公开(公告)号：US20080160312A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US12031493

申请日：2008-02-14

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger ,  Peter H. Mitchell ,  Larry Alan Nesbit

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger ,  Peter H. Mitchell ,  Larry Alan Nesbit

IPC分类号： B32B9/00

CPC分类号： B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/162 ,  C01B2202/06 ,  C01B2202/22 ,  C01B2202/34 ,  H01J1/3044 ,  H01J2201/30469 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/842 ,  Y10S977/843 ,  Y10T428/30

摘要： Methods for synthesizing carbon nanotubes and structures formed thereby. The method includes forming carbon nanotubes on a plurality of synthesis sites supported by a first substrate, interrupting nanotube synthesis, mounting a free end of each carbon nanotube to a second substrate, and removing the first substrate. Each carbon nanotube is capped by one of the synthesis sites, to which growth reactants have ready access. As the carbon nanotubes lengthen during resumed nanotube synthesis, access to the synthesis sites remains unoccluded.

摘要翻译： 合成碳纳米管的方法及由此形成的结构。 该方法包括在由第一基板支撑的多个合成位置上形成碳纳米管，中断纳米管合成，将每个碳纳米管的自由端安装到第二基板上，以及去除第一基板。 每个碳纳米管被其中一个合成位点封盖，生长反应物可以随时进入。 由于碳纳米管在恢复纳米管合成过程中延长，所以进入合成位点仍未被排除。

公开(公告)号：US07329567B2

公开(公告)日：2008-02-12

申请号：US11180415

申请日：2005-07-13

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Peter H. Mitchell ,  Larry Alan Nesbit

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Peter H. Mitchell ,  Larry Alan Nesbit

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/8232

CPC分类号： H01L27/283 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/057 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/724

摘要： Vertical field effect transistors having a channel region defined by at least one semiconducting nanotube and methods for fabricating such vertical field effect transistors by chemical vapor deposition using a spacer-defined channel. Each nanotube is grown by chemical vapor deposition catalyzed by a catalyst pad positioned at the base of a high-aspect-ratio passage defined between a spacer and a gate electrode. Each nanotube grows in the passage with a vertical orientation constrained by the confining presence of the spacer. A gap may be provided in the base of the spacer remote from the mouth of the passage. Reactants flowing through the gap to the catalyst pad participate in nanotube growth.

摘要翻译： 具有由至少一个半导体纳米管限定的沟道区的垂直场效应晶体管以及通过使用间隔物定义的沟道的化学气相沉积来制造这种垂直场效应晶体管的方法。 每个纳米管通过化学气相沉积来生长，该催化剂垫位于位于间隔物和栅电极之间限定的高纵横比通道的基部处的催化剂垫。 每个纳米管在通道中生长，其中垂直取向受限于间隔物的限制。 可以在远离通道的口的间隔件的基部中设置间隙。 通过间隙流过催化剂垫的反应物参与纳米管生长。

公开(公告)号：US07211844B2

公开(公告)日：2007-05-01

申请号：US10767039

申请日：2004-01-29

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Peter H. Mitchell ,  Larry Alan Nesbit

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Peter H. Mitchell ,  Larry Alan Nesbit

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L27/283 ,  B82Y10/00 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/057 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/707 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/724

摘要： Vertical field effect transistors having a channel region defined by at least one semiconducting nanotube and methods for fabricating such vertical field effect transistors by chemical vapor deposition using a spacer-defined channel. Each nanotube is grown by chemical vapor deposition catalyzed by a catalyst pad positioned at the base of a high-aspect-ratio passage defined between a spacer and a gate electrode. Each nanotube grows in the passage with a vertical orientation constrained by the confining presence of the spacer. A gap may be provided in the base of the spacer remote from the mouth of the passage. Reactants flowing through the gap to the catalyst pad participate in nanotube growth.

