公开(公告)号：US20050026318A1

公开(公告)日：2005-02-03

申请号：US10878904

申请日：2004-06-28

申请人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Masato Aoki

发明人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Masato Aoki

IPC分类号： C30B11/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： C01B21/06 ,  C30B11/002 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406

摘要： A crystal growth method, comprising the steps of: a) bringing a nitrogen material into a reaction vessel in which a mixed molten liquid comprising an alkaline metal and a group-III metal; and b) growing a crystal of a group-III nitride using the mixed molten liquid and the nitrogen material brought in by the step a) in the reaction vessel, wherein a provision is made such as to prevent a vapor of the alkaline metal from dispersing out of the reaction vessel.

摘要翻译： 一种晶体生长方法，包括以下步骤：a）将氮材料送入其中包含碱金属和III族金属的混合熔融液体的反应容器中; 以及b）使用混合的熔融液体和由步骤a）引入的氮材料在III族氮化物中生长晶体，其中设置如防止碱金属的蒸气分散 离开反应容器。

公开(公告)号：US06592663B1

公开(公告)日：2003-07-15

申请号：US09590063

申请日：2000-06-08

申请人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

发明人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

IPC分类号： C30B1104

CPC分类号： C30B7/105 ,  C09K11/62 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096 ,  Y10T428/2982

摘要： A method of making a bulk crystal substrate of a GaN single crystal includes the steps of forming a molten flux of an alkali metal in a reaction vessel and causing a growth of a GaN single crystal from the molten flux, wherein the growth is continued while replenishing a compound containing N from a source outside the reaction vessel.

摘要翻译： 制造GaN单晶的体晶衬底的方法包括以下步骤：在反应容器中形成碱金属的熔融焊剂，并引起来自熔融焊剂的GaN单晶的生长，其中在补充时持续生长 从反应容器外部的源含有N的化合物。

公开(公告)号：US09376763B2

公开(公告)日：2016-06-28

申请号：US13679499

申请日：2012-11-16

申请人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Minoru Fukuda ,  Tetsuya Takahashi ,  Akira Takahashi

发明人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Minoru Fukuda ,  Tetsuya Takahashi ,  Akira Takahashi

IPC分类号： C30B19/10 ,  C30B19/02 ,  C30B9/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/32 ,  C30B17/00 ,  C30B29/40 ,  C30B19/06

CPC分类号： C30B19/02 ,  C30B9/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/32 ,  C30B17/00 ,  C30B19/06 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032

摘要： A method for manufacturing a group III nitride crystal on a seed crystal in a holding vessel holding therein a melt containing a group III metal, an alkali metal and nitrogen. The manufacturing method comprises the steps of causing the seed crystal to make a contact with the melt, setting an environment of the seed crystal to a first state offset from a crystal growth condition while in a state in which said seed crystal is in contact with the melt, increasing a nitrogen concentration in the melt, and setting the environment of the seed crystal to a second state suitable for crystal growth when the nitrogen concentration of the melt has reached a concentration suitable for growing the seed crystal.

摘要翻译： 一种用于在保持容器中的晶种上制造III族氮化物晶体的方法，其中容纳含有III族金属，碱金属和氮的熔体。 该制造方法包括以下步骤：使晶种与熔体接触，将晶种的环境设定为偏离晶体生长条件的第一状态，同时在所述晶种与所述晶种接触的状态下 熔融，增加熔体中的氮浓度，并且当熔体的氮浓度达到适于种植晶种的浓度时，将晶种的环境设定为适合晶体生长的第二状态。

公开(公告)号：US09163325B2

公开(公告)日：2015-10-20

申请号：US13313359

申请日：2011-12-07

申请人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata ,  Akihiro Fuse

发明人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata ,  Akihiro Fuse

IPC分类号： C30B29/40 ,  C30B9/00 ,  C30B17/00

CPC分类号： C30B9/12 ,  C30B9/00 ,  C30B9/10 ,  C30B17/00 ,  C30B19/02 ,  C30B19/062 ,  C30B19/106 ,  C30B29/40 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1092

摘要： A crystal growth apparatus comprises a reaction vessel holding a melt mixture containing an alkali metal and a group III metal, a gas supplying apparatus supplying a nitrogen source gas to a vessel space exposed to the melt mixture inside the reaction vessel, a heating unit heating the melt mixture to a crystal growth temperature, and a support unit supporting a seed crystal of a group III nitride crystal inside the melt mixture.

