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    SRAM device having forward body bias control
    32.
    发明申请
    SRAM device having forward body bias control 有权
    具有前向偏置控制的SRAM器件

    公开(公告)号：US20050226032A1

    公开(公告)日：2005-10-13

    申请号：US10812894

    申请日：2004-03-31

    申请人： Stephen Tang ,  Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  Vivek De ,  James Tschanz

    发明人： Stephen Tang ,  Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  Vivek De ,  James Tschanz

    IPC分类号： G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/412

    摘要： A SRAM device is provided having a plurality of memory cells. Each memory cell may include a plurality of transistors coupled in a cross-coupled inverter configuration. An NMOS transistor may be coupled to a body of the two PMOS transistors in the cross-coupled inverter configuration so as to apply a forward body bias to the PMOS transistors of the cross-coupled inverter configuration. A power control unit may control a supply voltage to each of the PMOS transistors as well as apply the switching signal to the NMOS transistor based on a STANDBY mode of the memory cell.

    摘要翻译： 提供具有多个存储单元的SRAM器件。 每个存储单元可以包括以交叉耦合的反相器配置耦合的多个晶体管。 NMOS晶体管可以以交叉耦合的反相器配置耦合到两个PMOS晶体管的主体，以便向交叉耦合的反相器配置的PMOS晶体管施加正向偏置。 功率控制单元可以控制每个PMOS晶体管的电源电压，并且基于存储器单元的STANDBY模式将开关信号施加到NMOS晶体管。

    SRAM CELL POWER REDUCTION CIRCUIT
    34.
    发明申请
    SRAM CELL POWER REDUCTION CIRCUIT 有权
    SRAM单元功率降低电路

    公开(公告)号：US20060067109A1

    公开(公告)日：2006-03-30

    申请号：US10956195

    申请日：2004-09-30

    申请人： Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  James Tschanz ,  Stephen Tang ,  Vivek De

    发明人： Muhammad Khellah ,  Dinesh Somasekhar ,  Yibin Ye ,  James Tschanz ,  Stephen Tang ,  Vivek De

    IPC分类号： G11C5/14 ,  G11C11/00

    CPC分类号： G11C11/413

    摘要： A method is described that comprises modulating the power consumption of an SRAM as a function of its usage at least by reaching, with help of a transistor, a voltage on a node within an operational amplifier's feedback loop. The voltage is beyond another voltage that the operational amplifier would drive the node to be without the help of the transistor. The voltage helps the feedback loop establish a voltage drop across a cell within the SRAM.

    摘要翻译： 描述了一种方法，其包括至少通过在晶体管处达到运算放大器的反馈回路内的节点上的电压来调制作为其使用的函数的SRAM的功耗。 电压超过另一个电压，运算放大器将驱动节点没有晶体管的帮助。 电压有助于反馈回路在SRAM内的单元上建立一个压降。

    Level shifter
    35.
    发明授权
    Level shifter 有权
    电平移位器

    公开(公告)号：US07199617B1

    公开(公告)日：2007-04-03

    申请号：US11111060

    申请日：2005-04-21

    申请人： Gerhard Schrom ,  Dinesh Somasekhar ,  Peter Hazucha ,  Stephen Tang ,  Vivek De

    发明人： Gerhard Schrom ,  Dinesh Somasekhar ,  Peter Hazucha ,  Stephen Tang ,  Vivek De

    IPC分类号： H04K19/094 ,  H04K19/0175

    CPC分类号： H03K19/018528

    摘要： A level shifting device comprises an input stage, a cascode stage, a cross-coupled stage, and an output stage. The input stage may receive a data signal or binary logic input in a first data range, a complement of the data signal, and a first voltage. The cascode stage may receive a first voltage and may be connected to the input stage. The cross-coupled stage may be adapted to isolate the first voltage and may be connected to the cascode stage. The output stage may receive a second voltage, provide an output, and be connected to the cross-coupled stage. The cascode stage may be adapted to provide the first voltage as the output when the logic input is a first value and provide the second voltage as the output when the logic input is a second value. Other embodiments are also claimed and described.

    摘要翻译： 电平移位装置包括输入级，共源共栅级，交叉耦合级和输出级。 输入级可以在第一数据范围内接收数据信号或二进制逻辑输入，数据信号的补码和第一电压。 共源共栅级可以接收第一电压并且可以连接到输入级。 交叉耦合级可以适于隔离第一电压并且可以连接到共源共栅级。 输出级可以接收第二电压，提供输出，并连接到交叉耦合级。 当逻辑输入是第一值时，共源共栅级可以适于提供第一电压作为输出，并且当逻辑输入是第二值时提供第二电压作为输出。 还要求保护和描述其它实施例。

    Bias generator for body bias
    36.
    发明申请
    Bias generator for body bias 有权
    偏置发生器用于身体偏倚

    公开(公告)号：US20060164157A1

    公开(公告)日：2006-07-27

    申请号：US11038134

    申请日：2005-01-21

    申请人： James Tschanz ,  Stephen Tang ,  Victor Zia ,  Badarinath Kommandur ,  Siva Narendra ,  Vivek De

    发明人： James Tschanz ,  Stephen Tang ,  Victor Zia ,  Badarinath Kommandur ,  Siva Narendra ,  Vivek De

    IPC分类号： H01L29/861

    CPC分类号： G05F3/205

    摘要： A bias generator unit is provided that includes a central bias generator to provide a bias voltage, a local bias generator to receive the bias voltage and a reference voltage and to provide a forward body bias signal or a reverse body bias signal. The bias generator may include a charge pump to output (or provide) a reference voltage to a reference generator, which in turn provides reference signals to the central bias generator. As a result, the local bias generator may control the body bias signal provided by the local bias generator.

    摘要翻译： 提供偏置发生器单元，其包括中心偏置发生器以提供偏置电压，局部偏置发生器以接收偏置电压和参考电压，并提供正向偏置信号或反向偏置信号。 偏置发生器可以包括电荷泵以将参考电压输出（或提供）到参考发生器，基准电压器又向中心偏置发生器提供参考信号。 结果，本地偏置发生器可以控制由局部偏置发生器提供的体偏置信号。

    Component reliability budgeting system
    39.
    发明申请
    Component reliability budgeting system 有权
    组件可靠性预算系统

    公开(公告)号：US20070130485A1

    公开(公告)日：2007-06-07

    申请号：US11295400

    申请日：2005-12-06

    申请人： Siva Narendra ,  James Tschanz ,  Vivek De ,  Stephen Tang

    发明人： Siva Narendra ,  James Tschanz ,  Vivek De ,  Stephen Tang

    IPC分类号： G06F1/32

    CPC分类号： G06F1/206 ,  Y02D10/16

    摘要： A system may include acquisition of a supply voltage information representing past supply voltages supplied to an electrical component, acquisition of a temperature information representing past temperatures of the electrical component, and control of a performance characteristic of the electrical component based on the supply voltage information and the temperature information. Some embodiments may further include determination of a reliability margin based on the supply voltage information, the temperature information, and on a reliability specification of the electrical component, and change of the performance characteristic based on the reliability margin.

    摘要翻译： 系统可以包括获取表示提供给电气部件的过去电源电压的电源电压信息，基于电源电压信息获取表示电气部件的过去温度的温度信息和电气部件的性能特性的控制，以及 温度信息。 一些实施例还可以包括基于电源电压信息，温度信息以及电气部件的可靠性规格以及基于可靠性裕度的性能特性的改变来确定可靠性裕度。