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    Method of fabricating semiconductor device
    7.
    发明授权
    Method of fabricating semiconductor device 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US09054210B2

    公开(公告)日：2015-06-09

    申请号：US13479679

    申请日：2012-05-24

    申请人： Sang-Jine Park ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han ,  Kee-Sang Kwon ,  Won-Sang Choi

    发明人： Sang-Jine Park ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han ,  Kee-Sang Kwon ,  Won-Sang Choi

    IPC分类号： H01L21/20 ,  H01L21/36 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/285 ,  H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/311

    CPC分类号： H01L21/823425 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823475 ,  H01L29/78

    摘要： A method of fabricating a semiconductor device, the method including forming on a substrate a transistor that includes a gate electrode and a source and drain region, forming an interlayer insulating film on the transistor, forming a contact hole in the interlayer insulating film to expose a top surface of the source and drain region, and a thin film is formed at an interface between the contact hole and the exposed top surface of the source and drain region. The method further including selectively removing at least a portion of the thin film by performing an etching process in a non-plasma atmosphere, forming an ohmic contact film on the source and drain region where at least a portion of the thin film was selectively removed, and forming a contact plug by filling the contact hole with a conductive material.

    摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在衬底上形成包括栅极和源极和漏极区的晶体管，在所述晶体管上形成层间绝缘膜，在所述层间绝缘膜中形成接触孔以暴露出 源极和漏极区域的顶表面，并且在接触孔和源极和漏极区域的暴露顶表面之间的界面处形成薄膜。 该方法还包括通过在非等离子体气氛中进行蚀刻工艺来选择性地去除薄膜的至少一部分，在选择性地去除薄膜的至少一部分的源区和漏区上形成欧姆接触膜， 以及通过用导电材料填充接触孔来形成接触塞。

    Methods of fabricating semiconductor devices
    8.
    发明授权
    Methods of fabricating semiconductor devices 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08673724B2

    公开(公告)日：2014-03-18

    申请号：US13561245

    申请日：2012-07-30

    申请人： Sang-Jine Park ,  Kee-Sang Kwon ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han

    发明人： Sang-Jine Park ,  Kee-Sang Kwon ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/76224 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7848

    摘要： Provided are methods of fabricating a semiconductor device that include providing a substrate that includes a first region having a gate pattern and a second region having a first trench and an insulating layer that fills the first trench. A portion of a sidewall of the first trench is exposed by etching part of the insulating layer and a first spacer is formed on a sidewall of the gate pattern. A second spacer is formed on the exposed sidewall of the first trench, wherein the first spacer and the second spacer are formed simultaneously.

    摘要翻译： 提供制造半导体器件的方法，其包括提供包括具有栅极图案的第一区域和具有填充第一沟槽的第一沟槽和绝缘层的第二区域的衬底。 通过蚀刻绝缘层的一部分露出第一沟槽的侧壁的一部分，并且在栅极图案的侧壁上形成第一间隔物。 第二间隔件形成在第一沟槽的暴露的侧壁上，其中第一间隔件和第二间隔件同时形成。

    Semiconductor devices and methods of manufacturing the same
    9.
    发明授权
    Semiconductor devices and methods of manufacturing the same 有权
    半导体器件及其制造方法

    公开(公告)号：US08803248B2

    公开(公告)日：2014-08-12

    申请号：US13241324

    申请日：2011-09-23

    申请人： Sang-Jine Park ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han ,  Myung-Geun Song

    发明人： Sang-Jine Park ,  Bo-Un Yoon ,  Jeong-Nam Han ,  Myung-Geun Song

    IPC分类号： H01L27/088

    CPC分类号： H01L29/66636 ,  H01L21/28518 ,  H01L21/76802 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/41775 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/665 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7845 ,  H01L29/7848

    摘要： Provided are a semiconductor device, which can facilitate a salicide process and can prevent a gate from being damaged due to misalign, and a method of manufacturing of the semiconductor device. The method includes forming a first insulation layer pattern on a substrate having a gate pattern and a source/drain region formed at both sides of the gate pattern, the first insulation layer pattern having an exposed portion of the source/drain region, forming a silicide layer on the exposed source/drain region, forming a second insulation layer on the entire surface of the substrate to cover the first insulation layer pattern and the silicide layer, and forming a contact hole in the second insulation layer to expose the silicide layer.

    摘要翻译： 提供一种可以促进自对准硅化物工艺并且可以防止栅极由于不对准而被损坏的半导体器件，以及半导体器件的制造方法。 该方法包括在具有形成在栅极图案的两侧的栅极图案和源极/漏极区域的衬底上形成第一绝缘层图案，第一绝缘层图案具有源极/漏极区域的暴露部分，形成硅化物 在所述暴露的源极/漏极区上形成第二绝缘层，以在所述衬底的整个表面上形成覆盖所述第一绝缘层图案和所述硅化物层的第二绝缘层，以及在所述第二绝缘层中形成接触孔以露出所述硅化物层。

    Methods for fabricating semiconductor devices
    10.
    发明授权
    Methods for fabricating semiconductor devices 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：US08709942B2

    公开(公告)日：2014-04-29

    申请号：US13488478

    申请日：2012-06-05

    申请人： Sang-Jine Park ,  Kee-Sang Kwon ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Il-Young Yoon ,  Jeong-Nam Han

    发明人： Sang-Jine Park ,  Kee-Sang Kwon ,  Doo-Sung Yun ,  Bo-Un Yoon ,  Il-Young Yoon ,  Jeong-Nam Han

    IPC分类号： H01L21/4763

    CPC分类号： H01L21/76808 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816

    摘要： In a method for fabricating a semiconductor device, a substrate is provided including an interlayer dielectric layer and first and second hard mask patterns sequentially stacked thereon. A first trench is provided in the interlayer dielectric layer through the second hard mask pattern and the first hard mask pattern. A filler material is provided on the interlayer dielectric layer and the second hard mask pattern to fill the first trench. An upper portion of the second hard mask pattern is exposed by partially removing the filler material. The second hard mask pattern is removed, and remaining filler material is removed from the first trench. A wiring is formed by filling the first trench with a conductive material.

    摘要翻译： 在制造半导体器件的方法中，提供了包括层间介电层和顺序堆叠在其上的第一和第二硬掩模图案的衬底。 第一沟槽通过第二硬掩模图案和第一硬掩模图案设置在层间介质层中。 在层间介电层和第二硬掩模图案上设置填充材料以填充第一沟槽。 通过部分去除填充材料来暴露第二硬掩模图案的上部。 去除第二硬掩模图案，并且从第一沟槽去除剩余的填充材料。 通过用导电材料填充第一沟槽来形成布线。