公开(公告)号：US09142573B1

公开(公告)日：2015-09-22

申请号：US13699377

申请日：2011-02-14

申请人： Tetsuya Yamashita ,  Tokuo Yoshida ,  Yoshimasa Chikama ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto

发明人： Tetsuya Yamashita ,  Tokuo Yoshida ,  Yoshimasa Chikama ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/127 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1262

摘要： Each of the auxiliary capacitors (6a) includes a capacitor line (11b) comprised of the same material as the gate electrode (11a) and provided in the same layer as the gate electrode (11a), the gate insulating film (12) provided so as to cover the capacitor line (11a), a capacitor intermediate layer (13c) provided using the oxide semiconductor and provided on the gate insulating film (12) so as to overlap the capacitor line (11b), and a capacitor electrode (15b) provided on the capacitor intermediate layer (13c), and the capacitor intermediate layer (13c) is conductive.

摘要翻译： 每个辅助电容器（6a）包括由与栅极电极（11a）相同的材料组成并且设置在与栅电极（11a）相同的层中的电容器线（11b），栅绝缘膜（12）设置为 为了覆盖电容器线（11a），使用氧化物半导体设置并设置在栅极绝缘膜（12）上以与电容线（11b）重叠的电容器中间层（13c）和电容器电极（15b） 设置在电容器中间层（13c）上，并且电容器中间层（13c）是导电的。

公开(公告)号：US20130207114A1

公开(公告)日：2013-08-15

申请号：US13697106

申请日：2011-02-14

申请人： Masahiko Suzuki ,  Yoshimasa Chikama ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Yoshifumi Ohta ,  Tokuo Yoshida ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita

发明人： Masahiko Suzuki ,  Yoshimasa Chikama ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Yoshifumi Ohta ,  Tokuo Yoshida ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita

IPC分类号： H01L27/12

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244

摘要： An active matrix substrate (20a) includes a plurality of pixel electrodes (18a) arranged in a matrix, and a plurality of TFTs (5) each connected to a corresponding one of the pixel electrodes (18a), and each including a gate electrode (11a) provided on an insulating substrate (10a), a gate insulating film (12a) covering the gate electrode (11a), a semiconductor layer (16a) provided on the gate insulating film (12a) and having a channel region (C) overlapping the gate electrode (11a), and a source electrode (15aa) and a drain electrode (15b) of copper or copper alloy provided on the gate insulating film (12a) and separated from each other by the channel region (C) of the semiconductor layer (16a). The semiconductor layer (16a) is formed of an oxide semiconductor and covers the source electrode (15aa) and the drain electrode (15b).

摘要翻译： 有源矩阵基板（20a）包括以矩阵形式布置的多个像素电极（18a）和多个TFT（5），每个TFT（5）分别连接到相应的一个像素电极（18a），并且各自包括栅电极 设置在绝缘基板（10a）上的11a），覆盖栅极（11a）的栅极绝缘膜（12a），设置在栅极绝缘膜（12a）上并具有沟道区域（C）的半导体层 栅极电极（11a）以及设置在栅极绝缘膜（12a）上的铜或铜合金的源电极（15aa）和漏电极（15b），并通过半导体的沟道区域（C）彼此分离 层（16a）。 半导体层（16a）由氧化物半导体形成，并覆盖源电极（15aa）和漏电极（15b）。

公开(公告)号：US08698152B2

公开(公告)日：2014-04-15

申请号：US13695837

申请日：2011-02-14

申请人： Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshifumi Ohta ,  Yoshimasa Chikama ,  Tokuo Yoshida ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita ,  Hinae Mizuno

发明人： Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tokuo Yoshida ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L31/036 ,  H01L31/0376 ,  H01L31/20 ,  H01L27/12

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/086 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78633

摘要： A display panel (50a) includes a TFT substrate (20a) in which a plurality of TFTs (5a) are provided, a counter substrate (30a) provided to face the TFT substrate (20a), and a display medium layer (40) provided between the TFT substrate (20a) and the counter substrate (30a), a plurality of pixels being provided so that each of the plurality of pixels is associated with a corresponding one of the TFTs (5a), wherein an oxide semiconductor layer (13) is provided in each of the TFTs (5a) as a channel, and an ultraviolet light absorbing layer (22) having a light transmitting property is provided in each of the pixels (P) so as to overlap the oxide semiconductor layer (13).