摘要翻译： 晶体生长装置包括保持含有碱金属和III族金属的熔融混合物的反应容器，向暴露于反应容器内的熔融混合物的容器空间供给氮源气体的供气装置，加热单元 熔融混合物至晶体生长温度，以及支撑单元，其在熔融混合物内支撑III族氮化物晶体的籽晶。

公开(公告)号：US08591647B2

公开(公告)日：2013-11-26

申请号：US12367013

申请日：2009-02-06

申请人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

发明人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

IPC分类号： H01L21/322

CPC分类号： C30B7/105 ,  C09K11/62 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096 ,  Y10T428/2982

摘要： A method is provided for producing a single crystal body of a group III nitride, comprising the steps of forming a molten flux of a volatile metal in a reaction vessel and causing a growth of a GaN single crystal from the molten flux, wherein the growth is continued while replenishing a compound containing N from a source outside the reaction vessel, and wherein a seed crystal is disposed in the reaction vessel.

摘要翻译： 提供一种用于制造III族氮化物的单晶体的方法，包括以下步骤：在反应容器中形成挥发性金属的熔融焊剂，并使来自熔融焊剂的GaN单晶生长，其中生长是 在从反应容器外部的源补充含有N的化合物的同时继续，并且其中在反应容器中设置晶种。

公开(公告)号：US20130074762A1

公开(公告)日：2013-03-28

申请号：US13679499

申请日：2012-11-16

申请人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Minoru Fukuda ,  Tetsuya Takahashi ,  Akira Takahashi

发明人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama ,  Minoru Fukuda ,  Tetsuya Takahashi ,  Akira Takahashi

IPC分类号： C30B19/02 ,  C30B19/06

CPC分类号： C30B19/02 ,  C30B9/00 ,  C30B15/00 ,  C30B15/32 ,  C30B17/00 ,  C30B19/06 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1032

摘要： A method for manufacturing a group III nitride crystal on a seed crystal in a holding vessel holding therein a melt containing a group III metal, an alkali metal and nitrogen. The manufacturing method comprises the steps of causing the seed crystal to make a contact with the melt, setting an environment of the seed crystal to a first state offset from a crystal growth condition while in a state in which said seed crystal is in contact with the melt, increasing a nitrogen concentration in the melt, and setting the environment of the seed crystal to a second state suitable for crystal growth when the nitrogen concentration of the melt has reached a concentration suitable for growing the seed crystal.

摘要翻译： 一种用于在保持容器中的晶种上制造III族氮化物晶体的方法，其中容纳含有III族金属，碱金属和氮的熔体。 该制造方法包括以下步骤：使晶种与熔体接触，将晶种的环境设定为偏离晶体生长条件的第一状态，同时在所述晶种与所述晶种接触的状态下 熔融，增加熔体中的氮浓度，并且当熔体的氮浓度达到适于种植晶种的浓度时，将晶种的环境设定为适合晶体生长的第二状态。

公开(公告)号：US20130069078A1

公开(公告)日：2013-03-21

申请号：US13678880

申请日：2012-11-16

申请人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata

发明人： Seiji Sarayama ,  Hirokazu Iwata

IPC分类号： C30B9/00 ,  C30B25/18 ,  C30B23/02 ,  H01L21/20 ,  H01L29/20

CPC分类号： C30B9/00 ,  C30B9/12 ,  C30B17/00 ,  C30B23/025 ,  C30B25/18 ,  C30B25/20 ,  C30B29/403 ,  H01L21/20 ,  H01L29/2003 ,  Y10T117/10

摘要： A crystal producing apparatus includes a crystal forming unit and a crystal growing unit. The crystal forming unit forms a first gallium nitride (GaN) crystal by supplying nitride gas into melt mixture containing metal sodium (Na) and metal gallium (Ga). The first GaN crystal is sliced and polished to form GaN wafers. The crystal growing unit grows a second GaN crystal on a substrate formed by using a GaN wafer, by the hydride vapor phase epitaxy method, thus producing a bulked GaN crystal.

