公开(公告)号：US5370904A

公开(公告)日：1994-12-06

申请号：US148744

申请日：1993-10-29

申请人： Katsutoshi Mine ,  Takashi Nakamura ,  Motoshi Sasaki

发明人： Katsutoshi Mine ,  Takashi Nakamura ,  Motoshi Sasaki

IPC分类号： C03C17/25 ,  C03C17/30 ,  C04B41/50 ,  C04B41/87 ,  C09D183/05 ,  C23C18/12 ,  H01L21/312 ,  H01L21/316 ,  B05D5/12

CPC分类号： C04B41/87 ,  C03C17/25 ,  C03C17/30 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5035 ,  C23C18/1204 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1275 ,  C23C18/1279 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/3124 ,  H01L21/316 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/11 ,  C03C2218/32

摘要： Disclosed is a method for the formation of a thick silicon oxide film on the surface of a substrate. The method comprises forming a hydrogen silsesquioxane resin film on the surface of a substrate and converting the hydrogen silsesquioxane resin into silicon oxide ceramic by heating the resin film-bearing substrate in an inert gas atmosphere at 250.degree. C. to 500.degree. C. until the content of silicon-bonded hydrogen in the silicon oxide product has reached .ltoreq.80% of the content of silicon-bonded hydrogen in the hydrogen silsesquioxane.

摘要翻译： 公开了在基板的表面上形成厚的氧化硅膜的方法。 该方法包括在基材表面上形成氢倍半硅氧烷树脂膜，并在250℃至500℃的惰性气体气氛中加热树脂膜承载基底，将氢倍半硅氧烷树脂转化为氧化硅陶瓷，直到 氧化硅产物中硅键合氢的含量已达到氢倍半硅氧烷中与硅键合的氢的含量的80％。

公开(公告)号：US5370903A

公开(公告)日：1994-12-06

申请号：US146380

申请日：1993-10-29

申请人： Katsutoshi Mine ,  Takashi Nakamura ,  Motoshi Sasaki

发明人： Katsutoshi Mine ,  Takashi Nakamura ,  Motoshi Sasaki

IPC分类号： C03C17/23 ,  C04B41/50 ,  C04B41/87 ,  C09D183/05 ,  C23C18/12 ,  H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  B05D5/12

CPC分类号： C04B41/87 ,  C03C17/23 ,  C04B41/009 ,  C04B41/5035 ,  C23C18/1212 ,  C23C18/122 ,  C23C18/1275 ,  H01L21/02134 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/316 ,  C03C2217/213 ,  C03C2218/32 ,  C04B2111/00844

摘要： Disclosed is a method for the formation of a thick silicon oxide film on the surface of a substrate. The method comprises forming a hydrogen silsesquioxane resin film on the surface of a substrate followed by converting the hydrogen silsesquioxane resin into silicon oxide ceramic by heating the resin film-bearing substrate in a mixed gas atmosphere of above 0 volume % up to 20 volume % oxygen and 80 volume % up to, but not including, 100 vol % inert gas until the content of silicon-bonded hydrogen in the silicon oxide product has reached .ltoreq.80% of the content of silicon-bonded hydrogen in the hydrogen silsesquioxane resin.

摘要翻译： 公开了在基板的表面上形成厚的氧化硅膜的方法。 该方法包括在基材表面上形成氢倍半硅氧烷树脂膜，然后将氢倍半硅氧烷树脂转化为氧化硅陶瓷，通过在含有0体积％至20体积％氧气的混合气体气氛中加热含树脂膜的基材 和80体积％直至但不包括100体积％的惰性气体，直到氧化硅产物中与硅键合的氢的含量达到氢倍半硅氧烷树脂中与硅键合的氢的含量的80％。