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    Three Dimensional Multilayer Circuit
    1.
    发明申请
    Three Dimensional Multilayer Circuit 有权
    三维多层电路

    公开(公告)号：US20120001654A1

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：US13256233

    申请日：2009-04-06

    申请人： Dmitri Borisovich Strukov ,  R. Stanley Williams

    发明人： Dmitri Borisovich Strukov ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： H03K19/177 ,  H01L21/82

    CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： A three dimensional multilayer circuit (400) includes a via array (325, 330) made up of a set of first vias (325) and a set of second vias (330) and an area distributed CMOS layer (310) configured to selectively address said first vias (325) and said second vias (330). At least two crossbar arrays (305, 420) overlay the area distributed CMOS layer (310). These crossbar arrays (305, 420) include a plurality of intersecting crossbar segments (320, 322) and programmable cross-point devices (315) which are interposed between the intersecting crossbar segments (320, 322). The vias (325, 330) are connected to the crossbar segments (320, 322) such that each programmable crosspoint devices (315) can be uniquely accessed using a first via (325) and a second via (330).

    摘要翻译： 三维多层电路（400）包括由一组第一通孔（325）和一组第二通孔（330）组成的通孔阵列（325,330）和区域分布式CMOS层（310），其被配置为选择性地寻址 所述第一通孔（325）和所述第二通孔（330）。 至少两个横杆阵列（305,420）覆盖区域分布式CMOS层（310）。 这些横杆阵列（305,420）包括多个交叉横截面段（320,322）和可编程交叉点设备（315），它们插入在相交的横杆段（320,322）之间。 通孔（325,330）连接到横杆段（320,322），使得可以使用第一通孔（325）和第二通孔（330）唯一地访问每个可编程交叉点设备（315）。

    CONTROLLED SWITCHING MEMRISTOR
    4.
    发明申请
    CONTROLLED SWITCHING MEMRISTOR 审中-公开
    控制开关量器

    公开(公告)号：US20120313070A1

    公开(公告)日：2012-12-13

    申请号：US13383597

    申请日：2010-01-29

    申请人： R. Stanley Williams ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Dmitri Borisovich Strukov ,  Jianhua Yang

    发明人： R. Stanley Williams ,  Gilberto Medeiros Ribeiro ,  Dmitri Borisovich Strukov ,  Jianhua Yang

    IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/02

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C2213/77 ,  H01L27/2472 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

    摘要： A controlled switching memristor includes a first electrode, a second electrode, and a switching layer positioned between the first electrode and the second electrode. The switching layer includes a material to switch between an ON state and an OFF state, in which at least one of the first electrode, the second electrode, and the switching layer is to generate a permanent field within the memristor to enable a speed and an energy of switching from the ON state to the OFF state to be substantially symmetric to a speed and energy of switching from the OFF state to the ON state.

    摘要翻译： 控制切换忆阻器包括位于第一电极和第二电极之间的第一电极，第二电极和开关层。 开关层包括在导通状态和断开状态之间切换的材料，其中第一电极，第二电极和开关层中的至少一个将在忆阻器内产生永久磁场，以实现速度和 从ON状态切换到OFF状态的能量与从OFF状态切换到ON状态的速度和能量基本对称。

    RESISTIVE SWITCHES
    5.
    发明申请
    RESISTIVE SWITCHES 有权
    电阻开关

    公开(公告)号：US20120126932A1

    公开(公告)日：2012-05-24

    申请号：US13387680

    申请日：2010-03-03

    申请人： Jianhua Yang ,  Dmitri Borisovich Strukov ,  Shih-Yuan Wang

    发明人： Jianhua Yang ,  Dmitri Borisovich Strukov ,  Shih-Yuan Wang

    IPC分类号： H01C7/10

    CPC分类号： G11C13/0007 ,  H01L45/10 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146

    摘要： Resistive switches and related methods are provided. Such a resistive switch includes an active material in contact with opposite end electrodes. The active material defines electron traps that capture or release charges in accordance with applied switching voltages. Resistive switches are characterized by ON state and OFF state resistance curves. Resistance ratios of ten times or more are exhibited. The state of a resistive switch is determined using sensing voltages lesser then the switching threshold.

