公开(公告)号：US08592811B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13697106

申请日：2011-02-14

申请人： Masahiko Suzuki ,  Yoshimasa Chikama ,  Yoshifumi Ohta ,  Tokuo Yoshida ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita ,  Hinae Mizuno

发明人： Masahiko Suzuki ,  Yoshimasa Chikama ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshifumi Ohta ,  Tokuo Yoshida ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L27/12 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244

摘要： An active matrix substrate (20a) includes a plurality of pixel electrodes (18a) arranged in a matrix, and a plurality of TFTs (5) each connected to a corresponding one of the pixel electrodes (18a), and each including a gate electrode (11a) provided on an insulating substrate (10a), a gate insulating film (12a) covering the gate electrode (11a), a semiconductor layer (16a) provided on the gate insulating film (12a) and having a channel region (C) overlapping the gate electrode (11a), and a source electrode (15aa) and a drain electrode (15b) of copper or copper alloy provided on the gate insulating film (12a) and separated from each other by the channel region (C) of the semiconductor layer (16a). The semiconductor layer (16a) is formed of an oxide semiconductor and covers the source electrode (15aa) and the drain electrode (15b).

摘要翻译： 有源矩阵基板（20a）包括以矩阵形式布置的多个像素电极（18a）和多个TFT（5），每个TFT（5）分别连接到相应的一个像素电极（18a），并且各自包括栅电极 设置在绝缘基板（10a）上的11a），覆盖栅极（11a）的栅极绝缘膜（12a），设置在栅极绝缘膜（12a）上并具有沟道区域（C）的半导体层 栅极电极（11a）以及设置在栅极绝缘膜（12a）上的铜或铜合金的源电极（15aa）和漏电极（15b），并通过半导体的沟道区域（C）彼此分离 层（16a）。 半导体层（16a）由氧化物半导体形成，并覆盖源电极（15aa）和漏电极（15b）。

公开(公告)号：US09142573B1

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US13699377

申请日：2011-02-14

申请人： Tetsuya Yamashita ,  Tokuo Yoshida ,  Yoshimasa Chikama ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto

发明人： Tetsuya Yamashita ,  Tokuo Yoshida ,  Yoshimasa Chikama ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/127 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262

摘要： Each of the auxiliary capacitors (6a) includes a capacitor line (11b) comprised of the same material as the gate electrode (11a) and provided in the same layer as the gate electrode (11a), the gate insulating film (12) provided so as to cover the capacitor line (11a), a capacitor intermediate layer (13c) provided using the oxide semiconductor and provided on the gate insulating film (12) so as to overlap the capacitor line (11b), and a capacitor electrode (15b) provided on the capacitor intermediate layer (13c), and the capacitor intermediate layer (13c) is conductive.

摘要翻译： 每个辅助电容器（6a）包括由与栅极电极（11a）相同的材料组成并且设置在与栅电极（11a）相同的层中的电容器线（11b），栅绝缘膜（12）设置为 为了覆盖电容器线（11a），使用氧化物半导体设置并设置在栅极绝缘膜（12）上以与电容线（11b）重叠的电容器中间层（13c）和电容器电极（15b） 设置在电容器中间层（13c）上，并且电容器中间层（13c）是导电的。

公开(公告)号：US20130056741A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13695837

申请日：2011-02-14

申请人： Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshifumi Ohta ,  Yoshimasa Chikama ,  Tokuo Yoshida ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita ,  Hinae Mizuno

发明人： Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tokuo Yoshida ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/086 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78633

摘要： A display panel (50a) includes a TFT substrate (20a) in which a plurality of TFTs (5a) are provided, a counter substrate (30a) provided to face the TFT substrate (20a), and a display medium layer (40) provided between the TFT substrate (20a) and the counter substrate (30a), a plurality of pixels being provided so that each of the plurality of pixels is associated with a corresponding one of the TFTs (5a), wherein an oxide semiconductor layer (13) is provided in each of the TFTs (5a) as a channel, and an ultraviolet light absorbing layer (22) having a light transmitting property is provided in each of the pixels (P) so as to overlap the oxide semiconductor layer (13).

