公开(公告)号：US20060051924A1

公开(公告)日：2006-03-09

申请号：US10937195

申请日：2004-09-08

申请人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert Chau

发明人： Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Uday Shah ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Ramune Nagisetty ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L21/823842

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a first dielectric layer on a substrate, a trench within the first dielectric layer, and a second dielectric layer on the substrate. The second dielectric layer has a first part that is formed in the trench and a second part. After a first metal layer with a first workfunction is formed on the first and second parts of the second dielectric layer, part of the first metal layer is converted into a second metal layer with a second workfunction.

公开(公告)号：US20060046523A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10925458

申请日：2004-08-25

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau ,  Matt Prince ,  Anne Miller ,  Mark Buehler

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Chris Barns ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Robert Chau ,  Matt Prince ,  Anne Miller ,  Mark Buehler

IPC分类号： H01L21/76

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495 ,  H01L29/66545

摘要： Replacement metal gates may be formed by removing a polysilicon layer from a gate structure. The gate structure may be formed by patterning the polysilicon layer and depositing a spacer layer over the gate structure such that the spacer layer has a first polish rate. The spacer layer is then etched to form a sidewall spacer. An interlayer dielectric is applied over the gate structure with the sidewall spacer. The interlayer dielectric has a second polish rate higher than the first polish rate. In one embodiment, the interlayer dielectric has a lower polish rate than that of oxide.

摘要翻译： 可以通过从栅极结构去除多晶硅层来形成替代金属栅极。 栅极结构可以通过图案化多晶硅层并在栅极结构上沉积间隔层形成，使得间隔层具有第一抛光速率。 然后对间隔层进行蚀刻以形成侧壁间隔物。 在栅极结构上用侧壁间隔物施加层间电介质。 层间电介质具有比第一抛光速率高的第二抛光速率。 在一个实施例中，层间电介质具有比氧化物更低的抛光速率。

公开(公告)号：US20060046401A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10925468

申请日：2004-08-25

申请人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

发明人： Jack Kavalieros ,  Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L31/0312

CPC分类号： H01L27/092 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/82385 ,  H01L29/66545

摘要： In a metal gate replacement process, a stack of at least two polysilicon layers or other materials may be formed. Sidewall spacers may be formed on the stack. The stack may then be planarized. Next, the upper layer of the stack may be selectively removed. Then, the exposed portions of the sidewall spacers may be selectively removed. Finally, the lower portion of the stack may be removed to form a T-shaped trench which may be filled with the metal replacement.

摘要翻译： 在金属栅极更换工艺中，可以形成至少两个多晶硅层或其它材料的堆叠。 侧壁间隔物可以形成在堆叠上。 然后可以将堆叠平坦化。 接下来，可以选择性地去除堆叠的上层。 然后，可以选择性地去除侧壁间隔物的暴露部分。 最后，堆叠的下部可以被去除以形成可以用金属替代物填充的T形沟槽。

公开(公告)号：US20060045968A1

公开(公告)日：2006-03-02

申请号：US10925573

申请日：2004-08-25

申请人： Matthew Metz ,  Mark Brazier ,  Timothy Glassman ,  Christopher Thomas ,  Lawrence Foley ,  Christopher Parker ,  Ying Zhou ,  Markus Kuhn ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Robert Chau

发明人： Matthew Metz ,  Mark Brazier ,  Timothy Glassman ,  Christopher Thomas ,  Lawrence Foley ,  Christopher Parker ,  Ying Zhou ,  Markus Kuhn ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Robert Chau

IPC分类号： C23C16/00

CPC分类号： C23C16/45527

摘要： Increasing the number of successive pulses of oxidant before applying pulses of metal precursor may improve the quality of the resulting metal or rare earth oxide films. These metal or rare earth oxide films may be utilized for high dielectric constant gate dielectrics. In addition, pulsing the oxidant during the pre-stabilization period may be advantageous. Also, using more pulses of oxidant than the pulses of precursor may reduce chlorine concentration in the resulting films.

摘要翻译： 在施加金属前体的脉冲之前增加氧化剂的连续脉冲数可以提高所得金属或稀土氧化物膜的质量。 这些金属或稀土氧化物膜可用于高介电常数栅极电介质。 此外，在预稳定化期间脉冲氧化剂可能是有利的。 此外，使用比前体脉冲更多的氧化剂脉冲可以降低所得膜中的氯浓度。

公开(公告)号：US20060024892A1

公开(公告)日：2006-02-02

申请号：US10900666

申请日：2004-07-28

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： H01L29/517 ,  H01L21/265 ,  H01L21/28079 ,  H01L21/28176 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/823842 ,  H01L29/495

摘要： A metal gate transistor may include a metal layer over a high dielectric constant dielectric layer. The dielectric layer abstracts electronegativity from said metal layer, altering its workfunction. The workfunction of the metal layer may be set to compensate for the dielectric layer abstraction.