摘要翻译： 具有由至少一个半导体纳米管限定的沟道区的垂直场效应晶体管以及通过使用间隔物定义的沟道的化学气相沉积来制造这种垂直场效应晶体管的方法。 每个纳米管通过化学气相沉积来生长，该催化剂垫位于位于间隔物和栅电极之间限定的高纵横比通道的基部处的催化剂垫。 每个纳米管在通道中生长，其中垂直取向受限于间隔物的限制。 可以在远离通道的口的间隔件的基部中设置间隙。 通过间隙流过催化剂垫的反应物参与纳米管生长。

公开(公告)号：US07668004B2

公开(公告)日：2010-02-23

申请号：US12019746

申请日：2008-01-25

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III

IPC分类号： G11C11/50

CPC分类号： G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/77 ,  Y10S977/742 ,  Y10S977/939 ,  Y10S977/943

摘要： Non-volatile and radiation-hard switching and memory devices using vertical nano-tubes and reversibly held in state by van der Waals' forces and methods of fabricating the devices. Means for sensing the state of the devices include measuring capacitance, and tunneling and field emission currents.

摘要翻译： 使用垂直纳米管的非易失性和辐射硬的开关和存储器件，并通过范德华力力可逆地保持状态和制造器件的方法。 用于感测装置状态的装置包括测量电容，以及隧穿和场发射电流。

公开(公告)号：US07651902B2

公开(公告)日：2010-01-26

申请号：US11737989

申请日：2007-04-20

申请人： Ethan Harrison Cannon ,  Toshiharu Furukawa ,  John Gerard Gaudiello ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III ,  Jack Allan Mandelman ,  William Robert Tonti

发明人： Ethan Harrison Cannon ,  Toshiharu Furukawa ,  John Gerard Gaudiello ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III ,  Jack Allan Mandelman ,  William Robert Tonti

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01L23/62

CPC分类号： H01L21/76243 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1207

摘要： Hybrid substrates characterized by semiconductor islands of different crystal orientations and methods of forming such hybrid substrates. The methods involve using a SIMOX process to form an insulating layer. The insulating layer may divide the islands of at least one of the different crystal orientations into mutually aligned device and body regions. The body regions may be electrically floating relative to the device regions.

摘要翻译： 以不同晶体取向的半导体岛为特征的混合基板和形成这种混合基板的方法。 该方法涉及使用SIMOX工艺来形成绝缘层。 绝缘层可以将不同晶体取向中的至少一个的岛分成相互排列的器件和体区。 身体区域可以相对于装置区域电浮动。

公开(公告)号：US20090035708A1

公开(公告)日：2009-02-05

申请号：US11831099

申请日：2007-07-31

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III

IPC分类号： G03F7/20

CPC分类号： G03F7/2024 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70425

摘要： A structure and a method for forming the same. The method includes providing a structure which includes (a) a to-be-patterned layer, (b) a photoresist layer on top of the to-be-patterned layer wherein the photoresist layer includes a first opening, and (c) a cap region on side walls of the first opening. A first top surface of the to-be-patterned layer is exposed to a surrounding ambient through the first opening. The method further includes performing a first lithography process resulting in a second opening in the photoresist layer. The second opening is different from the first opening. A second top surface of the to-be-patterned layer is exposed to a surrounding ambient through the second opening.

摘要翻译： 一种结构及其形成方法。 该方法包括提供一种结构，其包括（a）待图案化层，（b）在待图案化层的顶部上的光致抗蚀剂层，其中光致抗蚀剂层包括第一开口，和（c）帽 区域在第一开口的侧壁上。 待图案化层的第一顶表面通过第一开口暴露于周围环境。 该方法还包括执行在光致抗蚀剂层中产生第二开口的第一光刻工艺。 第二个开口与第一个开口不同。 待图案化层的第二顶表面通过第二开口暴露于周围环境。

公开(公告)号：US07750406B2

公开(公告)日：2010-07-06

申请号：US11877871

申请日：2007-10-24

申请人： Ethan Harrison Cannon ,  Toshiharu Furukawa ,  John Gerard Gaudiello ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III ,  Jack Allan Mandelman ,  William Robert Tonti

发明人： Ethan Harrison Cannon ,  Toshiharu Furukawa ,  John Gerard Gaudiello ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III ,  Jack Allan Mandelman ,  William Robert Tonti

IPC分类号： H01L23/62 ,  H01L29/94

CPC分类号： H01L21/76264

摘要： Design structure embodied in a machine readable medium for designing, manufacturing, or testing a design in which the design structure includes devices formed in a hybrid substrate characterized by semiconductor islands of different crystal orientations. An insulating layer divides the islands of at least one of the different crystal orientations into mutually aligned device and body regions. The body regions may be electrically floating relative to the device regions.