摘要翻译： 显示面板（50a）包括其中设置有多个TFT（5a）的TFT基板（20a），与TFT基板（20a）相对设置的对置基板（30a）和设置在显示介质层（40） 在TFT基板（20a）和对置基板（30a）之间，设置多个像素，使得多个像素中的每一个与相应的一个TFT（5a）相关联，其中氧化物半导体层（13） 设置在每个TFT（5a）中作为沟道，并且在每个像素（P）中提供具有透光性的紫外光吸收层（22），以与氧化物半导体层（13）重叠。

公开(公告)号：US08592811B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13697106

申请日：2011-02-14

申请人： Masahiko Suzuki ,  Yoshimasa Chikama ,  Yoshifumi Ohta ,  Tokuo Yoshida ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita ,  Hinae Mizuno

发明人： Masahiko Suzuki ,  Yoshimasa Chikama ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshifumi Ohta ,  Tokuo Yoshida ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita

IPC分类号： H01L29/10 ,  H01L29/12 ,  H01L27/12 ,  H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L23/48 ,  H01L23/52 ,  H01L29/40 ,  G02F1/136

CPC分类号： H01L27/124 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1244

摘要： An active matrix substrate (20a) includes a plurality of pixel electrodes (18a) arranged in a matrix, and a plurality of TFTs (5) each connected to a corresponding one of the pixel electrodes (18a), and each including a gate electrode (11a) provided on an insulating substrate (10a), a gate insulating film (12a) covering the gate electrode (11a), a semiconductor layer (16a) provided on the gate insulating film (12a) and having a channel region (C) overlapping the gate electrode (11a), and a source electrode (15aa) and a drain electrode (15b) of copper or copper alloy provided on the gate insulating film (12a) and separated from each other by the channel region (C) of the semiconductor layer (16a). The semiconductor layer (16a) is formed of an oxide semiconductor and covers the source electrode (15aa) and the drain electrode (15b).

摘要翻译： 有源矩阵基板（20a）包括以矩阵形式布置的多个像素电极（18a）和多个TFT（5），每个TFT（5）分别连接到相应的一个像素电极（18a），并且各自包括栅电极 设置在绝缘基板（10a）上的11a），覆盖栅极（11a）的栅极绝缘膜（12a），设置在栅极绝缘膜（12a）上并具有沟道区域（C）的半导体层 栅极电极（11a）以及设置在栅极绝缘膜（12a）上的铜或铜合金的源电极（15aa）和漏电极（15b），并通过半导体的沟道区域（C）彼此分离 层（16a）。 半导体层（16a）由氧化物半导体形成，并覆盖源电极（15aa）和漏电极（15b）。

公开(公告)号：US20130056741A1

公开(公告)日：2013-03-07

申请号：US13695837

申请日：2011-02-14

申请人： Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshifumi Ohta ,  Yoshimasa Chikama ,  Tokuo Yoshida ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita ,  Hinae Mizuno

发明人： Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tokuo Yoshida ,  Masahiko Suzuki ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Tetsuya Yamashita

IPC分类号： H01L27/15

CPC分类号： H01L27/1214 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/086 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1255 ,  H01L29/78633

摘要： A display panel (50a) includes a TFT substrate (20a) in which a plurality of TFTs (5a) are provided, a counter substrate (30a) provided to face the TFT substrate (20a), and a display medium layer (40) provided between the TFT substrate (20a) and the counter substrate (30a), a plurality of pixels being provided so that each of the plurality of pixels is associated with a corresponding one of the TFTs (5a), wherein an oxide semiconductor layer (13) is provided in each of the TFTs (5a) as a channel, and an ultraviolet light absorbing layer (22) having a light transmitting property is provided in each of the pixels (P) so as to overlap the oxide semiconductor layer (13).

