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    Magnetic tracks, information storage devices including magnetic tracks, and methods of operating information storage devices
    23.
    发明申请
    Magnetic tracks, information storage devices including magnetic tracks, and methods of operating information storage devices 失效
    磁迹，包括磁迹的信息存储设备，以及操作信息存储设备的方法

    公开(公告)号：US20100149863A1

    公开(公告)日：2010-06-17

    申请号：US12461062

    申请日：2009-07-30

    申请人： Sung-chul Lee ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pl ,  Ji-young Bae

    发明人： Sung-chul Lee ,  Jai-kwang Shin ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pl ,  Ji-young Bae

    IPC分类号： G11C11/14

    CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675

    摘要： A magnetic track includes first and second magnetic domain regions having different lengths and different magnetic domain wall movement speeds. A longer of the first and second magnetic domain regions serves as an information read/write region. An information storage device includes a magnetic track. The magnetic track includes a plurality of magnetic domain regions and a magnetic domain wall region formed between neighboring magnetic domain regions. The plurality of magnetic domain regions includes a first magnetic domain region and at least one second magnetic domain region having a smaller length than the first magnetic domain region. The information storage device further includes a first unit configured to perform at least one of an information recording operation and an information reproducing operation on the first magnetic domain region, and a magnetic domain wall movement unit configured to move a magnetic domain wall of the magnetic domain wall region.

    摘要翻译： 磁道包括具有不同长度和不同磁畴壁移动速度的第一和第二磁畴区域。 第一和第二磁畴区域中较长的区域用作信息读/写区域。 信息存储装置包括磁道。 磁道包括多个磁畴区域和形成在相邻磁畴区域之间的磁畴壁区域。 多个磁畴区域包括第一磁畴区域和具有比第一磁畴区域更小的长度的至少一个第二磁畴区域。 信息存储装置还包括被配置为在第一磁畴区域上执行信息记录操作和信息再现操作中的至少一个的第一单元和被配置为移动磁畴的磁畴壁的磁畴壁移动单元 墙区域。

    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of operating the same
    29.
    发明授权
    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of operating the same 有权
    信息存储设备采用磁畴壁运动和操作方式相同

    公开(公告)号：US07885104B2

    公开(公告)日：2011-02-08

    申请号：US12155798

    申请日：2008-06-10

    申请人： Ji-young Bae ,  Kwang-seok Kim ,  Mathias Kläui

    发明人： Ji-young Bae ,  Kwang-seok Kim ,  Mathias Kläui

    IPC分类号： G11C11/14

    CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607

    摘要： An information storage device includes a magnetic layer configured to store information, a first and second conductive layer. The first conductive layer contacts a first end of the magnetic layer. The second conductive layer contacts a second end of the magnetic layer. The magnetic layer includes first and second pinning regions at which magnetic domain walls are pinned. The widths of the magnetic layer at the first and second pinning regions are different.

    摘要翻译： 信息存储装置包括被配置为存储信息的磁性层，第一和第二导电层。 第一导电层接触磁性层的第一端。 第二导电层接触磁性层的第二端。 磁性层包括在其上固定磁畴壁的第一和第二钉扎区域。 第一和第二钉扎区域的磁性层的宽度是不同的。

    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of operating the same
    30.
    发明申请
    Information storage devices using magnetic domain wall movement and methods of operating the same 有权
    信息存储设备采用磁畴壁运动和操作方式相同

    公开(公告)号：US20090180218A1

    公开(公告)日：2009-07-16

    申请号：US12155798

    申请日：2008-06-10

    申请人： Ji-young Bae ,  Kwang-seok Kim ,  Mathias Klaui

    发明人： Ji-young Bae ,  Kwang-seok Kim ,  Mathias Klaui

    IPC分类号： G11B5/33

    CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C11/5607

    摘要： An information storage device includes a magnetic layer configured to store information, a first and second conductive layer. The first conductive layer contacts a first end of the magnetic layer. The second conductive layer contacts a second end of the magnetic layer. The magnetic layer includes first and second pinning regions at which magnetic domain walls are pinned. The widths of the magnetic layer at the first and second pinning regions are different.

    摘要翻译： 信息存储装置包括被配置为存储信息的磁性层，第一和第二导电层。 第一导电层接触磁性层的第一端。 第二导电层接触磁性层的第二端。 磁性层包括在其上固定磁畴壁的第一和第二钉扎区域。 第一和第二钉扎区域的磁性层的宽度是不同的。