公开(公告)号：US20080207005A1

公开(公告)日：2008-08-28

申请号：US11816036

申请日：2005-02-02

申请人： Janos Farkas

发明人： Janos Farkas

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L21/3105 ,  H01L21/02063 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76831

摘要： When a semiconductor wafer bears porous dielectric materials it is still possible to perform post-via-etch cleaning of the wafer using aqueous cleaning fluids if, before and/or simultaneously with application of the aqueous cleaning fluid(s), a water-soluble organosilane or like passivation material is used to form a passivation layer on the porous dielectric material.

摘要翻译： 当半导体晶片承载多孔电介质材料时，如果在施用水性清洁流体之前和/或同时施用水溶性有机硅烷，则仍然可以使用水性清洁流体进行晶片的经过后蚀刻清洁 或类似的钝化材料用于在多孔电介质材料上形成钝化层。

公开(公告)号：US20060198304A1

公开(公告)日：2006-09-07

申请号：US10595092

申请日：2004-07-27

申请人： Gergely Matefi ,  Csaba Antal ,  Janos Farkas

发明人： Gergely Matefi ,  Csaba Antal ,  Janos Farkas

IPC分类号： H04L12/26 ,  H04L12/54

CPC分类号： H04L47/10 ,  H04L47/14 ,  H04L47/15 ,  H04L47/2408 ,  H04L47/2416 ,  H04L47/283 ,  H04L47/70 ,  H04L47/801 ,  H04L47/805 ,  H04L47/822 ,  H04L47/824

摘要： A call admission control system and method for Internet Protocol (IP) Differentiated Services (DiffServ) network having at least one node for interpreting signaling messages and controlling traffic load in the network. The method consists of an initialization (601) and a real-time phase (602). In initialization phase (601), coefficients of the approximating hyperplanes are computed (61) and stored (62). This phase is repeated when the descriptor of a traffic class changes (63), which usually happens when nodes are configured or reconfigured. A traffic mix is admissible (67), if for each real-time traffic class both the stability (65) and the delay (66) constraints are fulfilled. Stability is tested by evaluating the number of lost packets and comparing it to the tolerated packet loss ratio for each class in that queue. Delay constraint is tested by checking if the traffic mix is below at least one of the approximating hyperplanes in the space of number of sessions for each class.

摘要翻译： 一种用于互联网协议（IP）差分服务（DiffServ）网络的呼叫接纳控制系统和方法，其具有用于解释信令消息和控制网络中的业务负载的至少一个节点。 该方法由初始化（601）和实时阶段（602）组成。 在初始化阶段（601）中，计算（61）并存储（62）近似超平面的系数。 当业务类的描述符改变（63）时，会重复此阶段，通常在配置或重新配置节点时发生。 如果对于每个实时交通类来说，流量混合是可接受的（67），则稳定性（65）和延迟（66）约束都得到满足。 通过评估丢失数据包的数量并将其与该队列中的每个类别的容忍丢包率进行比较来测试稳定性。 通过检查流量混合是否低于每个类的会话空间中的近似超平面中的至少一个来测试延迟约束。

公开(公告)号：US06573173B2

公开(公告)日：2003-06-03

申请号：US10175637

申请日：2002-06-20

申请人： Janos Farkas ,  Brian G. Anthony ,  Abbas Guvenilir ,  Mohammed Rabiul Islam ,  Venkat Kolagunta ,  John Mendonca ,  Rajesh Tiwari ,  Suresh Venkatesan

发明人： Janos Farkas ,  Brian G. Anthony ,  Abbas Guvenilir ,  Mohammed Rabiul Islam ,  Venkat Kolagunta ,  John Mendonca ,  Rajesh Tiwari ,  Suresh Venkatesan

IPC分类号： H01L214763

CPC分类号： H01L21/7684 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/3212

摘要： A copper interconnect polishing process begins by polishing (17) a bulk thickness of copper (63) using a first platen. A second platen is then used to remove (19) a thin remaining interfacial copper layer to expose a barrier film (61). Computer control (21) monitors polish times of the first and second platen and adjusts these times to improve wafer throughput. One or more platens and/or the wafer is rinsed (20) between the interfacial copper polish and the barrier polish to reduce slurry cross contamination. A third platen and slurry is then used to polish away exposed portions of the barrier (61) to complete polishing of the copper interconnect structure. A holding tank that contains anti-corrosive fluid is used to queue the wafers until subsequent scrubbing operations (25). A scrubbing operation (25) that is substantially void of light is used to reduce photovoltaic induced corrosion of copper in the drying chamber of the scubber.

公开(公告)号：US6096652A

公开(公告)日：2000-08-01

申请号：US963438

申请日：1997-11-03

申请人： David K. Watts ,  Janos Farkas ,  Jason Gomez ,  Chelsea Dang

发明人： David K. Watts ,  Janos Farkas ,  Jason Gomez ,  Chelsea Dang

IPC分类号： H01L21/321 ,  H01L21/768 ,  H01L21/00

CPC分类号： C23F3/00 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684

摘要： A method of CMP of the semiconductor device where the method comprises the sequential steps of providing a semiconductor device, forming a copper layer on the semiconductor device and planarizing the copper layer with a medium. The medium comprises an abrasive component and a chemical solution. The chemical solution comprises water, an oxidizing agent, a first coordinating ligand adapted to form a complex with Cu(I) and a second coordinating ligand adapted to form a complex with Cu(II).

