公开(公告)号：US20060051882A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US11210220

申请日：2005-08-22

申请人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming an oxide layer on a substrate, and forming a high-k dielectric layer on the oxide layer. The oxide layer and the high-k dielectric layer are then annealed at a sufficient temperature for a sufficient time to generate a gate dielectric with a graded dielectric constant.

公开(公告)号：US07999351B2

公开(公告)日：2011-08-16

申请号：US12215322

申请日：2008-06-25

申请人： Matthew Metz ,  Gilbert Dewey

发明人： Matthew Metz ,  Gilbert Dewey

IPC分类号： H01L29/92

CPC分类号： H01L21/31645 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： Embodiments of a phase-stable amorphous high-κ dielectric layer in a device and methods for forming the phase-stable amorphous high-κ dielectric layer in a device are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 相稳定的非晶高分子化合物的实施方案 器件中的介电层和用于形成相稳定非晶高分子化合物的方法; 这里通常描述器件中的介电层。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20060166447A1

公开(公告)日：2006-07-27

申请号：US11390892

申请日：2006-03-27

申请人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming an oxide layer on a substrate, and forming a high-k dielectric layer on the oxide layer. The oxide layer and the high-k dielectric layer are then annealed at a sufficient temperature for a sufficient time to generate a gate dielectric with a graded dielectric constant.

公开(公告)号：US20090321707A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12215321

申请日：2008-06-25

申请人： Matthew Metz ,  Gilbert Dewey

发明人： Matthew Metz ,  Gilbert Dewey

IPC分类号： H01L47/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L28/40 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： Embodiments of an apparatus with a crystallization-resistant high-κ dielectric and nanolaminate layer stack in a device and methods for forming crystallization-resistant high-κ dielectric and nanolaminate layer stack are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 本文中一般地描述了在装置中具有耐结晶性高kappa介电层和纳米层间叠层的装置的实施方案和用于形成耐结晶的高k电介质和纳米层间叠层的方法。 可以描述和要求保护其他实施例。

公开(公告)号：US20090085082A1

公开(公告)日：2009-04-02

申请号：US11863211

申请日：2007-09-27

申请人： Gilbert Dewey ,  Matthew Metz ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau

发明人： Gilbert Dewey ,  Matthew Metz ,  Jack Kavalieros ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L29/94 ,  H01L23/58 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/02189 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45529 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02194 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L28/40

摘要： Controlled deposition of HfO2 and ZrO2 dielectrics is generally described. In one example, a microelectronic apparatus includes a substrate and a dielectric film coupled with the substrate, the dielectric film including ZrO2 and HfO2 wherein the ratio of Zr to Hf in the dielectric film is about 5 to 10 atoms of Zr for every 1 atom of Hf to reduce ToxE or reduce Jox of the dielectric film.

摘要翻译： 通常描述HfO 2和ZrO 2电介质的受控沉积。 在一个示例中，微电子装置包括衬底和与衬底耦合的电介质膜，电介质膜包括ZrO 2和HfO 2，其中介电膜中的Zr与Hf的比率为每1个原子的约5至10个原子的Zr Hf以减少ToxE或减少电介质膜的Jox。

公开(公告)号：US20080087985A1

公开(公告)日：2008-04-17

申请号：US11998236

申请日：2007-11-29

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L23/58

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3141 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A buffer layer and a high-k metal oxide dielectric may be formed over a smooth silicon substrate. The substrate smoothness may reduce column growth of the high-k metal oxide gate dielectric. The surface of the substrate may be saturated with hydroxyl terminations prior to deposition.

摘要翻译： 可以在平滑的硅衬底上形成缓冲层和高k金属氧化物电介质。 衬底平滑度可能降低高k金属氧化物栅极电介质的柱生长。 在沉积之前，衬底的表面可能被羟基终止物饱和。

公开(公告)号：US20070152271A1

公开(公告)日：2007-07-05

申请号：US11322745

申请日：2005-12-30

申请人： Gilbert Dewey ,  Mark Doczy ,  Suman Datta ,  Justin Brask ,  Matthew Metz

发明人： Gilbert Dewey ,  Mark Doczy ,  Suman Datta ,  Justin Brask ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L29/76

CPC分类号： H01L29/513 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device and a novel semiconductor device are disclosed herein. An exemplary method includes sputtering a capping layer in-situ on a gate dielectric layer, before any high temperature processing steps are performed.

摘要翻译： 本文公开了半导体器件和新型半导体器件的制造方法。 示例性的方法包括在执行任何高温处理步骤之前，在栅介质层上原位溅射覆盖层。

公开(公告)号：US20060051880A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10935784

申请日：2004-09-07

申请人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Gilbert Dewey ,  Suman Datta ,  Sangwoo Pae ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Adrian Sherrill ,  Markus Kuhn ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20

CPC分类号： H01L21/0214 ,  H01L21/02142 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/022 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/3144 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming an oxide layer on a substrate, and forming a high-k dielectric layer on the oxide layer. The oxide layer and the high-k dielectric layer are then annealed at a sufficient temperature for a sufficient time to generate a gate dielectric with a graded dielectric constant.

公开(公告)号：US20060001071A1

公开(公告)日：2006-01-05

申请号：US10882734

申请日：2004-06-30

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Gilbert Dewey ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L27/108

CPC分类号： H01L21/0228 ,  H01L21/02052 ,  H01L21/02175 ,  H01L21/28167 ,  H01L21/3141 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A buffer layer and a high-k metal oxide dielectric may be formed over a smooth silicon substrate. The substrate smoothness may reduce column growth of the high-k metal oxide gate dielectric. The surface of the substrate may be saturated with hydroxyl terminations prior to deposition.

公开(公告)号：US20090321941A1

公开(公告)日：2009-12-31

申请号：US12215322

申请日：2008-06-25

申请人： Matthew Metz ,  Gilbert Dewey

发明人： Matthew Metz ,  Gilbert Dewey

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/31645 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02181 ,  H01L21/02189 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/3141 ,  H01L21/3162 ,  H01L21/31641 ,  H01L28/40 ,  H01L28/90

摘要： Embodiments of a phase-stable amorphous high-κ dielectric layer in a device and methods for forming the phase-stable amorphous high-κ dielectric layer in a device are generally described herein. Other embodiments may be described and claimed.

摘要翻译： 装置中相位稳定的非晶高k电介质层的实施方案和装置中形成相稳定非晶高k电介质层的方法一般在此描述。 可以描述和要求保护其他实施例。