摘要翻译： 显示面板（50a）包括其中设置有多个TFT（5a）的TFT基板（20a），与TFT基板（20a）相对设置的对置基板（30a）和设置在显示介质层（40） 在TFT基板（20a）和对置基板（30a）之间，设置多个像素，使得多个像素中的每一个与相应的一个TFT（5a）相关联，其中氧化物半导体层（13） 设置在每个TFT（5a）中作为沟道，并且在每个像素（P）中提供具有透光性的紫外光吸收层（22），以与氧化物半导体层（13）重叠。

公开(公告)号：US20130207114A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13697106

申请日：2011-02-14

申请人： Masahiko Suzuki ,  Yoshimasa Chikama ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Yoshifumi Ohta ,  Tokuo Yoshida ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita

发明人： Masahiko Suzuki ,  Yoshimasa Chikama ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Yoshifumi Ohta ,  Tokuo Yoshida ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244

摘要： An active matrix substrate (20a) includes a plurality of pixel electrodes (18a) arranged in a matrix, and a plurality of TFTs (5) each connected to a corresponding one of the pixel electrodes (18a), and each including a gate electrode (11a) provided on an insulating substrate (10a), a gate insulating film (12a) covering the gate electrode (11a), a semiconductor layer (16a) provided on the gate insulating film (12a) and having a channel region (C) overlapping the gate electrode (11a), and a source electrode (15aa) and a drain electrode (15b) of copper or copper alloy provided on the gate insulating film (12a) and separated from each other by the channel region (C) of the semiconductor layer (16a). The semiconductor layer (16a) is formed of an oxide semiconductor and covers the source electrode (15aa) and the drain electrode (15b).

摘要翻译： 有源矩阵基板（20a）包括以矩阵形式布置的多个像素电极（18a）和多个TFT（5），每个TFT（5）分别连接到相应的一个像素电极（18a），并且各自包括栅电极 设置在绝缘基板（10a）上的11a），覆盖栅极（11a）的栅极绝缘膜（12a），设置在栅极绝缘膜（12a）上并具有沟道区域（C）的半导体层 栅极电极（11a）以及设置在栅极绝缘膜（12a）上的铜或铜合金的源电极（15aa）和漏电极（15b），并通过半导体的沟道区域（C）彼此分离 层（16a）。 半导体层（16a）由氧化物半导体形成，并覆盖源电极（15aa）和漏电极（15b）。

公开(公告)号：US20130112970A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13701549

申请日：2011-06-06

申请人： Yoshinobu Miyamoto ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tokuo Yoshida ,  Masahiko Suzuki ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Tetsuya Yamashita

发明人： Yoshinobu Miyamoto ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tokuo Yoshida ,  Masahiko Suzuki ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Tetsuya Yamashita

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A TFT substrate (30a) including a TFT (5a) having: a gate electrode (14a) provided on a substrate (10a); a gate insulating film (15) provided to cover the gate electrode (14a); a semiconductor layer (16a) made of an oxide semiconductor provided on the gate insulating film (15) with a channel region (C) arranged to lie above the gate electrode (14a): and a source electrode (19aa) and a drain electrode (19b) provided on the semiconductor layer (16a) to be spaced from each other with the channel region (C) therebetween. A recess (R) is provided on the surface of the channel region (C) of the semiconductor layer (16a) to extend in the channel width direction.