摘要翻译： 设计结构体现在机器可读介质中，用于设计，制造或测试设计，其中设计结构包括以混合衬底形成的器件，其特征在于具有不同晶体取向的半导体岛。 绝缘层将至少一个不同晶体取向的岛分成相互排列的器件和体区。 身体区域可以相对于装置区域电浮动。

公开(公告)号：US07579272B2

公开(公告)日：2009-08-25

申请号：US11670778

申请日：2007-02-02

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/02115 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/3185 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76831 ,  H01L21/76888 ,  H01L2221/1047

摘要： Methods of forming low-k dielectric layers for use in the manufacture of semiconductor devices and fabricating semiconductor structures using the low-k dielectric material. The low-k dielectric material comprises carbon nanostructures, like carbon nanotubes or carbon buckyballs, that are characterized by an insulating electronic state. The carbon nanostructures may be converted to the insulating electronic state either before or after a layer containing the carbon nanostructures is formed on a substrate. One approach for converting the carbon nanostructures to the insulating electronic state is fluorination.

摘要翻译： 形成用于制造半导体器件的低k电介质层并使用低k电介质材料制造半导体结构的方法。 低k介电材料包括碳纳米结构，如碳纳米管或碳​​棒球，其特征在于绝缘电子状态。 碳纳米结构可以在包含碳纳米结构的层在基底上形成之前或之后转变为绝缘电子状态。 将碳纳米结构转化为绝缘电子态的一种方法是氟化。

公开(公告)号：US07898045B2

公开(公告)日：2011-03-01

申请号：US12166623

申请日：2008-07-02

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III ,  Leah Marie Pfeifer Pastel

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III ,  Leah Marie Pfeifer Pastel

IPC分类号： H01L29/84

CPC分类号： G01P15/0802 ,  B82Y15/00 ,  G01P15/06 ,  G01P15/0891 ,  G01P15/135 ,  H01H1/0094 ,  H01H35/14

摘要： Acceleration and voltage measurement devices and methods of fabricating acceleration and voltage measurement devices. The acceleration and voltage measurement devices including an electrically conductive plate on a top surface of a first insulating layer; a second insulating layer on a top surface of the conductive plate, the top surface of the plate exposed in an opening in the second insulating layer; conductive nanotubes suspended across the opening, and electrically conductive contacts to the nanotubes.

摘要翻译： 加速度和电压测量装置以及制造加速度和电压测量装置的方法。 所述加速和电压测量装置包括在第一绝缘层的顶表面上的导电板; 在所述导电板的顶表面上的第二绝缘层，所述板的顶表面暴露在所述第二绝缘层的开口中; 导电纳米管悬挂在开口处，并且与纳米管的导电接触。

公开(公告)号：US07923202B2

公开(公告)日：2011-04-12

申请号：US11831099

申请日：2007-07-31

申请人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III

发明人： Toshiharu Furukawa ,  Mark Charles Hakey ,  Steven John Holmes ,  David Vaclav Horak ,  Charles William Koburger, III

IPC分类号： G03F7/26

CPC分类号： G03F7/2024 ,  G03F7/38 ,  G03F7/40 ,  G03F7/70425

摘要： A structure and a method for forming the same. The method includes providing a structure which includes (a) a to-be-patterned layer, (b) a photoresist layer on top of the to-be-patterned layer wherein the photoresist layer includes a first opening, and (c) a cap region on side walls of the first opening. A first top surface of the to-be-patterned layer is exposed to a surrounding ambient through the first opening. The method further includes performing a first lithography process resulting in a second opening in the photoresist layer. The second opening is different from the first opening. A second top surface of the to-be-patterned layer is exposed to a surrounding ambient through the second opening.

摘要翻译： 一种结构及其形成方法。 该方法包括提供一种结构，其包括（a）待图案化层，（b）在待图案化层的顶部上的光致抗蚀剂层，其中光致抗蚀剂层包括第一开口，和（c）帽 区域在第一开口的侧壁上。 待图案化层的第一顶表面通过第一开口暴露于周围环境。 该方法还包括执行在光致抗蚀剂层中产生第二开口的第一光刻工艺。 第二个开口与第一个开口不同。 待图案化层的第二顶表面通过第二开口暴露于周围环境。