摘要翻译： 晶体制造装置包括晶体形成单元和晶体生长单元。 晶体形成单元通过向含有金属钠（Na）和金属镓（Ga）的熔融混合物供给氮化物而形成第一氮化镓（GaN）晶体。 将第一GaN晶体切片并抛光以形成GaN晶片。 晶体生长单元通过氢化物气相外延法在通过使用GaN晶片形成的衬底上生长第二GaN晶体，从而产生膨胀的GaN晶体。

公开(公告)号：US20090120354A1

公开(公告)日：2009-05-14

申请号：US12353608

申请日：2009-01-14

申请人： Seiji Sarayama ,  Hisanori Yamane ,  Masahiko Shimada ,  Masafumi Kumano ,  Hirokazu Iwata ,  Takashi Araki

发明人： Seiji Sarayama ,  Hisanori Yamane ,  Masahiko Shimada ,  Masafumi Kumano ,  Hirokazu Iwata ,  Takashi Araki

IPC分类号： C30B19/06

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B29/406 ,  H01L33/007 ,  H01S5/32341 ,  Y10T117/10 ,  Y10T117/1012 ,  Y10T117/1024 ,  Y10T117/1052 ,  Y10T117/106

摘要： A group-III nitride crystal growth method comprises the steps of: a) preparing a mixed molten liquid of an alkaline material and a substance at least containing a group-III metal; b) causing growth of a group-III nitride crystal from the mixed molten liquid prepared in the step a) and a substance at least containing nitrogen; and c) creating a state in which nitrogen can be introduced into the molten liquid prepared by the step a).

摘要翻译： III族氮化物晶体生长方法包括以下步骤：a）制备碱性材料和至少含有III族金属的物质的混合熔融液; b）从步骤a）中制备的混合熔融液体和至少含有氮的物质引起III族氮化物晶体的生长; 和c）产生可以将氮气引入到由步骤a）制备的熔融液体中的状态。

公开(公告)号：US07508003B2

公开(公告)日：2009-03-24

申请号：US11408656

申请日：2006-04-20

申请人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

发明人： Seiji Sarayama ,  Masahiko Shimada ,  Hisanori Yamane ,  Hirokazu Iwata

IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L29/167 ,  H01L33/00 ,  C01B21/06

CPC分类号： C30B7/105 ,  C09K11/62 ,  C30B7/00 ,  C30B9/00 ,  C30B11/00 ,  C30B15/00 ,  C30B29/403 ,  C30B29/406 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7783 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096 ,  Y10T428/2982

摘要： A crystal has a diameter of 1 cm or more and shows a strongest peak in cathode luminescent spectrum at a wavelength of 360 nm in correspondence to a band edge.

摘要翻译： 晶体具有1cm或更大的直径，并且对应于带边缘，在360nm波长处的阴极发光光谱中显示出最强峰。

公开(公告)号：US07220311B2

公开(公告)日：2007-05-22

申请号：US10702776

申请日：2003-11-07

申请人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama

发明人： Hirokazu Iwata ,  Seiji Sarayama

IPC分类号： C30B9/02

CPC分类号： C30B29/403 ,  C30B9/00 ,  C30B29/406 ,  Y10T117/1092 ,  Y10T117/1096

摘要： A crystal growth method of a group III nitride includes the steps of forming a melt mixture of an alkali metal and a group III element in a reaction vessel, and growing a crystal of a group III nitride formed of the group III element and nitrogen from the melt mixture in the reaction vessel, wherein the step of growing the crystal of the group III nitride is conducted while controlling an increase rate of degree of supersaturation of a group III nitride component in the melt mixture in a surface region of the melt mixture.