摘要翻译： 1.一种TFT基板（30a），包括具有设置在基板（10a）上的栅电极（14a）的TFT（5a） 设置为覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜（15）; 设置在栅极绝缘膜（15）上的氧化物半导体的半导体层（16a）具有布置成位于栅电极（14a）上方的沟道区（C）;以及源电极（19aa）和漏电极 19b）设置在所述半导体层（16a）上以与所述半导体层（16a）之间的沟道区域（C）彼此间隔开。 在半导体层（16a）的沟道区域（C）的表面上设置凹槽（R），以在沟道宽度方向上延伸。

公开(公告)号：US08906739B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13582773

申请日：2011-02-09

申请人： Yoshifumi Ohta ,  Yoshimasa Chikama ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

发明人： Yoshifumi Ohta ,  Yoshimasa Chikama ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L29/49 ,  H01L29/45 ,  H01L21/02 ,  H01L21/477

CPC分类号： H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/477 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A method includes: a step of forming a gate electrode (14) on a substrate (10a); a step of forming a gate insulating film (15) to cover the gate electrode (14), and then forming an In-Ga-Zn-O-based oxide semiconductor layer (16) in which a ratio of In:Ga:Zn in atomic % is 1:1:1 or 4:5:1 on the gate insulating film (15) to overlap the gate electrode (14); a step of forming a source electrode (19a) and a drain electrode (19b) on the oxide semiconductor layer (16) to overlap the gate electrode (14) and to face each other; and a step of performing an annealing process in an atmosphere containing steam (S) on the substrate (10a) provided with the source electrode (19a) and the drain electrode (19b).

摘要翻译： 一种方法包括：在衬底（10a）上形成栅极（14）的步骤; 形成覆盖栅电极的栅极绝缘膜（15）的步骤，然后形成In-Ga-Zn-O系氧化物半导体层（16），其中In：Ga：Zn的比率 在栅极绝缘膜（15）上的原子％为1：1：1或4：5：1以与栅电极（14）重叠; 在所述氧化物半导体层（16）上形成与所述栅电极（14）重叠并且彼此面对的源电极（19a）和漏电极（19b）的步骤; 以及在设置有源电极（19a）和漏电极（19b）的基板（10a）上的含有蒸汽（S）的气氛中进行退火处理的工序。

公开(公告)号：US20120326144A1

公开(公告)日：2012-12-27

申请号：US13582773

申请日：2011-02-09

申请人： Yoshifumi Ohta ,  Yoshimasa Chikama ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

发明人： Yoshifumi Ohta ,  Yoshimasa Chikama ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02617 ,  H01L21/477 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A method includes: a step of forming a gate electrode (14) on a substrate (10a); a step of forming a gate insulating film (15) to cover the gate electrode (14), and then forming an In-Ga-Zn-O-based oxide semiconductor layer (16) in which a ratio of In:Ga:Zn in atomic % is 1:1:1 or 4:5:1 on the gate insulating film (15) to overlap the gate electrode (14); a step of forming a source electrode (19a) and a drain electrode (19b) on the oxide semiconductor layer (16) to overlap the gate electrode (14) and to face each other; and a step of performing an annealing process in an atmosphere containing steam (S) on the substrate (10a) provided with the source electrode (19a) and the drain electrode (19b).

摘要翻译： 一种方法包括：在衬底（10a）上形成栅极（14）的步骤; 形成覆盖栅电极的栅极绝缘膜（15）的步骤，然后形成In-Ga-Zn-O系氧化物半导体层（16），其中In：Ga：Zn的比率 在栅极绝缘膜（15）上的原子％为1：1：1或4：5：1以与栅电极（14）重叠; 在所述氧化物半导体层（16）上形成与所述栅电极（14）重叠并且彼此面对的源电极（19a）和漏电极（19b）的步骤; 以及在设置有源电极（19a）和漏电极（19b）的基板（10a）上的含有蒸汽（S）的气氛中进行退火处理的工序。

公开(公告)号：US08940566B2

公开(公告)日：2015-01-27

申请号：US13883014

申请日：2011-11-01

申请人： Okifumi Nakagawa ,  Yoshimasa Chikama ,  Takeshi Hara ,  Hiromitsu Katsui

发明人： Okifumi Nakagawa ,  Yoshimasa Chikama ,  Takeshi Hara ,  Hiromitsu Katsui

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L29/66 ,  G02F1/1362 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786 ,  H01L29/417

CPC分类号： H01L29/66969 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： The semiconductor device (100) according to the present invention includes a gate electrode (102) of a TFT, a gate insulating layer (103) formed on the gate electrode (102), an oxide semiconductor layer (107) disposed on the gate insulating layer (103), a protecting layer (108) formed on the oxide semiconductor layer (107) by a spin-on-glass technique, and a source electrode (105) and a drain electrode (106) disposed on the protecting layer (108). Via a first contact hole (131) formed in the protecting layer (108), the source electrode (105) is electrically connected to the oxide semiconductor layer (104), and via a second contact hole (132), the drain electrode (106) is electrically connected to the oxide semiconductor layer (104).

