公开(公告)号：US20080156774A1

公开(公告)日：2008-07-03

申请号：US12075019

申请日：2008-03-07

申请人： Vlasta Brusic ,  Renjie Zhou ,  Christopher Thompson

发明人： Vlasta Brusic ,  Renjie Zhou ,  Christopher Thompson

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C23F3/04 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： The invention provides a method of chemically-mechanically polishing a gold-containing surface of a substrate with a cyanide-free chemical-mechanical polishing (CMP) composition.

摘要翻译： 本发明提供了用无氰化学机械抛光（CMP）组合物化学机械地抛光基底的含金表面的方法。

公开(公告)号：US20080153293A1

公开(公告)日：2008-06-26

申请号：US12042872

申请日：2008-03-05

申请人： Mukesh Desai ,  Kevin Moeggenborg ,  Phillip Carter

发明人： Mukesh Desai ,  Kevin Moeggenborg ,  Phillip Carter

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： C09G1/02 ,  H01L21/02024 ,  H01L29/1608

摘要： The inventive method comprises chemically-mechanically polishing a substrate comprising at least one layer of silicon carbide with a polishing composition comprising a liquid carrier, an abrasive, and an oxidizing agent.

摘要翻译： 本发明的方法包括用包含液体载体，研磨剂和氧化剂的抛光组合物对包含至少一层碳化硅的基材进行化学机械抛光。

公开(公告)号：US07381648B2

公开(公告)日：2008-06-03

申请号：US10616335

申请日：2003-07-09

申请人： Vlasta Brusic Kaufman ,  Rodney C. Kistler ,  Shumin Wang

发明人： Vlasta Brusic Kaufman ,  Rodney C. Kistler ,  Shumin Wang

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： A chemical mechanical polishing slurry comprising an oxidizing agent, a complexing agent, an abrasive, and an optional surfactant, as well as a method for using the chemical mechanical polishing slurry to remove copper alloy, titanium, titanium nitride, tantalum and tantalum nitride containing layers from a substrate. The slurry does not include a separate film-forming agent.

摘要翻译： 包含氧化剂，络合剂，研磨剂和任选的表面活性剂的化学机械抛光浆料以及使用化学机械抛光浆料去除铜合金，钛，氮化钛，钽和氮化钽的层的方法 从底物。 浆料不包括单独的成膜剂。

公开(公告)号：US07368066B2

公开(公告)日：2008-05-06

申请号：US11444866

申请日：2006-05-31

申请人： Vlasta Brusic ,  Renjie Zhou ,  Christopher Thompson

发明人： Vlasta Brusic ,  Renjie Zhou ,  Christopher Thompson

IPC分类号： B44C1/22

CPC分类号： C23F3/04 ,  C09G1/02 ,  H01L21/3212

摘要： The invention provides a cyanide-free chemical-mechanical polishing (CMP) composition useful for polishing a gold-containing surface of a substrate. The CMP composition comprises an abrasive, a gold-oxidizing agent, a cyanide-free gold-solubilizing agent, and an aqueous carrier therefor. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a gold-containing surface of a substrate with the aforementioned polishing composition.

摘要翻译： 本发明提供了一种无氰化学机械抛光（CMP）组合物，其可用于抛光基底的含金表面。 CMP组合物包含研磨剂，金氧化剂，不含氰化物的金增溶剂及其水性载体。 本发明还提供了利用上述抛光组合物对衬底的含金表面进行化学机械抛光的方法。

公开(公告)号：US20080020577A1

公开(公告)日：2008-01-24

申请号：US11491055

申请日：2006-07-21

申请人： Steven Grumbine

发明人： Steven Grumbine

IPC分类号： H01L21/461 ,  C09K13/00

CPC分类号： H01L21/31053 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing composition comprising silica, a compound in an amount sufficient to provide about 0.2 mM to about 10 mM of a metal cation selected from the group consisting of gallium (III), chromium (II), and chromium (III), and water, wherein the polishing composition has a pH of about 1 to about 6. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the aforementioned polishing composition.