摘要翻译： 显示面板（50a）包括其中设置有多个TFT（5a）的TFT基板（20a），与TFT基板（20a）相对设置的对置基板（30a）和设置在显示介质层（40） 在TFT基板（20a）和对置基板（30a）之间，设置多个像素，使得多个像素中的每一个与相应的一个TFT（5a）相关联，其中氧化物半导体层（13） 设置在每个TFT（5a）中作为沟道，并且在每个像素（P）中提供具有透光性的紫外光吸收层（22），以与氧化物半导体层（13）重叠。

公开(公告)号：US20130112970A1

公开(公告)日：2013-05-09

申请号：US13701549

申请日：2011-06-06

申请人： Yoshinobu Miyamoto ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tokuo Yoshida ,  Masahiko Suzuki ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Tetsuya Yamashita

发明人： Yoshinobu Miyamoto ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tokuo Yoshida ,  Masahiko Suzuki ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Tetsuya Yamashita

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/786 ,  G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136231 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L29/45 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A TFT substrate (30a) including a TFT (5a) having: a gate electrode (14a) provided on a substrate (10a); a gate insulating film (15) provided to cover the gate electrode (14a); a semiconductor layer (16a) made of an oxide semiconductor provided on the gate insulating film (15) with a channel region (C) arranged to lie above the gate electrode (14a): and a source electrode (19aa) and a drain electrode (19b) provided on the semiconductor layer (16a) to be spaced from each other with the channel region (C) therebetween. A recess (R) is provided on the surface of the channel region (C) of the semiconductor layer (16a) to extend in the channel width direction.

摘要翻译： 1.一种TFT基板（30a），包括具有设置在基板（10a）上的栅电极（14a）的TFT（5a） 设置为覆盖所述栅电极的栅极绝缘膜（15）; 设置在栅极绝缘膜（15）上的氧化物半导体的半导体层（16a）具有布置成位于栅电极（14a）上方的沟道区（C）;以及源电极（19aa）和漏电极 19b）设置在所述半导体层（16a）上以与所述半导体层（16a）之间的沟道区域（C）彼此间隔开。 在半导体层（16a）的沟道区域（C）的表面上设置凹槽（R），以在沟道宽度方向上延伸。

公开(公告)号：US20120218485A1

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：US13501534

申请日：2010-07-26

申请人： Yoshimasa Chikama ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

发明人： Yoshimasa Chikama ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： G02F1/136 ,  H01L33/08 ,  H01L29/786

CPC分类号： H01L27/1255 ,  G02F1/136213 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1248

摘要： An active matrix substrate includes a plurality of pixels arranged in a matrix, a plurality of capacitor lines (11b) extending in one of directions in which the pixels are aligned and in parallel to each other, a plurality of TFTs (5), one for each of the pixels, a protective film (16a) covering the TFTs (5), a plurality of pixel electrodes (18a) arranged in a matrix on the protective film (16a) and connected to the respective corresponding TFTs (5), and a plurality of auxiliary capacitors (6), one for each of the pixels. Each of the auxiliary capacitors (6) includes the corresponding capacitor line (11b), the corresponding pixel electrode (18a), and the protective film (16a) between the corresponding capacitor line (11b) and the corresponding pixel electrode (18a).

摘要翻译： 有源矩阵基板包括以矩阵形式布置的多个像素，多个电容线（11b），其中像素彼此排列并且彼此平行的方向中的一个方向延伸;多个TFT（5），一个用于 每个像素，覆盖TFT（5）的保护膜（16a），在保护膜（16a）上以矩阵布置并连接到相应的TFT（5）的多个像素电极（18a）和 多个辅助电容器（6），每个像素一个。 每个辅助电容器（6）包括相应的电容器线（11b），对应的像素电极（18a）和相应的电容器线（11b）和相应的像素电极（18a）之间的保护膜（16a）。

公开(公告)号：US20120241750A1

公开(公告)日：2012-09-27

申请号：US13514081

申请日：2010-12-03

申请人： Yoshimasa Chikama ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

发明人： Yoshimasa Chikama ,  Hirohiko Nishiki ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Hinae Mizuno ,  Takeshi Hara ,  Tetsuya Aita ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Okifumi Nakagawa ,  Yoshiyuki Harumoto

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L27/1225 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136213 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1244 ,  H01L27/1248

摘要： A semiconductor device includes: a thin film transistor having a gate line (3a), a first insulating film (5), an island-shaped oxide semiconductor layer (7a), a second insulating film (9), a source line (13as), a drain electrode (13ad), and a passivation film; and a terminal portion having a first connecting portion (3c) made of the same conductive film as the gate line, a second connecting portion (13c) made of the same conductive film as the source line and the drain electrode, and a third connecting portion (19c) formed on the second connecting portion. The second connecting portion is in contact with the first connecting portion within a first opening (11c) provided in the first and second insulating films; the third connecting portion (19c) is in contact with the second connecting portion within a second opening (17c) provided in the passivation film; and the second connecting portion (13c) covers end faces of the first and second insulating films within the first opening (11c), but does not cover an end face of the passivation film (15) within the second opening (17c). As a result, the taper shape of a contact hole of the terminal portion can be controlled with a high precision.

