公开(公告)号：US08066806B2

公开(公告)日：2011-11-29

申请号：US13040838

申请日：2011-03-04

申请人： Hirofumi Fukuoka ,  Meguru Kashida ,  Toshio Ohba

发明人： Hirofumi Fukuoka ,  Meguru Kashida ,  Toshio Ohba

IPC分类号： C01B33/113 ,  C23C16/40

CPC分类号： C23C14/10 ,  C23C14/24 ,  Y10T428/31667

摘要： A sintered silicon oxide for film vapor deposition having a density of 1.0 to 2.0 g/cm3, three-point flexural strength of at least 50 g/mm2, and a BET specific surface area of 0.1 to 20 m2/g is provided. When this sintered silicon oxide is used for evaporation source of a film, pin holes and other defects of the film caused by the problematic splash phenomenon can be reliably prevented and stable production of a reliable package material having excellent gas barrier property is been enabled. This invention also provides a method for producing such sintered silicon oxide, and this method can be used in a large scale production without requiring any special technology, and therefore, this method is capable of supplying the market with the sintered silicon oxide at reduced cost.

摘要翻译： 提供密度为1.0〜2.0g / cm 3，三点弯曲强度为至少50g / mm 2，BET比表面积为0.1〜20m 2 / g的薄膜蒸镀烧结二氧化硅。 当该烧结氧化硅用于膜的蒸发源时，可以可靠地防止由有问题的溅射现象引起的针孔和其它缺陷，并且能够稳定地生产具有优异阻气性的可靠的封装材料。 本发明还提供了一种制造这种烧结氧化硅的方法，并且该方法可以大规模生产而不需要任何特殊技术，因此该方法能够以降低的成本为市场提供烧结氧化硅。

公开(公告)号：US07794681B2

公开(公告)日：2010-09-14

申请号：US11790031

申请日：2007-04-23

申请人： Hirofumi Fukuoka ,  Mikio Aramata ,  Satoru Miyawaki

发明人： Hirofumi Fukuoka ,  Mikio Aramata ,  Satoru Miyawaki

IPC分类号： C01B33/12 ,  C01B15/14 ,  C01B21/068 ,  B01D5/00 ,  B01D7/00

CPC分类号： C01B33/113 ,  C01B33/182

摘要： An efficient method for producing a silicon oxide powder at a low cost is provided. This method comprises the steps of heating a powder mixture of a silicon dioxide powder and a metal silicon powder to a temperature of 1,100 to 1,450° C. in an inert gas or under reduced pressure to generate silicon monoxide gas, and precipitating the silicon monoxide gas on a surface of a substrate to produce the silicon oxide powder, and in this method, the silicon dioxide powder has an average particle diameter of up to 1 μm, and the metal silicon powder has an average particle diameter of 30 μm.

摘要翻译： 提供了一种以低成本生产氧化硅粉末的有效方法。 该方法包括以惰性气体或减压的方式将二氧化硅粉末和金属硅粉末的粉末混合物加热至1100〜1450℃的温度，生成一氧化硅气体，使一氧化硅气体 在基板的表面上形成氧化硅粉末，在该方法中，二氧化硅粉末的平均粒径为1μm以下，金属硅粉的平均粒径为30μm。

公开(公告)号：US07790316B2

公开(公告)日：2010-09-07

申请号：US11085518

申请日：2005-03-22

申请人： Mikio Aramata ,  Satoru Miyawaki ,  Hirofumi Fukuoka ,  Kazuma Momii ,  Kouichi Urano

发明人： Mikio Aramata ,  Satoru Miyawaki ,  Hirofumi Fukuoka ,  Kazuma Momii ,  Kouichi Urano

IPC分类号： H01M4/58 ,  H01B1/04 ,  C01B33/12 ,  C01B33/00 ,  C01B31/36 ,  C01B21/068

CPC分类号： H01B1/122 ,  H01M4/0471 ,  H01M4/13 ,  H01M4/131 ,  H01M4/133 ,  H01M4/136 ,  H01M4/139 ,  H01M4/364 ,  H01M4/386 ,  H01M4/485 ,  H01M4/58 ,  H01M4/587 ,  H01M4/60 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027

摘要： Silicon composite particles are prepared by sintering primary fine particles of silicon, silicon alloy or silicon oxide together with an organosilicon compound. Sintering of the organosilicon compound results in a silicon-base inorganic compound which serves as a binder. Each particle has the structure that silicon or silicon alloy fine particles are dispersed in the silicon-base inorganic compound binder, and voids are present within the particle.