摘要翻译： 一种半导体器件的CMP方法，其中所述方法包括提供半导体器件的顺序步骤，在半导体器件上形成铜层并用介质平坦化铜层。 介质包括磨料组分和化学溶液。 化学溶液包括水，氧化剂，适于与Cu（I）形成络合物的第一配位配体和适于与Cu（II）形成络合物的第二配位配体。

公开(公告)号：US5985755A

公开(公告)日：1999-11-16

申请号：US822025

申请日：1997-03-24

申请人： Rajeev Bajaj ,  Janos Farkas ,  Sung C. Kim ,  Jaime Saravia

发明人： Rajeev Bajaj ,  Janos Farkas ,  Sung C. Kim ,  Jaime Saravia

IPC分类号： H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/4763

CPC分类号： H01L21/3212

摘要： A process of polishing two dissimilar conductive materials deposited on semiconductor device substrate optimizes the polishing of each of the conductive material independently, while utilizing the same polishing equipment for manufacturing efficiency. A tungsten layer (258) and a titanium layer (256) of a semiconductor device substrate (250) are polished using one polisher (10) but two different slurry formulations. The two slurries can be dispensed sequentially onto the same polishing platen (132) from two different source containers (111 and 112), wherein the first slurry is dispensed until the tungsten is removed and then the slurry dispense is switched to the second slurry for removal of the titanium. In a preferred embodiment, the first slurry composition is a ferric nitrate slurry while the second slurry composition is an oxalic acid slurry.

摘要翻译： 抛光沉积在半导体器件衬底上的两种不同导电材料的工艺可以独立地优化每个导电材料的抛光，同时利用相同的抛光设备来制造效率。 使用一个抛光机（10），但是使用两种不同的浆料配方来抛光半导体器件基板（250）的钨层（258）和钛层（256）。 两个浆料可以从两个不同的源容器（111和112）顺序地分配到相同的抛光平台（132）上，其中分配第一浆料直到除去钨，然后将浆料分配切换到第二浆料以除去 的钛。 在优选的实施方案中，第一浆料组合物是硝酸铁浆料，而第二浆料组合物是草酸浆料。

公开(公告)号：US5863838A

公开(公告)日：1999-01-26

申请号：US684782

申请日：1996-07-22

申请人： Janos Farkas ,  Melissa Freeman

发明人： Janos Farkas ,  Melissa Freeman

IPC分类号： B24B1/00 ,  C23F3/00 ,  H01L21/304 ,  H01L21/321 ,  H01L21/60 ,  C23F3/18 ,  H05K3/26

CPC分类号： H01L24/83 ,  C23F3/00 ,  H01L24/29 ,  H01L2224/29298 ,  H01L2224/8319 ,  H01L2224/838 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01021 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/0781 ,  H01L2924/3025

摘要： A method of manufacturing a semiconductor device includes providing (51) a substrate (19), providing (52) a colloid (17) having particles held in suspension, providing (53) a reagent (18), disposing (54) the substrate (19) in a processing tool (10), combining (55) the colloid (17) and the reagent (18) to form a slurry (28), decomposing (56) the reagent (18) into a surfactant and an oxidizer, using (57) the slurry (28) to process the substrate (19) in the processing tool (10), and removing (58) the substrate (19) from the processing tool (10).

摘要翻译： 一种制造半导体器件的方法包括提供（51）基片（19），提供（52）具有保持悬浮颗粒的胶体（17），提供（53）试剂（18），设置（54）基片 19），加工工具（10）中，组合（55）胶体（17）和试剂（18）以形成浆料（28），将试剂（18）分解成表面活性剂和氧化剂，使用 （57）处理加工工具（10）中的基板（19）的浆料（28），以及从处理工具（10）移除（58）基板（19）。

公开(公告)号：US5710069A

公开(公告)日：1998-01-20

申请号：US703322

申请日：1996-08-26

申请人： Janos Farkas ,  James Michael Mullins

发明人： Janos Farkas ,  James Michael Mullins

IPC分类号： G01N15/14

CPC分类号： B24B37/04 ,  B24B57/02 ,  G01N15/1429 ,  G01N2015/1447

摘要： A method of sensing a particle in a mixture includes providing (52) the mixture (36) having a particle (29, 30), moving (54) the mixture (36) in a direction, shining (56) a light into a portion of the moving mixture (36), reflecting a portion of the light off of the particle (29, 30) in the moving mixture (36), detecting and measuring (57) the reflected light, and using (58) the measured reflected light to determine a size of the particle (29, 30).

摘要翻译： 感测混合物中的颗粒的方法包括提供（52）具有颗粒（29,30）的混合物（36），沿着将光照射（56）光的方向移动（54）混合物（36） （36）中的一部分反射光，从而检测并测量（57）反射光，并且使用（58）所测量的反射光 以确定颗粒的尺寸（29,30）。