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件（100）包括TFT的栅极（102），形成在栅电极（102）上的栅极绝缘层（103），设置在栅绝缘层上的氧化物半导体层（107） 层（103），通过旋涂玻璃技术形成在氧化物半导体层（107）上的保护层（108）以及设置在保护层（108）上的源电极（105）和漏电极（106） ）。 通过形成在保护层（108）中的第一接触孔（131），源电极（105）与氧化物半导体层（104）电连接，经由第二接触孔（132），漏电极 ）与氧化物半导体层（104）电连接。

公开(公告)号：US20140147966A1

公开(公告)日：2014-05-29

申请号：US13883014

申请日：2011-11-01

申请人： Okifumi Nakagawa ,  Yoshimasa Chikama ,  Takeshi Hara ,  Hiromitsu Katsui

发明人： Okifumi Nakagawa ,  Yoshimasa Chikama ,  Takeshi Hara ,  Hiromitsu Katsui

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/66969 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/7869

摘要： The semiconductor device (100) according to the present invention includes a gate electrode (102) of a TFT, a gate insulating layer (103) formed on the gate electrode (102), an oxide semiconductor layer (107) disposed on the gate insulating layer (103), a protecting layer (108) formed on the oxide semiconductor layer (107) by a spin-on-glass technique, and a source electrode (105) and a drain electrode (106) disposed on the protecting layer (108). Via a first contact hole (131) formed in the protecting layer (108), the source electrode (105) is electrically connected to the oxide semiconductor layer (104), and via a second contact hole (132), the drain electrode (106) is electrically connected to the oxide semiconductor layer (104).

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件（100）包括TFT的栅极（102），形成在栅电极（102）上的栅极绝缘层（103），设置在栅绝缘层上的氧化物半导体层（107） 层（103），通过旋涂玻璃技术形成在氧化物半导体层（107）上的保护层（108）以及设置在保护层（108）上的源电极（105）和漏电极（106） ）。 通过形成在保护层（108）中的第一接触孔（131），源电极（105）与氧化物半导体层（104）电连接，经由第二接触孔（132），漏电极 ）与氧化物半导体层（104）电连接。

公开(公告)号：US20150287742A1

公开(公告)日：2015-10-08

申请号：US13699377

申请日：2011-02-14

申请人： Hinae MIZUNO

发明人： Tetsuya Yamashita ,  Tokuo Yoshida ,  Yoshimasa Chikama ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/127 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262

摘要： Each of the auxiliary capacitors (6a) includes a capacitor line (11b) comprised of the same material as the gate electrode (11a) and provided in the same layer as the gate electrode (11a), the gate insulating film (12) provided so as to cover the capacitor line (11a), a capacitor intermediate layer (13c) provided using the oxide semiconductor and provided on the gate insulating film (12) so as to overlap the capacitor line (11b), and a capacitor electrode (15b) provided on the capacitor intermediate layer (13c), and the capacitor intermediate layer (13c) is conductive.

摘要翻译： 每个辅助电容器（6a）包括由与栅极电极（11a）相同的材料组成并且设置在与栅电极（11a）相同的层中的电容器线（11b），栅绝缘膜（12）设置为 为了覆盖电容器线（11a），使用氧化物半导体设置并设置在栅极绝缘膜（12）上以与电容线（11b）重叠的电容器中间层（13c）和电容器电极（15b） 设置在电容器中间层（13c）上，并且电容器中间层（13c）是导电的。