removing a first portion of the first amorphous layer and a first portion of the second amorphous layer. At least some of the plurality of posts each comprises a second portion of the first amorphous layer, a first portion of the first glue layer, and a second portion of the second amorphous layer.

摘要翻译： 一个实施例是形成电路结构的方法。 该方法包括在衬底上形成第一非晶层; 在所述第一非晶层上方形成第一胶合层; 在所述第一胶层上形成第二非晶层; 以及通过去除所述第一非晶层的第一部分和所述第二非晶层的第一部分来形成彼此分离的多个柱。 所述多个柱中的至少一些各自包括所述第一非晶层的第二部分，所述第一胶合层的第一部分和所述第二非晶层的第二部分。

公开(公告)号：US20090294766A1

公开(公告)日：2009-12-03

申请号：US12138057

申请日：2008-06-12

申请人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren Sean Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu Benior Chen

发明人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren Sean Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu Benior Chen

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/056 ,  B81C2201/019 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A circuit structure includes a substrate; a first amorphous silicon layer over the substrate; a first glue layer over and adjoining the first amorphous silicon layer; and a second amorphous silicon layer over and adjoining the first glue layer.

摘要翻译： 电路结构包括基板; 衬底上的第一非晶硅层; 在第一非晶硅层上并邻接第一非晶硅层的第一胶合层; 以及在所述第一胶合层上并与其邻接的第二非晶硅层。

公开(公告)号：US07999257B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12138057

申请日：2008-06-12

申请人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren “Sean” Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu “Benior” Chen

发明人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren “Sean” Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu “Benior” Chen

IPC分类号： H01L29/04

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/056 ,  B81C2201/019 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A circuit structure includes a substrate; a first amorphous silicon layer over the substrate; a first glue layer over and adjoining the first amorphous silicon layer; and a second amorphous silicon layer over and adjoining the first glue layer.

摘要翻译： 电路结构包括基板; 衬底上的第一非晶硅层; 在第一非晶硅层上并邻接第一非晶硅层的第一胶合层; 以及在所述第一胶合层上并与其邻接的第二非晶硅层。

公开(公告)号：US20110263106A1

公开(公告)日：2011-10-27

申请号：US13176548

申请日：2011-07-05

申请人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren "Sean" Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu "Benior" Chen

发明人： Jiou-Kang Lee ,  Chun-Ren "Sean" Cheng ,  Shang-Ying Tsai ,  Ting-Hau Wu ,  Hsiang-Fu "Benior" Chen

IPC分类号： H01L21/82

CPC分类号： B81C1/00111 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0392 ,  B81B2203/04 ,  B81B2207/056 ,  B81C2201/019 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： One embodiment is a method of forming a circuit structure. The method comprises forming a first amorphous layer over a substrate; forming a first glue layer over and adjoining the first amorphous layer; forming a second amorphous layer over and adjoining the first glue layer; and forming a plurality of posts separated from each other by removing a first portion of the first amorphous layer and a first portion of the second amorphous layer. At least some of the plurality of posts each comprises a second portion of the first amorphous layer, a first portion of the first glue layer, and a second portion of the second amorphous layer.

摘要翻译： 一个实施例是形成电路结构的方法。 该方法包括在衬底上形成第一非晶层; 在所述第一非晶层上方形成第一胶合层; 在所述第一胶层上形成第二非晶层; 以及通过去除所述第一非晶层的第一部分和所述第二非晶层的第一部分来形成彼此分离的多个柱。 所述多个柱中的至少一些各自包括所述第一非晶层的第二部分，所述第一胶合层的第一部分和所述第二非晶层的第二部分。