公开(公告)号：US20100246245A1

公开(公告)日：2010-09-30

申请号：US12795020

申请日：2010-06-07

申请人： Haiwen Xi ,  Dexin Wang ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Paul E. Anderson ,  Song S. Xue

发明人： Haiwen Xi ,  Dexin Wang ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Paul E. Anderson ,  Song S. Xue

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/82

CPC分类号： G11C11/16 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/093 ,  G01R33/1284 ,  G06T11/001 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675

摘要： Spin torque magnetic memory elements that have a pinned layer, two free layers, and a current-blocking insulating layer proximate to at least one of the free layers. The resistive state (e.g., low resistance or high resistance) of the memory elements is altered by passing electric current through the element in one direction. In other words, to change from a low resistance to a high resistance, the direction of electric current is the same as to change from a high resistance to a low resistance. The elements have a unidirectional write scheme.

摘要翻译： 具有钉扎层，两个自由层和靠近至少一个自由层的电流阻挡绝缘层的自旋扭矩磁存储元件。 存储元件的电阻状态（例如，低电阻或高电阻）通过在一个方向上通过元件的电流来改变。 换句话说，为了从低电阻变为高电阻，电流的方向与从高电阻变为低电阻相同。 这些元素具有单向写入方案。

公开(公告)号：US20100135072A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12326314

申请日：2008-12-02

申请人： Daniel Seymour Reed ,  Yong Lu ,  Song S. Xue ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Paul E. Anderson

发明人： Daniel Seymour Reed ,  Yong Lu ,  Song S. Xue ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Paul E. Anderson

IPC分类号： G11C11/14 ,  G11C11/416

CPC分类号： H01F10/329 ,  B82Y25/00 ,  G01R33/098 ,  G01R33/1284 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01F10/3254

摘要： Method and apparatus for using a uni-directional write current to store different logic states in a non-volatile memory cell, such as a modified STRAM cell. In some embodiments, the memory cell has an unpinned ferromagnetic reference layer adjacent a cladded conductor, a ferromagnetic storage layer and a tunneling barrier between the reference layer and the storage layer. Passage of a current along the cladded conductor induces a selected magnetic orientation in the reference layer, which is transferred through the tunneling barrier for storage by the storage layer. Further, the orientation of the applying step is provided by a cladding layer adjacent a conductor along which a current is passed and the current induces a magnetic field in the cladding layer of the selected magnetic orientation.

摘要翻译： 用于使用单向写入电流来存储非易失性存储器单元（诸如修改的STRAM单元）中的不同逻辑状态的方法和装置。 在一些实施例中，存储器单元具有与包层导体相邻的未固定的铁磁参考层，铁磁存储层和参考层与存储层之间的隧道势垒。 沿着包层导体的电流的通过在参考层中引入选定的磁取向，该参考层通过隧道势垒传递，以通过存储层进行存储。 此外，施加步骤的取向由邻近导体的包层提供，电流通过该导体，并且电流在所选择的磁方向的包层中感应出磁场。

公开(公告)号：US20090316462A1

公开(公告)日：2009-12-24

申请号：US12144705

申请日：2008-06-24

申请人： Haiwen Xi ,  Xiaobin Wang ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Paul E. Anderson ,  Harry Liu ,  Song S. Xue ,  Andreas Roelofs ,  Markus Siegert

发明人： Haiwen Xi ,  Xiaobin Wang ,  Dimitar V. Dimitrov ,  Paul E. Anderson ,  Harry Liu ,  Song S. Xue ,  Andreas Roelofs ,  Markus Siegert

IPC分类号： G11C19/08

CPC分类号： G11C19/0808 ,  G11C11/14 ,  Y10S977/933

摘要： Magnetic shift registers in which data writing and reading is accomplished by moving the magnetic domain walls by electric current. Various embodiments of domain wall nodes or anchors that stabilize a domain wall are provided. In some embodiments, the wall anchors are elements separate from the magnetic track. In other embodiments, the wall anchors are disturbances in the physical configuration of the magnetic track. In still other embodiments, the wall anchors are disturbances in the material of the magnetic track.

