公开(公告)号：US09184374B2

公开(公告)日：2015-11-10

申请号：US13963762

申请日：2013-08-09

申请人： Kazuya Sawada ,  Toshihiko Nagase ,  Youngmin Eeh ,  Koji Ueda ,  Daisuke Watanabe ,  Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Hiroaki Yoda

发明人： Kazuya Sawada ,  Toshihiko Nagase ,  Youngmin Eeh ,  Koji Ueda ,  Daisuke Watanabe ,  Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element includes first, second and third magnetic layers, and first and second nonmagnetic layers. The third magnetic layer has stack layers including a first stack layer close to the second magnetic layer, and a second stack layer far from the second magnetic layer. Each of the first and second stack layers includes a first layer made of a ferromagnetic material and a second layer made of a nonmagnetic material, and a first ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the first stack layer is higher than a second ratio of a film thickness of the first layer to that of the second layer in the second stack layer.

摘要翻译： 根据一个实施例，磁阻元件包括第一，第二和第三磁性层以及第一和第二非磁性层。 第三磁性层具有包括靠近第二磁性层的第一堆叠层和远离第二磁性层的第二堆叠层的堆叠层。 第一和第二堆叠层中的每一个包括由铁磁材料制成的第一层和由非磁性材料制成的第二层，并且第一层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第一比率 高于第二层的第一层的膜厚度与第二层的膜厚度的第二比率。

公开(公告)号：US08036025B2

公开(公告)日：2011-10-11

申请号：US12686168

申请日：2010-01-12

申请人： Toshihiko Nagase ,  Masatoshi Yoshkawa ,  Eiji Kitagawa ,  Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Tatsuya Kishi ,  Hiroaki Yoda

发明人： Toshihiko Nagase ,  Masatoshi Yoshkawa ,  Eiji Kitagawa ,  Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Tatsuya Kishi ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L43/00

CPC分类号： G01R33/093 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

摘要： A magnetoresistive element which records information by supplying spin-polarized electrons to a magnetic material, includes a first pinned layer which is made of a magnetic material and has a first magnetization directed in a direction perpendicular to a film surface, a free layer which is made of a magnetic material and has a second magnetization directed in the direction perpendicular to the film surface, the direction of the second magnetization reversing by the spin-polarized electrons, and a first nonmagnetic layer which is provided between the first pinned layer and the free layer. A saturation magnetization Ms of the free layer satisfies a relationship 0≦Ms

摘要翻译： 通过向磁性材料提供自旋极化电子来记录信息的磁阻元件包括由磁性材料制成并且具有沿与膜表面垂直的方向的第一磁化的第一固定层，制成的自由层 并且具有在垂直于膜表面的方向上的第二磁化强度，由自旋极化电子反转的第二磁化方向以及设置在第一被钉扎层和自由层之间的第一非磁性层 。 自由层的饱和磁化强度Ms满足关系0＆nlE; Ms <√{平方根超过（）} {Jw /（6＆pgr; At）}。 Jw是写入电流密度，t是自由层的厚度，A是常数。

公开(公告)号：US20070096229A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11551868

申请日：2006-10-23

申请人： Masatoshi Yoshikawa ,  Toshihiko Nagase ,  Eiji Kitagawa ,  Hiroaki Yoda ,  Tatsuya Kishi ,  Masahiko Nakayama

发明人： Masatoshi Yoshikawa ,  Toshihiko Nagase ,  Eiji Kitagawa ,  Hiroaki Yoda ,  Tatsuya Kishi ,  Masahiko Nakayama

IPC分类号： H01L43/00

CPC分类号： H01L43/10 ,  G11C11/16

摘要： A magnetoresistive element includes a magnetic recording layer which records information as a magnetization direction changes upon supplying a bidirectional current in an out-of-plane direction, a magnetic reference layer which has a fixed magnetization direction, and a nonmagnetic layer which is provided between the magnetic recording layer and the magnetic reference layer. The magnetic recording layer includes an interface magnetic layer which is provided in contact with the nonmagnetic layer and has a first magnetic anisotropy energy, and a magnetic stabilizing layer which has a second magnetic anisotropy energy higher than the first magnetic anisotropy energy.