摘要翻译： 通过将硅，硅合金或氧化硅的一次微粒与有机硅化合物一起烧结来制备硅复合颗粒。 有机硅化合物的烧结产生作为粘合剂的硅基无机化合物。 每个颗粒具有将硅或硅合金细颗粒分散在硅基无机化合物粘合剂中的结构，并且在颗粒内存在空隙。

公开(公告)号：US07776473B2

公开(公告)日：2010-08-17

申请号：US11689649

申请日：2007-03-22

申请人： Mikio Aramata ,  Koichiro Watanabe ,  Satoru Miyawaki ,  Meguru Kashida ,  Hirofumi Fukuoka

发明人： Mikio Aramata ,  Koichiro Watanabe ,  Satoru Miyawaki ,  Meguru Kashida ,  Hirofumi Fukuoka

IPC分类号： H01M4/58

CPC分类号： H01M10/0525 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/485 ,  H01M2004/027

摘要： A silicon-silicon oxide-lithium composite comprises a silicon-silicon oxide composite having such a structure that silicon grains having a size of 0.5-50 nm are dispersed in silicon oxide, the silicon-silicon oxide composite being doped with lithium. Using the silicon-silicon oxide-lithium composite as a negative electrode material, a lithium ion secondary cell having a high initial efficiency and improved cycle performance can be constructed.

摘要翻译： 硅 - 氧化硅 - 锂复合材料包括具有这样的结构的硅 - 硅氧化物复合体，其尺寸为0.5-50nm的硅颗粒分散在氧化硅中，硅 - 氧化硅复合材料掺杂有锂。 使用硅 - 氧化锂 - 锂复合材料作为负极材料，可以构建具有高初始效率和改进的循环性能的锂离子二次电池。

公开(公告)号：US07431899B2

公开(公告)日：2008-10-07

申请号：US10784259

申请日：2004-02-24

申请人： Hirofumi Fukuoka ,  Susumu Ueno ,  Takeshi Fukuda

发明人： Hirofumi Fukuoka ,  Susumu Ueno ,  Takeshi Fukuda

IPC分类号： C01B33/20

CPC分类号： H01M4/485 ,  C01B33/113 ,  C01P2006/12 ,  C09C1/0018 ,  H01M4/48 ,  H01M10/0525

摘要： A silicon oxide powder can be continuously prepared by feeding a raw material powder mixture containing silicon dioxide powder into a reaction chamber (2) at a temperature of 1,100-1,600° C., to produce a silicon oxide gas, transferring the silicon oxide gas to a deposition chamber (11) through a transfer conduit (10) maintained at a temperature of from higher than 1,000° C. to 1,300° C., causing silicon oxide to deposit on a substrate (13) which is disposed and cooled in the deposition chamber, scraping the silicon oxide deposit, and recovering the deposit in a recovery chamber (18). The method and apparatus is capable of continuous and stable production of amorphous silicon oxide powder of high purity.

摘要翻译： 可以通过在1100〜1600℃的温度下将含有二氧化硅粉末的原料粉末混合物进料到反应室（2）中来连续制备氧化硅粉末，以产生氧化硅气体，将氧化硅气体转移到 沉积室（11），其通过保持在高于1,000℃至1300℃的温度的转移管道（10），使得氧化硅沉积在沉积物中的基底（13）上，所述基底（13）在沉积物中被设置和冷却 刮擦氧化硅沉积物，并将沉积物回收到回收室（18）中。 该方法和装置能够连续且稳定地生产高纯度的无定形氧化硅粉末。

公开(公告)号：US20080241475A1

公开(公告)日：2008-10-02

申请号：US12055985

申请日：2008-03-26

申请人： Hirofumi Fukuoka ,  Susumu Ueno ,  Mikio Aramata ,  Toshio Okada ,  Noriaki Hamaya ,  Takao Maeda

发明人： Hirofumi Fukuoka ,  Susumu Ueno ,  Mikio Aramata ,  Toshio Okada ,  Noriaki Hamaya ,  Takao Maeda

IPC分类号： B32B5/16 ,  B05D3/02 ,  B05D1/06

CPC分类号： C04B35/573 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5059 ,  C04B41/87 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/9684 ,  Y10T428/24421 ,  C04B41/0072 ,  C04B41/4515 ,  C04B41/4527 ,  C04B41/4556 ,  C04B35/83

摘要： A graphite-silicon carbide composite comprises a graphite substrate and a silicon carbide layer formed thereon and comprising silicon carbide particles in fused and contact bonded state. The composite has excellent oxidation resistance and finds a wide range of application as heat resistant material. The method of forming a silicon carbide layer on graphite surface is simple and consistent.

摘要翻译： 石墨 - 碳化硅复合材料包括在其上形成的石墨基底和碳化硅层，并且包括熔融和接触键合状态的碳化硅颗粒。 该复合材料具有优异的抗氧化性，可广泛应用于耐热材料。 在石墨表面形成碳化硅层的方法简单一致。

公开(公告)号：US20070248525A1

公开(公告)日：2007-10-25

申请号：US11790031

申请日：2007-04-23

申请人： Hirofumi Fukuoka ,  Mikio Aramata ,  Satoru Miyawaki

发明人： Hirofumi Fukuoka ,  Mikio Aramata ,  Satoru Miyawaki

IPC分类号： C01B33/12

CPC分类号： C01B33/113 ,  C01B33/182

摘要： An efficient method for producing a silicon oxide powder at a low cost is provided. This method comprises the steps of heating a powder mixture of a silicon dioxide powder and a metal silicon powder to a temperature of 1,100 to 1,450° C. in an inert gas or under reduced pressure to generate silicon monoxide gas, and precipitating the silicon monoxide gas on a surface of a substrate to produce the silicon oxide powder, and in this method, the silicon dioxide powder has an average particle diameter of up to 1 μm, and the metal silicon powder has an average particle diameter of 30 μm.

