公开(公告)号：US20120058616A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：US13212380

申请日：2011-08-18

申请人： Kevin Ahn ,  Sang-Jine Park ,  Jae-Jik Baek ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han

发明人： Kevin Ahn ,  Sang-Jine Park ,  Jae-Jik Baek ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L21/28

CPC分类号： H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636

摘要： A method of fabricating a semiconductor device can be provided by etching sidewalls of a preliminary trench in a substrate that are between immediately adjacent gate electrode structures, to recess the sidewalls further beneath the gate electrode structures to provide recessed sidewalls. Then, the recessed sidewalls and a bottom of the preliminary trench can be etched using crystallographic anisotropic etching to form a hexagonally shaped trench in the substrate.

摘要翻译： 半导体器件的制造方法可以通过蚀刻位于紧邻的栅电极结构之间的衬底中的预备沟槽的侧壁，从而在栅极电极结构之下进一步凹入侧壁以提供凹入的侧壁。 然后，可以使用晶体各向异性蚀刻来蚀刻预备沟槽的凹陷侧壁和底部，以在衬底中形成六边形形状的沟槽。

公开(公告)号：US08803248B2

公开(公告)日：2014-08-12

申请号：US13241324

申请日：2011-09-23

申请人： Sang-Jine Park ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han ,  Myung-Geun Song

发明人： Sang-Jine Park ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han ,  Myung-Geun Song

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848

摘要： Provided are a semiconductor device, which can facilitate a salicide process and can prevent a gate from being damaged due to misalign, and a method of manufacturing of the semiconductor device. The method includes forming a first insulation layer pattern on a substrate having a gate pattern and a source/drain region formed at both sides of the gate pattern, the first insulation layer pattern having an exposed portion of the source/drain region, forming a silicide layer on the exposed source/drain region, forming a second insulation layer on the entire surface of the substrate to cover the first insulation layer pattern and the silicide layer, and forming a contact hole in the second insulation layer to expose the silicide layer.

摘要翻译： 提供一种可以促进自对准硅化物工艺并且可以防止栅极由于不对准而被损坏的半导体器件，以及半导体器件的制造方法。 该方法包括在具有形成在栅极图案的两侧的栅极图案和源极/漏极区域的衬底上形成第一绝缘层图案，第一绝缘层图案具有源极/漏极区域的暴露部分，形成硅化物 在所述暴露的源极/漏极区上形成第二绝缘层，以在所述衬底的整个表面上形成覆盖所述第一绝缘层图案和所述硅化物层的第二绝缘层，以及在所述第二绝缘层中形成接触孔以露出所述硅化物层。

公开(公告)号：US08709942B2

公开(公告)日：2014-04-29

申请号：US13488478

申请日：2012-06-05

申请人： Sang-Jine Park ,  Kee-Sang Kwon ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Il-Young Yoon ,  Jeong-Nam Han

发明人： Sang-Jine Park ,  Kee-Sang Kwon ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Il-Young Yoon ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816

摘要： In a method for fabricating a semiconductor device, a substrate is provided including an interlayer dielectric layer and first and second hard mask patterns sequentially stacked thereon. A first trench is provided in the interlayer dielectric layer through the second hard mask pattern and the first hard mask pattern. A filler material is provided on the interlayer dielectric layer and the second hard mask pattern to fill the first trench. An upper portion of the second hard mask pattern is exposed by partially removing the filler material. The second hard mask pattern is removed, and remaining filler material is removed from the first trench. A wiring is formed by filling the first trench with a conductive material.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，提供了包括层间介电层和顺序堆叠在其上的第一和第二硬掩模图案的衬底。 第一沟槽通过第二硬掩模图案和第一硬掩模图案设置在层间介质层中。 在层间介电层和第二硬掩模图案上设置填充材料以填充第一沟槽。 通过部分去除填充材料来暴露第二硬掩模图案的上部。 去除第二硬掩模图案，并且从第一沟槽去除剩余的填充材料。 通过用导电材料填充第一沟槽来形成布线。

公开(公告)号：US20130023119A1

公开(公告)日：2013-01-24

申请号：US13488478

申请日：2012-06-05

申请人： Sang-Jine Park ,  Kee-Sang Kwon ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Il- Young Yoon ,  Jeong-Nam Han

发明人： Sang-Jine Park ,  Kee-Sang Kwon ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Il- Young Yoon ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816

摘要： In a method for fabricating a semiconductor device, a substrate is provided including an interlayer dielectric layer and first and second hard mask patterns sequentially stacked thereon. A first trench is provided in the interlayer dielectric layer through the second hard mask pattern and the first hard mask pattern. A filler material is provided on the interlayer dielectric layer and the second hard mask pattern to fill the first trench. An upper portion of the second hard mask pattern is exposed by partially removing the filler material. The second hard mask pattern is removed, and remaining filler material is removed from the first trench. A wiring is formed by filling the first trench with a conductive material.

摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，提供了包括层间介电层和顺序堆叠在其上的第一和第二硬掩模图案的衬底。 第一沟槽通过第二硬掩模图案和第一硬掩模图案设置在层间介质层中。 在层间介电层和第二硬掩模图案上设置填充材料以填充第一沟槽。 通过部分去除填充材料来暴露第二硬掩模图案的上部。 去除第二硬掩模图案，并且从第一沟槽去除剩余的填充材料。 通过用导电材料填充第一沟槽来形成布线。

公开(公告)号：US20110287625A1

公开(公告)日：2011-11-24

申请号：US13079202

申请日：2011-04-04

申请人： Dae-Hyuk Kang ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hong Eom ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han

发明人： Dae-Hyuk Kang ,  Kun-Tack Lee ,  Dae-Hong Eom ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/28123 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/32139 ,  H01L27/11524 ,  H01L29/40114

摘要： A method of forming a pattern in a semiconductor device includes forming an etching object layer on a substrate, the etching object layer is an oxide that is substantially free of impurities. A mask is formed on the etching object layer, the mask is an oxide that includes impurities. The etching object layer is patterned using the mask as an etching mask and then the mask is removed. The mask is removed using an etchant having an etching selectivity to an oxide that is substantially free of impurities and an oxide that includes impurities during removing of the mask to limit damage to the patterned etching object layer during removal of the mask.

摘要翻译： 在半导体器件中形成图案的方法包括在基板上形成蚀刻对象层，蚀刻对象层是基本上不含杂质的氧化物。 在蚀刻对象层上形成掩模，掩模是包含杂质的氧化物。 使用掩模将蚀刻对象层图案化为蚀刻掩模，然后去除掩模。 使用具有对基本上不含杂质的氧化物的蚀刻选择性的蚀刻剂去除掩模，以及在除去掩模期间包括杂质的氧化物，以限制在去除掩模期间对图案化的蚀刻对象层的损伤。