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    Pattern recognition using active media
    41.
    发明授权
    Pattern recognition using active media 有权
    使用活动媒体的模式识别

    公开(公告)号：US08620843B2

    公开(公告)日：2013-12-31

    申请号：US12697198

    申请日：2010-01-29

    申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  Viatcheslav Osipov ,  Ekaterina V. Ponizovskaya Devine

    发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  Viatcheslav Osipov ,  Ekaterina V. Ponizovskaya Devine

    IPC分类号： G06F15/18

    CPC分类号： G06K9/00

    摘要： A pattern recognition system includes an active media, an input system, and a sensing system. The active media is such that initial states respectively evolve over time to distinguishable final states. The input system establishes in the active media in an initial state corresponding to an input pattern, and the sensing system measures the media at separated locations to identify of which of the final states the media has after an evolution time. The identification of the final state indicates a feature of the input pattern.

    摘要翻译： 模式识别系统包括活动媒体，输入系统和感测系统。 活跃的媒体是这样的，初始状态分别随着时间推移到可区分的最终状态。 输入系统在与输入模式对应的初始状态下在活动介质中建立，并且感测系统测量分离位置处的介质，以识别介质在演化时间之后的最终状态。 最终状态的识别表示输入模式的特征。

    Silicon-germanium, quantum-well, light-emitting diode
    44.
    发明授权
    Silicon-germanium, quantum-well, light-emitting diode 有权
    硅锗，量子阱，发光二极管

    公开(公告)号：US08476647B2

    公开(公告)日：2013-07-02

    申请号：US13259455

    申请日：2009-09-25

    申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  Viatcheslav Osipov

    发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  Viatcheslav Osipov

    IPC分类号： H01L27/15 ,  H01L29/18 ,  H01L31/12 ,  H01L33/00

    CPC分类号： H01L33/34 ,  H01L33/06

    摘要： A silicon-germanium, quantum-well, light-emitting diode. The light-emitting diode includes a p-doped portion, a quantum-well portion, and an p-doped portion. The quantum-well portion is disposed between the p-doped portion and the n-doped portion. The quantum-well portion includes a carrier confinement region that is configured to facilitate luminescence with emission of light produced by direct recombination with a hole confined within the carrier confinement region. The p-doped portion includes a first alloy of silicon-germanium, and the n-doped portion includes a second alloy of silicon-germanium.

    摘要翻译： 硅锗，量子阱，发光二极管。 发光二极管包括p掺杂部分，量子阱部分和p掺杂部分。 量子阱部分设置在p掺杂部分和n掺杂部分之间。 量子阱部分包括载体限制区域，其被配置为通过电子与限制在载体限制区域内的孔的直接复合产生的光的发射来促进发光。 p掺杂部分包括硅 - 锗的第一合金，并且n掺杂部分包括硅 - 锗的第二合金。

    LASER COMMUNICATION SYSTEM
    45.
    发明申请
    LASER COMMUNICATION SYSTEM 有权
    激光通信系统

    公开(公告)号：US20130108279A1

    公开(公告)日：2013-05-02

    申请号：US13287555

    申请日：2011-11-02

    申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  Jacob Khurgin

    发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  Jacob Khurgin

    IPC分类号： H04B10/06

    CPC分类号： H04B10/69 ,  H01S5/0427 ,  H01S5/18302 ,  H01S5/18358 ,  H04B10/5563 ,  H04B10/676

    摘要： A laser communication system and method are disclosed. The laser communication system includes a laser receiver system to receive a frequency-shift keyed (FSK) optical signal encoded with a plurality of data signals. The laser receiver system including an FSK differential detection system that includes a plurality of differential detection filters that can each receive the FSK optical signal and generate an output. The FSK differential detection system can demodulate the FSK optical signal into a multi-bit digital code corresponding to a frequency of the FSK optical signal based on the output of each of the plurality of differential detection filters.

    摘要翻译： 公开了一种激光通信系统和方法。 激光通信系统包括用于接收用多个数据信号编码的频移键控（FSK）光信号的激光接收机系统。 该激光接收机系统包括一个FSK差分检测系统，该系统包括多个差分检测滤波器，每个差分检测滤波器可接收FSK光信号并产生输出。 FSK差分检测系统可以基于多个差分检测滤波器的输出，将FSK光信号解调为与FSK光信号的频率对应的多位数字码。

    IONIC DEVICES WITH INTERACTING SPECIES
    46.
    发明申请
    IONIC DEVICES WITH INTERACTING SPECIES 有权
    具有相互作用的物种的离子装置

    公开(公告)号：US20130037773A1

    公开(公告)日：2013-02-14

    申请号：US13383616

    申请日：2010-04-30

    申请人： Dmitri B. Strukov ,  Alexandre M. Bratkovski ,  R. Stanley Williams ,  Zhiyong Li

    发明人： Dmitri B. Strukov ,  Alexandre M. Bratkovski ,  R. Stanley Williams ,  Zhiyong Li

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L45/08 ,  G02F1/13471 ,  H01L45/085 ,  H01L45/14 ,  H01L45/142 ,  H01L45/146

    摘要： An ionic device includes a layer (220) of an ionic conductor containing first and second species (222, 224) of impurities. The first species (222) of impurity in the layer (220) is mobile in the ionic conductor, and a concentration profile of the first species (222) determines a functional characteristic of the device (200). The second species (224) of impurity in the layer (220) interacts with the first species (222) within the layer (220) to create a structure (226) that limits mobility of the first species (222) in the layer (220).