摘要翻译： 提供了一种以低成本生产氧化硅粉末的有效方法。 该方法包括以惰性气体或减压的方式将二氧化硅粉末和金属硅粉末的粉末混合物加热至1100〜1450℃的温度，生成一氧化硅气体，使一氧化硅气体 在基板的表面上形成氧化硅粉末，在该方法中，二氧化硅粉末的平均粒径达到1μm，金属硅粉的平均粒径为30μm。

公开(公告)号：US20070224508A1

公开(公告)日：2007-09-27

申请号：US11689649

申请日：2007-03-22

申请人： Mikio ARAMATA ,  Koichiro Watanabe ,  Satoru Miyawaki ,  Meguru Kashida ,  Hirofumi Fukuoka

发明人： Mikio ARAMATA ,  Koichiro Watanabe ,  Satoru Miyawaki ,  Meguru Kashida ,  Hirofumi Fukuoka

IPC分类号： H01M4/58 ,  C01B33/32

CPC分类号： H01M10/0525 ,  H01M4/134 ,  H01M4/1395 ,  H01M4/485 ,  H01M2004/027

摘要： A silicon-silicon oxide-lithium composite comprises a silicon-silicon oxide composite having such a structure that silicon grains having a size of 0.5-50 nm are dispersed in silicon oxide, the silicon-silicon oxide composite being doped with lithium. Using the silicon-silicon oxide-lithium composite as a negative electrode material, a lithium ion secondary cell having a high initial efficiency and improved cycle performance can be constructed.

摘要翻译： 硅 - 氧化硅 - 锂复合材料包括具有这样的结构的硅 - 硅氧化物复合体，其尺寸为0.5-50nm的硅颗粒分散在氧化硅中，硅 - 氧化硅复合材料掺杂有锂。 使用硅 - 氧化锂 - 锂复合材料作为负极材料，可以构建具有高初始效率和改进的循环性能的锂离子二次电池。

公开(公告)号：US06730283B2

公开(公告)日：2004-05-04

申请号：US10096849

申请日：2002-03-14

申请人： Hidetaka Konno ,  Mikio Aramata ,  Hirofumi Fukuoka

发明人： Hidetaka Konno ,  Mikio Aramata ,  Hirofumi Fukuoka

IPC分类号： C01B3136

CPC分类号： C01B32/956 ,  C01P2002/02 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/86 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/60 ,  C01P2006/80

摘要： A fine &bgr;-silicon carbide powder is prepared by impregnating graphite with an organosilicon compound selected from crosslinkable silanes and siloxanes, causing the organosilicon compound to crosslink within the graphite, and heating at 1,300° C. or higher in an inert gas stream for reaction. Using only low-temperature heat treatment in air and high-temperature heat treatment in inert gas, the invention enables industrial, economical manufacture of fine silicon carbide powder in a stable manner.

摘要翻译： 通过用选自可交联硅烷和硅氧烷的有机硅化合物浸渍石墨，使有机硅化合物在石墨内交联并在惰性气流中加热至1300℃以上进行反应来制备精细的β-碳化硅粉末。 在惰性气体中仅使用空气中的低温热处理和高温热处理，本发明能够以稳定的方式工业化，经济地制造细小的碳化硅粉末。

公开(公告)号：US06685906B2

公开(公告)日：2004-02-03

申请号：US09773521

申请日：2001-02-02

申请人： Hirofumi Fukuoka ,  Mikio Aramata ,  Kazutoshi Fujioka ,  Susumu Ueno ,  Takeshi Fukuda

发明人： Hirofumi Fukuoka ,  Mikio Aramata ,  Kazutoshi Fujioka ,  Susumu Ueno ,  Takeshi Fukuda

IPC分类号： C01B33113

CPC分类号： H01M4/485 ,  C01B33/113 ,  H01M4/131 ,  H01M10/0525 ,  H01M2004/021 ,  H01M2004/027 ,  Y10T436/24

摘要： Silicon oxide containing active silicon represented by the general formula: SiOx wherein x is from 0.8 to 1.9, when analyzed by solid state NMR (29Si DD/MAS) with a sufficient relaxation time set, exhibits a spectrum having two separate peaks, a broad peak (A1) centered at −70 ppm and a broad peak (A2) centered at −110 ppm, the area ratio A1/A2 being in the range of 0.1≦A1/A2≦1.0.

摘要翻译： 当通过固态NMR（29SiDD / MAS）以足够的弛豫时间设定分析时，由通式SiO x表示的含氧化硅的活性硅，其中x为0.8至1.9，表现出具有两个单独峰的光谱，宽峰 （A1）以-70ppm为中心，以-1.0ppm为中心的宽峰（A2），面积比A1 / A2在0.1 <= A1 / A2＆LE; 1.0的范围内。