公开(公告)号：US08592799B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US13067254

申请日：2011-05-19

申请人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H01L29/06

CPC分类号： H01L29/66477 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/1079 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78606 ,  H01L29/78684 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/838 ,  Y10S977/842

摘要： A graphene electronic device and a method of fabricating the graphene electronic device are provided. The graphene electronic device may include a graphene channel layer formed on a hydrophobic polymer layer, and a passivation layer formed on the graphene channel layer. The hydrophobic polymer layer may prevent or reduce adsorption of impurities to transferred graphene, and a passivation layer may also prevent or reduce adsorption of impurities to a heat-treated graphene channel layer.

摘要翻译： 提供石墨烯电子器件和制造石墨烯电子器件的方法。 石墨烯电子器件可以包括形成在疏水聚合物层上的石墨烯通道层和形成在石墨烯通道层上的钝化层。 疏水性聚合物层可以防止或减少杂质对转移的石墨烯的吸附，并且钝化层也可以防止或减少杂质对经热处理的石墨烯通道层的吸附。

公开(公告)号：US08575665B2

公开(公告)日：2013-11-05

申请号：US13224941

申请日：2011-09-02

申请人： Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hee-jun Yang

发明人： Jin-seong Heo ,  Hyun-jong Chung ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/401 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/786 ,  Y10S977/936

摘要： The graphene electronic device may include a gate oxide on a conductive substrate, the conductive substrate configured to function as a gate electrode, a pair of first metals on the gate oxide, the pair of the first metals separate from each other, a graphene channel layer extending between the first metals and on the first metals, and a source electrode and a drain electrode on both edges of the graphene channel layer.

公开(公告)号：US08525601B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12654703

申请日：2009-12-29

申请人： Sung-chul Lee ,  Mathias Klaui ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Ji-young Bae ,  Jin-seong Heo

发明人： Sung-chul Lee ,  Mathias Klaui ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Ji-young Bae ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H03B17/00

CPC分类号： H03B15/006 ,  Y10T428/1121

摘要： An oscillator generates a signal using precession of a magnetic moment of a magnetic domain wall. The oscillator includes a free layer having the magnetic domain wall and a fixed layer corresponding to the magnetic domain wall. A non-magnetic separation layer is interposed between the free layer and the fixed layer.

摘要翻译： 振荡器使用磁畴壁的磁矩的进动产生信号。 振荡器包括具有磁畴壁的自由层和对应于磁畴壁的固定层。 非磁性分离层介于自由层和固定层之间。

公开(公告)号：US20130075700A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13431031

申请日：2012-03-27

申请人： Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

发明人： Hee-jun Yang ,  Seong-jun Park ,  Hyun-jong Chung ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/12 ,  B82Y99/00

CPC分类号： H01L29/456 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/41725 ,  H01L29/45 ,  H01L29/452 ,  H01L29/78

摘要： According to example embodiments, an electrode structure includes a graphene layer on a semiconductor layer and an electrode containing metal on the graphene layer. A field effect transistor (FET) may include the electrode structure.

摘要翻译： 根据示例性实施例，电极结构包括在半导体层上的石墨烯层和在石墨烯层上含有金属的电极。 场效应晶体管（FET）可以包括电极结构。

公开(公告)号：US08405133B2

公开(公告)日：2013-03-26

申请号：US13286592

申请日：2011-11-01

申请人： Hyun-jong Chung ,  Jae-ho Lee ,  Jae-hong Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

发明人： Hyun-jong Chung ,  Jae-ho Lee ,  Jae-hong Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/76

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778

摘要： In a semiconductor device including graphene, a gate insulating layer may be formed between a gate electrode and a graphene layer, and an interlayer insulating layer may be formed under a portion of the graphene layer under which the gate insulating layer is not formed. The gate insulating layer may include a material that has higher dielectric permittivity than the interlayer insulating layer.

摘要翻译： 在包括石墨烯的半导体器件中，可以在栅电极和石墨烯层之间形成栅极绝缘层，并且可以在没有形成栅极绝缘层的石墨烯层的一部分下方形成层间绝缘层。 栅极绝缘层可以包括具有比层间绝缘层更高的介电常数的材料。

公开(公告)号：US20120112250A1

公开(公告)日：2012-05-10

申请号：US13286592

申请日：2011-11-01

申请人： Hyun-jong Chung ,  Jae-ho Lee ,  Jae-hong Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

发明人： Hyun-jong Chung ,  Jae-ho Lee ,  Jae-hong Lee ,  Hyung-cheol Shin ,  Sun-ae Seo ,  Sung-hoon Lee ,  Jin-seong Heo ,  Hee-jun Yang

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/41758 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/778

摘要： In a semiconductor device including graphene, a gate insulating layer may be formed between a gate electrode and a graphene layer, and an interlayer insulating layer may be formed under a portion of the graphene layer under which the gate insulating layer is not formed. The gate insulating layer may include a material that has higher dielectric permittivity than the interlayer insulating layer.