    摘要翻译： 离子装置包括含有杂质的第一和第二物质（222,224）的离子导体层（220）。 层（220）中的第一杂质物质（222）在离子导体中是可移动的，并且第一物质（222）的浓度分布决定了装置（200）的功能特征。 层（220）中的杂质的第二物质（224）与层（220）内的第一物质（222）相互作用以产生限制层（220）中第一物质（222）的迁移率的结构（226） ）。

    Memristor with a non-planar substrate
    47.
    发明授权
    Memristor with a non-planar substrate 有权
    带非平面基片的忆阻器

    公开(公告)号：US08283649B2

    公开(公告)日：2012-10-09

    申请号：US12510753

    申请日：2009-07-28

    申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  Shih Yuan Wang ,  Jianhua Yang ,  Michael Stuke

    发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  Shih Yuan Wang ,  Jianhua Yang ,  Michael Stuke

    IPC分类号： H01L29/04

    CPC分类号： G11C13/0009 ,  G11C17/16 ,  G11C17/165 ,  G11C2213/77 ,  G11C2213/81 ,  H01L27/2463 ,  H01L45/04 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146

    摘要： A memristor includes a substrate having a plurality of protrusions, wherein each of the plurality of protrusions extends in a first direction, a first electrode provided over at least one of the plurality of protrusions, wherein the first electrode conforms to the shape of the at least one protrusion such that the first electrode has a crest, a switching material positioned upon the first electrode; and a second electrode positioned upon the switching material such that a portion of the second electrode is substantially in line with the crest of the first electrode along the first direction, wherein an active region in the switching material is operable to be formed between the crest of the first electrode and the portion of the second electrode that is substantially in line with the crest of the first electrode.

    摘要翻译： 忆阻器包括具有多个突起的基板，其中多个突起中的每一个在第一方向上延伸，第一电极设置在多个突起中的至少一个上，其中第一电极符合至少的形状 一个突起，使得第一电极具有峰顶，开关材料定位在第一电极上; 以及位于所述开关材料上的第二电极，使得所述第二电极的一部分沿着所述第一方向与所述第一电极的峰基本上一致，其中所述开关材料中的有源区可操作地形成在所述第一电极的顶部之间， 所述第一电极和所述第二电极的与所述第一电极的峰基本上一致的部分。

    Signal-amplification device for surface enhanced raman spectroscopy
    49.
    发明授权
    Signal-amplification device for surface enhanced raman spectroscopy 失效
    用于表面增强拉曼光谱的信号放大装置

    公开(公告)号：US08223331B2

    公开(公告)日：2012-07-17

    申请号：US12487940

    申请日：2009-06-19

    申请人： Alexandre M. Bratkovski ,  Theodore I. Kamins

    发明人： Alexandre M. Bratkovski ,  Theodore I. Kamins

    IPC分类号： G01J3/44

    CPC分类号： G01N21/658

    摘要： A signal-amplification device for surface enhanced Raman spectroscopy (SERS). The signal-amplification device includes a non-SERS-active (NSA) substrate, a plurality of multi-tiered non-SERS-active nanowire (MNSANW) structures and a plurality of metallic SERS-active nanoparticles. In addition, a MNSANW structure of the plurality of MNSANW structures includes a main arm of a plurality of main arms and a plurality of arms of at least secondary order. The plurality of main arms is disposed on the NSA substrate; and, a secondary arm of the plurality of arms is disposed on the main arm. Moreover, a metallic SERS-active nanoparticle of the plurality of metallic SERS-active nanoparticles is disposed on a surface of the MNSANW structure.

    摘要翻译： 用于表面增强拉曼光谱（SERS）的信号放大装置。 信号放大装置包括非SERS活性（NSA）衬底，多个多层非SERS活性纳米线（MNSANW）结构和多个金属SERS活性纳米颗粒。 此外，多个MNSANW结构的MNSANW结构包括多个主臂的主臂和至少二次的多个臂。 多个主臂设置在NSA基板上; 并且所述多个臂的次臂设置在所述主臂上。 此外，多个金属SERS活性纳米颗粒的金属SERS活性纳米颗粒设置在MNSANW结构的表面上。