摘要翻译： 磁性移位寄存器，其中通过电流移动磁畴壁来实现数据写入和读取。 提供了稳定域壁的畴壁节点或锚的各种实施例。 在一些实施例中，壁锚是与磁迹分离的元件。 在其他实施例中，壁锚是磁轨的物理构型的扰动。 在另外的其它实施例中，壁锚是磁迹材料中的干扰。

公开(公告)号：US07246424B2

公开(公告)日：2007-07-24

申请号：US10823153

申请日：2004-04-13

申请人： Picheng Huang ,  Paul E. Anderson ,  Laura C. Stearns ,  Song S. Xue

发明人： Picheng Huang ,  Paul E. Anderson ,  Laura C. Stearns ,  Song S. Xue

IPC分类号： H01S4/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  H01L43/10 ,  Y10T29/49002 ,  Y10T29/49043 ,  Y10T29/49044 ,  Y10T29/49046 ,  Y10T29/49048 ,  Y10T29/49052 ,  Y10T29/49224

摘要： A magnetic device having a magnetic feature, the magnetic feature including a magnetic portion comprising a magnetic material, a region of non-magnetic material adjacent to the magnetic portion, and a stop layer disposed above the region of non-magnetic material, defining a planar upper boundary of the magnetic portion.

摘要翻译： 具有磁特征的磁性装置，所述磁性特征包括磁性部分，所述磁性部分包括磁性材料，与所述磁性部分相邻的非磁性材料区域，以及设置在所述非磁性材料区域之上的阻挡层， 磁性部分的上边界。

公开(公告)号：US07050274B2

公开(公告)日：2006-05-23

申请号：US10012829

申请日：2001-12-10

申请人： Michael A. Seigler ,  Isabel G. Trindade ,  Paul E. Anderson

发明人： Michael A. Seigler ,  Isabel G. Trindade ,  Paul E. Anderson

IPC分类号： G11B5/39 ,  G11B5/127

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  G01R33/093 ,  G11B5/3903 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3932 ,  G11B2005/3996 ,  H01F10/324

摘要： Multilayer permanent magnet films comprising at least two permanent magnet layers separated by an interlayer are disclosed. In one embodiment, the multilayer permanent magnet film includes an interlayer deposited on a first permanent magnet layer, a seed layer deposited on the interlayer, and a second permanent magnet layer deposited on the seed layer. The permanent magnet layers may comprise a material such as CoPt, while the seed layer may comprise a material such as TiW. The interlayer may comprise a material such as Ta. The multilayer permanent magnet films possess favorable properties such as high magnetic coercivity (Hc) and high remnant magnetization (MR) at thicknesses which yield high magnetic fields. The films may be used in applications such as current perpendicular to the plane (CPP) magnetic sensors in which the multilayer permanent magnet film is used to magnetically bias the sensor.

摘要翻译： 公开了包括由中间层分离的至少两个永磁体层的多层永磁体膜。 在一个实施例中，多层永磁体膜包括沉积在第一永磁体层上的层间，沉积在中间层上的晶种层和沉积在晶种层上的第二永磁体层。 永磁体层可以包括诸如CoPt的材料，而种子层可以包括诸如TiW的材料。 中间层可以包括诸如Ta的材料。 多层永磁体膜具有在产生高磁场的厚度方面具有良好的性能，例如高磁矫顽力（HCC）和高剩余磁化强度（M SUB R S）。 这些膜可以用于诸如垂直于平面（CPP）磁传感器的电流的应用，其中多层永磁体膜用于磁偏置传感器。

公开(公告)号：US06683761B2

公开(公告)日：2004-01-27

申请号：US09981765

申请日：2001-10-17

申请人： Eric W. Singleton ,  Kristin J. Duxstad ,  Paul E. Anderson

发明人： Eric W. Singleton ,  Kristin J. Duxstad ,  Paul E. Anderson

IPC分类号： G11B533

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G11B5/3903 ,  H01F10/324 ,  H01F41/307 ,  H01F41/325

摘要： An electrical interconnect is configured to provide an electrical connection between a first point and a second point. The interconnect includes a specular reflection layer adjacent a conductor layer. The conductor is configured to conduct electrons between the first and second points and the planar specular reflection layer confines the electrons to the conductor through specular reflection. This reduces electrical resistance of the electrical interconnect measured in a direction parallel with the specular reflection layer.

摘要翻译： 电互连被配置为提供第一点和第二点之间的电连接。 互连包括邻近导体层的镜面反射层。 导体被配置为在第一和第二点之间传导电子，并且平面镜面反射层通过镜面反射将电子限制在导体上。 这降低了在与镜面反射层平行的方向上测量的电互连的电阻。