摘要翻译： 在包括石墨烯的半导体器件中，可以在栅电极和石墨烯层之间形成栅极绝缘层，并且可以在没有形成栅极绝缘层的石墨烯层的一部分下方形成层间绝缘层。 栅极绝缘层可以包括具有比层间绝缘层更高的介电常数的材料。

公开(公告)号：US08101980B2

公开(公告)日：2012-01-24

申请号：US12805933

申请日：2010-08-25

申请人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

发明人： Jin-seong Heo ,  Sun-ae Seo ,  Dong-chul Kim ,  Yun-sung Woo ,  Hyun-jong Chung

IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/78 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78684

摘要： Provided is a graphene device and a method of manufacturing the same. The graphene device may include an upper oxide layer on at least one embedded gate, and a graphene channel and a plurality of electrodes on the upper oxide layer. The at least one embedded gate may be formed on the substrate. The graphene channel may be formed on the plurality of electrodes, or the plurality of electrodes may be formed on the graphene channel.

摘要翻译： 提供了一种石墨烯装置及其制造方法。 石墨烯装置可以包括在至少一个嵌入式栅极上的上部氧化物层，以及石墨烯通道和上部氧化物层上的多个电极。 至少一个嵌入式栅极可以形成在衬底上。 可以在多个电极上形成石墨烯通道，或者可以在石墨烯通道上形成多个电极。

公开(公告)号：US20110210314A1

公开(公告)日：2011-09-01

申请号：US12929817

申请日：2011-02-17

申请人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

发明人： Hyun-jong Chung ,  Seung-jae Baek ,  Sun-ae Seo ,  Yun-sung Woo ,  Jin-seong Heo ,  David Seo

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/335

CPC分类号： H01L29/66045 ,  H01L23/522 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/124 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/45 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78684 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A graphene electronic device may include a silicon substrate, connecting lines on the silicon substrate, a first electrode and a second electrode on the silicon substrate, and an interlayer dielectric on the silicon substrate. The interlayer dielectric may be configured to cover the connecting lines and the first and second electrodes and the interlayer dielectric may be further configured to expose at least a portion of the first and second electrodes. The graphene electronic device may further include an insulating layer on the interlayer dielectric and a graphene layer on the insulating layer, the graphene layer having a first end and a second end. The first end of the graphene layer may be connected to the first electrode and the second end of the graphene layer may be connected to the second electrode.

摘要翻译： 石墨烯电子器件可以包括硅衬底，硅衬底上的连接线，硅衬底上的第一电极和第二电极以及硅衬底上的层间电介质。 层间电介质可以被配置为覆盖连接线，并且第一和第二电极和层间电介质可以被进一步配置为暴露第一和第二电极的至少一部分。 所述石墨烯电子器件还可以包括在所述层间电介质上的绝缘层和所述绝缘层上的石墨烯层，所述石墨烯层具有第一端和第二端。 石墨烯层的第一端可以连接到第一电极，并且石墨烯层的第二端可以连接到第二电极。

公开(公告)号：US20110108609A1

公开(公告)日：2011-05-12

申请号：US12805084

申请日：2010-07-12

申请人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

发明人： Yun-sung Woo ,  David Seo ,  Sun-ae Seo ,  Hyun-jong Chung ,  Sae-ra Kang ,  Jin-seong Heo

IPC分类号： B23K31/02 ,  B05D1/36 ,  C23C16/26 ,  C23C14/34 ,  B23K20/00

CPC分类号： C01B31/0453 ,  B01J23/755 ,  B01J37/347 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B32/186 ,  C01B2204/04 ,  C23C16/0281 ,  C23C16/26

摘要： Methods of fabricating graphene using an alloy catalyst may include forming an alloy catalyst layer including nickel on a substrate and forming a graphene layer by supplying hydrocarbon gas onto the alloy catalyst layer. The alloy catalyst layer may include nickel and at least one selected from the group consisting of copper, platinum, iron and gold. When the graphene is fabricated, a catalyst metal that reduces solubility of carbon in Ni may be used together with Ni in the alloy catalyst layer. An amount of carbon that is dissolved may be adjusted and a uniform graphene monolayer may be fabricated.

摘要翻译： 使用合金催化剂制造石墨烯的方法可以包括在基板上形成包含镍的合金催化剂层，并通过向合金催化剂层供给烃气体来形成石墨烯层。 合金催化剂层可以包括镍和选自铜，铂，铁和金中的至少一种。 当制造石墨烯时，可以在合金催化剂层中与Ni一起使用降低碳在Ni中的溶解度的催化剂金属。 可以调节溶解的碳的量，并且可以制造均匀的石墨烯单层。

公开(公告)号：US20110045318A1

公开(公告)日：2011-02-24

申请号：US12662215

申请日：2010-04-06

申请人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Jin-seong Heo ,  Ji-young Bae

发明人： Sung-chul Lee ,  Sun-ae Seo ,  Young-jin Cho ,  Ung-hwan Pi ,  Jin-seong Heo ,  Ji-young Bae

IPC分类号： G11B5/66

CPC分类号： G11B5/72 ,  G11B5/7325 ,  G11C11/14

摘要： A magnetic memory device includes a track in which different non-magnetic layers are respectively formed on upper and lower surfaces of a magnetic layer. One of the two non-magnetic layers includes an element having an atomic number greater than or equal to 12. Accordingly, the magnetic layer has a relatively high non-adiabaticity (β).

摘要翻译： 一种磁存储器件包括其中分别在磁性层的上表面和下表面上形成不同非磁性层的轨道。 两个非磁性层中的一个包括具有大于或等于12的原子序数的元素。因此，磁性层具有相对高的非绝热性（＆Bgr）。