摘要翻译： 本发明提供一种化学机械抛光组合物，其包含二氧化硅，化合物的量足以提供约0.2mM至约10mM的选自镓（III），铬（II）和铬（ III）和水，其中抛光组合物的pH为约1至约6.本发明还提供了用前述抛光组合物对基材进行化学机械抛光的方法。

公开(公告)号：US07311862B2

公开(公告)日：2007-12-25

申请号：US11265607

申请日：2005-11-02

申请人： Abaneshwar Prasad

发明人： Abaneshwar Prasad

IPC分类号： C08J9/28

CPC分类号： B24B37/24 ,  B24D3/32 ,  B24D11/001

摘要： A method of manufacturing a chemical-mechanical polishing (CMP) pad comprises the steps of (a) forming a layer of a polymer resin liquid solution (i.e., a polymer resin dissolved in a solvent); (b) inducing a phase separation in the layer of polymer solution to produce an interpenetrating polymeric network comprising a continuous polymer-rich phase interspersed with a continuous polymer-depleted phase in which the polymer-depleted phase constitutes about 20 to about 90 percent of the combined volume of the phases; (c) solidifying the continuous polymer-rich phase to form a porous polymer sheet; (d) removing at least a portion of the polymer-depleted phase from the porous polymer sheet; and (e) forming a CMP pad therefrom. The method provides for microporous CMP pads having a porosity and pore size that can be readily controlled by selecting the concentration polymer resin in the polymer solution, selecting the solvent based on the solubility parameters of the polymer in the solvent polarity of solvent, selecting the conditions for phase separation, and the like.

摘要翻译： 一种制造化学机械抛光（CMP）垫的方法包括以下步骤：（a）形成聚合物树脂液体溶液层（即溶解在溶剂中的聚合物树脂）; （b）在聚合物溶液层中诱导相分离以产生互穿聚合物网络，其包含富含连续聚合物的相连续的聚合物贫化相，其中聚合物贫化相构成约20至约90％ 相的组合体积; （c）固化连续富聚合物相以形成多孔聚合物片; （d）从所述多孔聚合物片中除去所述聚合物贫化相的至少一部分; 和（e）从其形成CMP垫。 该方法提供具有孔隙率和孔径的微孔CMP垫，其可以通过选择聚合物溶液中的聚合物树脂浓度来容易地控制，基于聚合物在溶剂的溶剂极性中的溶解度参数选择溶剂，选择条件 用于相分离等。

公开(公告)号：US07311856B2

公开(公告)日：2007-12-25

申请号：US11093806

申请日：2005-03-30

申请人： Renjie Zhou ,  Steven K. Grumbine ,  Jian Zhang ,  Isaac K. Cherian

发明人： Renjie Zhou ,  Steven K. Grumbine ,  Jian Zhang ,  Isaac K. Cherian

IPC分类号： C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C09K3/1463 ,  C11D1/008 ,  C11D1/58 ,  C11D11/0047 ,  C11D17/049

摘要： The invention provides a chemical-mechanical polishing system comprising a polishing component, a surfactant, and a liquid carrier. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate with the polishing system.

摘要翻译： 本发明提供一种包括抛光组分，表面活性剂和液体载体的化学机械抛光系统。 本发明还提供了一种用抛光系统对衬底进行化学机械抛光的方法。

公开(公告)号：US07294576B1

公开(公告)日：2007-11-13

申请号：US11478023

申请日：2006-06-29

申请人： Zhan Chen ,  Robert Vacassy ,  Benjamin Bayer ,  Dinesh Khanna

发明人： Zhan Chen ,  Robert Vacassy ,  Benjamin Bayer ,  Dinesh Khanna

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  H01L21/31053

摘要： The invention provides a method of preparing a chemical-mechanical polishing composition for polishing a substrate with at least a first layer and a second layer. The method comprises providing both a first chemical-mechanical polishing composition comprising an abrasive with a selectivity for a first layer as compared to a second layer and a second chemical-mechanical polishing composition comprising an abrasive with different selectivity for the first layer as compared to the second layer, wherein the second chemical-mechanical polishing composition is stable in the presence of the first chemical-mechanical polishing composition, and mixing the first and second chemical-mechanical polishing compositions in a ratio to achieve a final selectivity for the first layer as compared to the second layer. The invention further provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate.

