公开(公告)号：US20110062520A1

公开(公告)日：2011-03-17

申请号：US12949696

申请日：2010-11-18

申请人： Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Brian S. Doyle ,  Jack T. Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew V. Metz ,  Marko Radosavljevic

发明人： Justin K. Brask ,  Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Mark L. Doczy ,  Brian S. Doyle ,  Jack T. Kavalieros ,  Amlan Majumdar ,  Matthew V. Metz ,  Marko Radosavljevic

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/24 ,  H01L29/267 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66818 ,  H01L29/7834 ,  H01L29/7838 ,  H01L29/785 ,  H04B1/3827 ,  Y10S438/926

摘要： A method of fabricating a MOS transistor having a thinned channel region is described. The channel region is etched following removal of a dummy gate. The source and drain regions have relatively low resistance with the process.

摘要翻译： 描述了制造具有减薄沟道区的MOS晶体管的方法。 在去除虚拟栅极之后蚀刻沟道区。 源极和漏极区域具有相对较低的电阻。

公开(公告)号：US08816394B2

公开(公告)日：2014-08-26

申请号：US14137804

申请日：2013-12-20

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/66

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

摘要翻译： 描述具有窄带隙半导体源极/漏极区域的晶体管。 晶体管包括形成在形成于硅层上的栅介质层上的栅电极。 一对源极/漏极区域形成在栅电极的相对侧上，其中所述一对源极/漏极区域包括形成在栅电极的相对侧上的硅层中的窄带隙半导体膜。

公开(公告)号：US08368135B2

公开(公告)日：2013-02-05

申请号：US13453403

申请日：2012-04-23

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L27/088

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

公开(公告)号：US20110121393A1

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：US13021640

申请日：2011-02-04

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

摘要翻译： 描述具有窄带隙半导体源极/漏极区域的晶体管。 晶体管包括形成在形成于硅层上的栅介质层上的栅电极。 一对源极/漏极区域形成在栅电极的相对侧上，其中所述一对源极/漏极区域包括形成在栅电极的相对侧上的硅层中的窄带隙半导体膜。

公开(公告)号：US20100295129A1

公开(公告)日：2010-11-25

申请号：US12850582

申请日：2010-08-04

申请人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

发明人： Robert S. Chau ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Matthew Metz

IPC分类号： H01L29/786

CPC分类号： H01L29/7848 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L29/201 ,  H01L29/207 ,  H01L29/267 ,  H01L29/41783 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/452 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66628 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7836 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78681

摘要： A transistor having a narrow bandgap semiconductor source/drain region is described. The transistor includes a gate electrode formed on a gate dielectric layer formed on a silicon layer. A pair of source/drain regions are formed on opposite sides of the gate electrode wherein said pair of source/drain regions comprise a narrow bandgap semiconductor film formed in the silicon layer on opposite sides of the gate electrode.

摘要翻译： 描述具有窄带隙半导体源极/漏极区域的晶体管。 晶体管包括形成在形成于硅层上的栅介质层上的栅电极。 一对源极/漏极区域形成在栅电极的相对侧上，其中所述一对源极/漏极区域包括形成在栅电极的相对侧上的硅层中的窄带隙半导体膜。

公开(公告)号：US20090042405A1

公开(公告)日：2009-02-12

申请号：US12157796

申请日：2008-06-12

申请人： Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert S. Chau

发明人： Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/469

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a first dielectric layer on a substrate, a trench within the first dielectric layer, and a second dielectric layer on the substrate. The second dielectric layer has a first part that is formed in the trench and a second part. After a first metal layer with a first workfunction is formed on the first and second parts of the second dielectric layer, part of the first metal layer is converted into a second metal layer with a second workfunction.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成第一电介质层，在第一介电层内形成沟槽，在衬底上形成第二电介质层。 第二电介质层具有形成在沟槽中的第一部分和第二部分。 在第二电介质层的第一和第二部分上形成具有第一功函数的第一金属层之后，第一金属层的一部分被转换成具有第二功函数的第二金属层。

公开(公告)号：US20080211033A1

公开(公告)日：2008-09-04

申请号：US12151483

申请日：2008-05-07

申请人： Robert B. Turkot ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Robert B. Turkot ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L27/092

CPC分类号： H01L21/28079 ,  H01L21/28088 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/517

摘要： A metal layer is formed on a dielectric layer, which is formed on a substrate. After forming a masking layer on the metal layer, the exposed sides of the dielectric layer are covered with a polymer diffusion barrier.

摘要翻译： 在形成在基板上的电介质层上形成金属层。 在金属层上形成掩模层之后，介电层的暴露侧面被聚合物扩散阻挡层覆盖。

公开(公告)号：US20080124857A1

公开(公告)日：2008-05-29

申请号：US11556025

申请日：2006-11-02

申请人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Mark L. Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew V. Metz ,  Chris E. Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher D. Thomas ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/77 ,  H01L21/762 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A semiconductor device and a method for forming it are described. The semoiconductor device comprises a metal NMOS gate electrode that is formed on a first part of a substrate, and a silicide PMOS gate electrode that is formed on a second part of the substrate.

摘要翻译： 对半导体装置及其形成方法进行说明。 半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅极电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅极电极。

公开(公告)号：US07126199B2

公开(公告)日：2006-10-24

申请号：US10951073

申请日：2004-09-27

申请人： Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Chris Barns ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

发明人： Mark L. Doczy ,  Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Chris Barns ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L29/94

CPC分类号： H01L21/823437 ,  H01L21/823828

摘要： A complementary metal oxide semiconductor integrated circuit may be formed with NMOS and PMOS transistors that have high dielectric constant gate dielectric material over a semiconductor substrate. A metal barrier layer may be formed over the gate dielectric. A workfunction setting metal layer is formed over the metal barrier layer and a cap metal layer is formed over the workfunction setting metal layer.

摘要翻译： 互补金属氧化物半导体集成电路可以形成有在半导体衬底上具有高介电常数栅极电介质材料的NMOS和PMOS晶体管。 可以在栅极电介质上方形成金属阻挡层。 在金属阻挡层上方形成功函设定金属层，在功函设定金属层上形成帽金属层。

公开(公告)号：US06869889B1

公开(公告)日：2005-03-22

申请号：US10819789

申请日：2004-04-07

申请人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Terence Bacuita ,  Robert S. Chau

发明人： Justin K. Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark L. Doczy ,  Matthew V. Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Terence Bacuita ,  Robert S. Chau

IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/49

CPC分类号： H01L21/82345 ,  H01L21/32134 ,  H01L29/4966

摘要： A metal carbide film may be etched in an etchant bath using sonication. The sonication may drive the reaction and, particularly, the gaseous byproducts in the form of carbon dioxide. Thus, the use of sonication invokes a favorable equilibrium to pattern metal carbide films, for example, for use as metal gate electrodes.

摘要翻译： 可以使用超声处理在蚀刻液浴中蚀刻金属碳化物膜。 超声处理可以驱动反应，特别是二氧化碳形式的气态副产物。 因此，使用超声处理引起对图案金属碳化物膜的有利平衡，例如用作金属栅电极。