摘要翻译： 金属栅极晶体管可以包括在高介电常数介电层上的金属层。 电介质层从所述金属层提取电负性，改变其功能。 可以设置金属层的功函数以补偿介电层抽象。

公开(公告)号：US20060008968A1

公开(公告)日：2006-01-12

申请号：US10885958

申请日：2004-07-06

申请人： Justin Brask ,  Chris Barns ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Anne Miller ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Chris Barns ,  Mark Doczy ,  Uday Shah ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Anne Miller ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28194 ,  H01L21/28229 ,  H01L21/82345 ,  H01L21/823462 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L29/4966 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming a dielectric layer on a substrate, forming a trench within the dielectric layer, and forming a high-k gate dielectric layer within the trench. After forming a first metal layer on the high-k gate dielectric layer, a second metal layer is formed on the first metal layer. At least part of the second metal layer is removed from above the dielectric layer using a polishing step, and additional material is removed from above the dielectric layer using an etch step.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成电介质层，在电介质层内形成沟槽，并在沟槽内形成高k栅介质层。 在高k栅介质层上形成第一金属层之后，在第一金属层上形成第二金属层。 使用抛光步骤从电介质层上方去除第二金属层的至少一部分，并且使用蚀刻步骤从电介质层上方除去附加材料。

公开(公告)号：US20050272270A1

公开(公告)日：2005-12-08

申请号：US11109240

申请日：2005-04-18

申请人： Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Uday Shah ,  Robert Chau

发明人： Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Justin Brask ,  Uday Shah ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/28 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/11 ,  H01L29/51 ,  H01L21/469

CPC分类号： H01L21/28194 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L27/11 ,  H01L29/512 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66545

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises modifying a first surface, and forming a high-k gate dielectric layer on an unmodified second surface.

公开(公告)号：US20050266619A1

公开(公告)日：2005-12-01

申请号：US10855635

申请日：2004-05-26

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Robert Turkot ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Uday Shah ,  Chris Barns ,  Suman Datta ,  Robert Turkot ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/326 ,  H01L21/336 ,  H01L21/479 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/66545 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/823842 ,  H01L21/823857 ,  H01L21/823871

摘要： A method for making a semiconductor device is described. That method comprises forming on a substrate a first gate dielectric layer that has a first substantially vertical component, then forming a first metal layer on the first gate dielectric layer. After forming on the substrate a second gate dielectric layer that has a second substantially vertical component, a second metal layer is formed on the second gate dielectric layer. In this method, a conductor is formed that contacts both the first metal layer and the second metal layer.

摘要翻译： 描述制造半导体器件的方法。 该方法包括在衬底上形成具有第一基本垂直分量的第一栅极电介质层，然后在第一栅极电介质层上形成第一金属层。 在衬底上形成具有第二基本垂直分量的第二栅介质层之后，在第二栅介质层上形成第二金属层。 在该方法中，形成与第一金属层和第二金属层接触的导体。

公开(公告)号：US20050218372A1

公开(公告)日：2005-10-06

申请号：US10816539

申请日：2004-04-01

申请人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Jack Kavalieros ,  Mark Doczy ,  Matthew Metz ,  Suman Datta ,  Uday Shah ,  Robert Chau

IPC分类号： B44C1/22 ,  C09K13/00 ,  C09K13/06 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3213

CPC分类号： H01L21/32134 ,  C09K13/06

摘要： Semiconductor integrated circuit structures, such as stacks containing metal layers, may be etched with a modified viscosity etchant. An increased viscosity etchant, for example, may reduce undercutting when a metal film is being etched.

公开(公告)号：US20050148136A1

公开(公告)日：2005-07-07

申请号：US10748559

申请日：2003-12-29

申请人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

发明人： Justin Brask ,  Mark Doczy ,  Jack Kavalieros ,  Matthew Metz ,  Chris Barns ,  Uday Shah ,  Suman Datta ,  Christopher Thomas ,  Robert Chau

IPC分类号： H01L21/8238 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/28097 ,  H01L21/823835 ,  H01L21/823842 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/4975 ,  H01L29/66545 ,  Y10S438/926

摘要： A semiconductor device and a method for forming it are described. The semiconductor device comprises a metal NMOS gate electrode that is formed on a first part of a substrate, and a silicide PMOS gate electrode that is formed on a second part of the substrate.

摘要翻译： 对半导体装置及其形成方法进行说明。 半导体器件包括形成在衬底的第一部分上的金属NMOS栅电极和形成在衬底的第二部分上的硅化物PMOS栅电极。