摘要翻译： 本发明提供一种制备用至少第一层和第二层来抛光衬底的化学机械抛光组合物的方法。 该方法包括提供包含磨料的第一化学机械抛光组合物，其与第二层相比具有对第一层的选择性;以及第二化学机械抛光组合物，其包含与第一层相比具有不同选择性的研磨剂 第二层，其中所述第二化学机械抛光组合物在所述第一化学机械抛光组合物的存在下是稳定的，并且以比例混合所述第一和第二化学机械抛光组合物以获得比较所述第一层的最终选择性 到第二层。 本发明还提供了一种化学机械抛光衬底的方法。

公开(公告)号：US07277314B2

公开(公告)日：2007-10-02

申请号：US10855281

申请日：2004-05-27

申请人： Heinz H. Busta

发明人： Heinz H. Busta

IPC分类号： G11C13/00

CPC分类号： B82Y10/00 ,  G11B9/08 ,  G11B9/149 ,  H01L27/10

摘要： An improved high-density digital storage device uses placement of mobile ions within a memory layer to record digital data. In an embodiment of the invention, the mobile ions comprise sodium ions or other alkali metal ions implanted in a silicon oxide memory layer. In a further embodiment of the invention, a scanning nanotip array is used to position the mobile ions via an electric field as well as to read the positions of the mobile ions. In a further embodiment of the invention, a grid-addressable array of transistors is used to provide scanning tips.

摘要翻译： 改进的高密度数字存储设备使用存储层内的移动离子放置来记录数字数据。 在本发明的一个实施例中，移动离子包括注入氧化硅存储层中的钠离子或其它碱金属离子。 在本发明的另一实施例中，使用扫描纳米尖端阵列经由电场定位移动离子以及读取移动离子的位置。 在本发明的另一实施例中，使用晶格管的网格寻址阵列来提供扫描尖端。

公开(公告)号：US07265055B2

公开(公告)日：2007-09-04

申请号：US11259645

申请日：2005-10-26

申请人： Christopher C. Thompson ,  Vlasta Brusic ,  Renjie Zhou

发明人： Christopher C. Thompson ,  Vlasta Brusic ,  Renjie Zhou

IPC分类号： H01L21/302

CPC分类号： H01L21/3212 ,  C09G1/02 ,  C23F3/04

摘要： The invention provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate. A substrate comprising ruthenium and copper is contacted with a chemical-mechanical polishing system comprising a polishing component, hydrogen peroxide, an organic acid, at least one heterocyclic compound comprising at least one nitrogen atom, and water. The polishing component is moved relative to the substrate, and at least a portion of the substrate is abraded to polish the substrate. The pH of the polishing system is about 6 to about 12, the ruthenium and copper are in electrical contact, and the difference between the open circuit potential of copper and the open circuit potential of ruthenium in the polishing system is about 50 mV or less.

摘要翻译： 本发明提供了一种化学机械抛光衬底的方法。 包含钌和铜的基材与包括抛光组分，过氧化氢，有机酸，至少一种包含至少一个氮原子的杂环化合物和水的化学机械抛光系统接触。 抛光组分相对于基底移动，并且研磨衬底的至少一部分以抛光衬底。 抛光系统的pH为约6至约12，钌和铜电接触，并且抛光系统中铜的开路电位与钌的开路电位之间的差为约50mV或更小。