摘要翻译： 半导体器件包括：具有栅极线（3a），第一绝缘膜（5），岛状氧化物半导体层（7a），第二绝缘膜（9），源极线（13as））的薄膜晶体管， ，漏电极（13ad）和钝化膜; 以及具有由与栅极线相同的导电膜制成的第一连接部分（3c）的端子部分，由与源极线和漏极电极相同的导电膜制成的第二连接部分（13c）和第三连接部分 （19c）形成在第二连接部分上。 第二连接部分在设置在第一和第二绝缘膜中的第一开口（11c）内与第一连接部分接触; 所述第三连接部分（19c）在设置在所述钝化膜中的第二开口（17c）内与所述第二连接部分接触; 并且所述第二连接部分（13c）覆盖所述第一开口（11c）内的所述第一和第二绝缘膜的端面，但不覆盖所述第二开口（17c）内的所述钝化膜（15）的端面。 结果，可以高精度地控制端子部分的接触孔的锥形形状。

公开(公告)号：US20130134411A1

公开(公告)日：2013-05-30

申请号：US13640868

申请日：2011-04-05

申请人： Okifumi Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Yoshimasa Chikama ,  Tsuyoshi Inoue ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Hinae Mizuno

发明人： Okifumi Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tsuyoshi Inoue ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742

摘要： A semiconductor device (100A) according to the present invention includes an oxide semiconductor layer (31a), first and second source electrodes (52a1 and 52a2), and first and second drain electrodes (53a1 and 53a2). The second source electrode (52a2) is formed to be in contact with a top surface of the first source electrode and inner to the first source electrode (52a1). The second drain electrode (53a2) is formed to be in contact with a top surface of the first drain electrode (53a1) and inner to the first drain electrode (53a1). The oxide semiconductor layer (31a) is formed to be in contact with the top surface of the first source electrode (52a1) and the top surface of the first drain electrode (53a1).

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件（100A）包括氧化物半导体层（31a），第一和第二源电极（52a1和52a2）以及第一和第二漏电极（53a1和53a2）。 第二源电极（52a2）形成为与第一源电极的顶表面接触并且在第一源电极（52a1）内部。 第二漏电极（53a2）形成为与第一漏电极（53a1）的顶表面接触并且在第一漏极电极（53a1）的内部。 氧化物半导体层（31a）形成为与第一源电极（52a1）的顶表面和第一漏电极（53a1）的顶表面接触。

公开(公告)号：US09035295B2

公开(公告)日：2015-05-19

申请号：US13640868

申请日：2011-04-05

申请人： Okifumi Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Yoshimasa Chikama ,  Tsuyoshi Inoue ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto ,  Hinae Mizuno

发明人： Okifumi Nakagawa ,  Yoshifumi Ohta ,  Yuuji Mizuno ,  Yoshimasa Chikama ,  Tsuyoshi Inoue ,  Masahiko Suzuki ,  Michiko Takei ,  Yoshiyuki Harumoto ,  Yoshinobu Miyamoto

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/10 ,  H01L29/76 ,  H01L21/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/66742

摘要： A semiconductor device (100A) according to the present invention includes an oxide semiconductor layer (31a), first and second source electrodes (52a1 and 52a2), and first and second drain electrodes (53a1 and 53a2). The second source electrode (52a2) is formed to be in contact with a top surface of the first source electrode and inner to the first source electrode (52a1). The second drain electrode (53a2) is formed to be in contact with a top surface of the first drain electrode (53a1) and inner to the first drain electrode (53a1). The oxide semiconductor layer (31a) is formed to be in contact with the top surface of the first source electrode (52a1) and the top surface of the first drain electrode (53a1).

摘要翻译： 根据本发明的半导体器件（100A）包括氧化物半导体层（31a），第一和第二源电极（52a1和52a2）以及第一和第二漏电极（53a1和53a2）。 第二源电极（52a2）形成为与第一源电极的顶表面接触并且在第一源电极（52a1）内部。 第二漏电极（53a2）形成为与第一漏电极（53a1）的顶表面接触并且在第一漏极电极（53a1）的内部。 氧化物半导体层（31a）形成为与第一源电极（52a1）的顶表面和第一漏电极（53a1）的顶表面接触。