利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册

搜索结果

39 条记录 (耗时 0.037 秒)

    Method of fabricating non-volatile memory device having small contact and related devices
    34.
    发明授权
    Method of fabricating non-volatile memory device having small contact and related devices 有权
    制造具有小接触和相关器件的非易失性存储器件的方法

    公开(公告)号：US08785213B2

    公开(公告)日：2014-07-22

    申请号：US13494206

    申请日：2012-06-12

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L45/04 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/144 ,  H01L45/147 ,  H01L45/1683

    摘要： A sacrificial pattern is formed to partially cover the pipe-shaped electrode. A sacrificial spacer is formed on a lateral surface of the sacrificial pattern. The sacrificial spacer extends across the pipe-shaped electrode. The sacrificial spacer has a first side and a second side opposite the first side. The sacrificial pattern is removed to expose the pipe-shaped electrode proximal to the first and second sides of the sacrificial spacer. The pipe-shaped electrode exposed on both sides of the sacrificial spacer may be primarily trimmed. The pipe-shaped electrode is retained under the sacrificial spacer to form a first portion, and a second portion facing the first portion. The second portion of the pipe-shaped electrode is secondarily trimmed. The sacrificial spacer is removed to expose the first portion of the pipe-shaped electrode. A data storage plug is formed on the first portion of the pipe-shaped electrode.

    摘要翻译： 形成牺牲图案以部分地覆盖管状电极。 在牺牲图案的侧表面上形成牺牲隔离物。 牺牲隔离物跨越管状电极延伸。 牺牲隔离物具有与第一侧相对的第一侧和第二侧。 消除牺牲图案以将管状电极暴露在牺牲间隔物的第一和第二侧附近。 暴露在牺牲隔离物两侧的管状电极可以主要被修整。 管状电极被保持在牺牲隔离物下方以形成第一部分，以及面向第一部分的第二部分。 管状电极的第二部分被二次修剪。 除去牺牲隔离物以露出管状电极的第一部分。 数据存储插头形成在管状电极的第一部分上。

    Methods of manufacturing phase-change memory devices
    35.
    发明授权
    Methods of manufacturing phase-change memory devices 有权
    制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US08551805B2

    公开(公告)日：2013-10-08

    申请号：US13469498

    申请日：2012-05-11

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/44 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/302 ,  H01L21/461 ,  H01L41/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/861 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device includes a word line on a substrate and a phase-change memory cell on the word line and comprising a phase-change material pattern. The device also includes a non-uniform conductivity layer pattern comprising a conductive region on the phase-change material pattern and a non-conductive region contiguous therewith. The device further includes a bit line on the conductive region of the non-uniform conductivity layer pattern. In some embodiments, the phase-change memory cell may further include a diode on the word line, a heating electrode on the diode and wherein the phase-change material layer is disposed on the heating electrode. An ohmic contact layer and a contact plug may be disposed between the diode and the heating electrode.

    摘要翻译： 相变存储器件包括衬底上的字线和字线上的相变存储器单元，并且包括相变材料图案。 该装置还包括不均匀的导电层图案，其包括相变材料图案上的导电区域和与其相邻的非导电区域。 该器件还包括位于不均匀导电层图案的导电区上的位线。 在一些实施例中，相变存储单元还可以包括字线上的二极管，二极管上的加热电极，并且其中相变材料层设置在加热电极上。 欧姆接触层和接触插塞可以设置在二极管和加热电极之间。

    METHODS OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICES
    37.
    发明申请
    METHODS OF MANUFACTURING PHASE-CHANGE MEMORY DEVICES 有权
    制造相变存储器件的方法

    公开(公告)号：US20120322223A1

    公开(公告)日：2012-12-20

    申请号：US13469498

    申请日：2012-05-11

    申请人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    发明人： Gyu-Hwan Oh ,  Doo-Hwan Park ,  Kyung-Min Chung

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2409 ,  H01L29/861 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/144 ,  H01L45/16 ,  H01L45/1683

    摘要： A phase-change memory device includes a word line on a substrate and a phase-change memory cell on the word line and comprising a phase-change material pattern. The device also includes a non-uniform conductivity layer pattern comprising a conductive region on the phase-change material pattern and a non-conductive region contiguous therewith. The device further includes a bit line on the conductive region of the non-uniform conductivity layer pattern. In some embodiments, the phase-change memory cell may further include a diode on the word line, a heating electrode on the diode and wherein the phase-change material layer is disposed on the heating electrode. An ohmic contact layer and a contact plug may be disposed between the diode and the heating electrode.

    摘要翻译： 相变存储器件包括衬底上的字线和字线上的相变存储器单元，并且包括相变材料图案。 该装置还包括不均匀的导电层图案，其包括相变材料图案上的导电区域和与其相邻的非导电区域。 该器件还包括位于不均匀导电层图案的导电区上的位线。 在一些实施例中，相变存储单元还可以包括字线上的二极管，二极管上的加热电极，并且其中相变材料层设置在加热电极上。 欧姆接触层和接触插塞可以设置在二极管和加热电极之间。