    摘要翻译： 提供电阻开关及相关方法。 这种电阻式开关包括与相对端电极接触的活性材料。 活性材料限定了根据所施加的开关电压捕获或释放电荷的电子阱。 电阻式开关的特征在于ON状态和OFF状态电阻曲线。 表现出十倍以上的电阻比。 使用小于切换阈值的感测电压来确定电阻式开关的状态。

    Switchable Junction with Intrinsic Diode
    6.
    发明申请
    Switchable Junction with Intrinsic Diode 审中-公开
    具有内在二极管的可切换结

    公开(公告)号：US20120001143A1

    公开(公告)日：2012-01-05

    申请号：US13255158

    申请日：2009-03-27

    申请人： Dmitri Borisovich Strukov ,  R. Stanley Williams

    发明人： Dmitri Borisovich Strukov ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： H01L45/00

    CPC分类号： H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  H01L27/1021 ,  H01L29/861 ,  H01L29/872

    摘要： A switchable junction (600) with an intrinsic diode includes a first electrode (635) and second electrode (640). A first memristive matrix (605) forms an electrical interface (625) with the first electrode (635) which has a programmable conductance. A semiconductor matrix (615) is electrical contact with the first memristive matrix (605) and forms a rectifying diode interface (630) with the second electrode (640).

    摘要翻译： 具有本征二极管的可切换结（600）包括第一电极（635）和第二电极（640）。 第一忆阻矩阵（605）与具有可编程电导的第一电极（635）形成电接口（625）。 半导体矩阵（615）与第一忆阻矩阵（605）电接触并与第二电极（640）形成整流二极管接口（630）。

    MEMRISTOR ADJUSTMENT USING STORED CHARGE
    7.
    发明申请
    MEMRISTOR ADJUSTMENT USING STORED CHARGE 审中-公开
    使用存储充电器进行调整

    公开(公告)号：US20110279135A1

    公开(公告)日：2011-11-17

    申请号：US12781441

    申请日：2010-05-17

    申请人： Julien Borghetti ,  Bilberto Medeiros Ribeiro ,  Dmitri Borisovich Strukov

    发明人： Julien Borghetti ,  Bilberto Medeiros Ribeiro ,  Dmitri Borisovich Strukov

    IPC分类号： G01R27/08

    CPC分类号： G01R31/2637 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0038 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0066

    摘要： Methods and apparatus pertaining to memory resistors are provided. Electronic circuitry determines energy for changing a non-volatile resistance of a memristor from a present value to a target value. An electric charge corresponding to the energy is stored. An electric pulse is applied to the memristor using the stored charge. The newly adjusted resistance of the memristor is sensed and compared to the target value. Additional electric pulses can be applied in accordance with the comparison. Memristor adjustment by way of feedback control is thus contemplated by the present teachings.

    摘要翻译： 提供了与存储电阻有关的方法和装置。 电子电路确定用于将忆阻器的非易失性电阻从当前值改变为目标值的能量。 存储对应于能量的电荷。 使用存储的电荷将电脉冲施加到忆阻器。 忆阻器的新调节电阻被感测并与目标值进行比较。 根据比较可以应用额外的电脉冲。 因此通过反馈控制进行的忆阻器调节由本教导设想。

    Three dimensional multilayer circuit
    9.
    发明授权
    Three dimensional multilayer circuit 有权
    三维多层电路

    公开(公告)号：US08373440B2

    公开(公告)日：2013-02-12

    申请号：US13256233

    申请日：2009-04-06

    申请人： Dmitri Borisovich Strukov ,  R. Stanley Williams

    发明人： Dmitri Borisovich Strukov ,  R. Stanley Williams

    IPC分类号： H03K19/173

    CPC分类号： H01L27/101 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/14 ,  H01L45/145 ,  H01L45/146 ,  H01L45/147

    摘要： A three dimensional multilayer circuit includes a via array made up of a set of first vias and a set of second vias and an area distributed CMOS layer configured to selectively address said first vias and said second vias. At least two crossbar arrays overlay the area distributed CMOS layer. These crossbar arrays include a plurality of intersecting crossbar segments and programmable crosspoint devices which are interposed between the intersecting crossbar segments. The vias are connected to the crossbar segments such that each programmable crosspoint devices can be uniquely accessed using a first via and a second via.

    摘要翻译： 三维多层电路包括由一组第一通孔和一组第二通孔构成的通孔阵列以及被配置为选择性地寻址所述第一通孔和所述第二通孔的区域分布式CMOS层。 至少两个横杆阵列覆盖区域分布式CMOS层。 这些横杆阵列包括多个相交的横杆段和可插入交叉横截面段之间的可编程交叉点装置。 通孔连接到横杆段，使得可以使用第一通孔和第二通孔来唯一地访问每个可编程的交叉点设备。