摘要翻译： 磁阻元件包括磁记录层，该磁记录层在沿面外方向提供双向电流时记录磁化方向变化的信息，具有固定的磁化方向的磁性参考层和设置在磁性方向之间的非磁性层 磁记录层和磁参考层。 磁记录层包括与非磁性层接触并具有第一磁各向异性能的界面磁性层和具有高于第一磁各向异性能的第二磁各向异性能的磁稳定层。

公开(公告)号：US09385304B2

公开(公告)日：2016-07-05

申请号：US14203249

申请日：2014-03-10

申请人： Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Masaru Toko ,  Hiroaki Yoda ,  Hyung Suk Lee ,  Jae Geun Oh ,  Choon Kun Ryu ,  Min Suk Lee

发明人： Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Masaru Toko ,  Hiroaki Yoda ,  Hyung Suk Lee ,  Jae Geun Oh ,  Choon Kun Ryu ,  Min Suk Lee

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12 ,  H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  H01L27/22 ,  H01L27/24 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/02 ,  G11C11/15 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/5607 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2463 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L45/04

摘要： According to one embodiment, a magnetic memory is disclosed. The memory includes a conductive layer containing a first metal material, a stacked body above the conductive layer, and including a first magnetization film containing a second metal material, a second magnetization film, and a tunnel barrier layer between the first magnetization film and the second magnetization film, and an insulating layer on a side face of the stacked body, and containing an oxide of the first metal material. The first magnetization film and/or the second magnetization film includes a first region positioned in a central portion, and a second region positioned in an edge portion and containing As, P, Ge, Ga, Sb, In, N, Ar, He, F, Cl, Br, I, Si, B, C, O, Zr, Tb, S, Se, or Ti.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种磁存储器。 该存储器包括一个包含第一金属材料的导电层，在该导电层上方的层叠体，并且包括一个第一磁化膜，该第一磁化膜含有第二金属材料，第二磁化膜和第一磁化膜与第二磁化膜之间的隧道势垒层 磁化膜和层叠体的侧面上的绝缘层，并且含有第一金属材料的氧化物。 第一磁化膜和/或第二磁化膜包括位于中心部分的第一区域和位于边缘部分中并且包含As，P，Ge，Ga，Sb，In，N，Ar，He的第二区域， F，Cl，Br，I，Si，B，C，O，Zr，Tb，S，Se或Ti。

公开(公告)号：US09178134B2

公开(公告)日：2015-11-03

申请号：US14203198

申请日：2014-03-10

申请人： Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Masaru Toko ,  Toshihiko Nagase ,  Hiroaki Yoda

发明人： Masahiko Nakayama ,  Tadashi Kai ,  Masaru Toko ,  Toshihiko Nagase ,  Hiroaki Yoda

IPC分类号： H01L29/00 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L45/00 ,  H01L29/82 ,  H01L27/24 ,  H01L27/22

CPC分类号： H01L43/10 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L27/2463 ,  H01L29/82 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12 ,  H01L45/06

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element is disclosed. The element includes a first magnetic film, a second magnetic film, and a first nonmagnetic layer formed between the first magnetic film and the second magnetic film. The second magnetic film includes a first magnetic layer formed on a side of the first nonmagnetic layer, a second magnetic layer formed on a side opposite to the first nonmagnetic layer, and a second nonmagnetic layer formed between the first magnetic layer and the second magnetic layer and containing TiN.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种磁阻元件。 元件包括第一磁性膜，第二磁性膜和形成在第一磁性膜和第二磁性膜之间的第一非磁性层。 第二磁性膜包括形成在第一非磁性层一侧的第一磁性层，形成在与第一非磁性层相反的一侧的第二磁性层和形成在第一磁性层和第二磁性层之间的第二非磁性层 并含有TiN。

公开(公告)号：US09123879B2

公开(公告)日：2015-09-01

申请号：US14202802

申请日：2014-03-10

申请人： Masahiko Nakayama ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Tadashi Kai ,  Yutaka Hashimoto ,  Masaru Toko ,  Hiroaki Yoda ,  Jae Geun Oh ,  Keum Bum Lee ,  Choon Kun Ryu ,  Hyung Suk Lee ,  Sook Joo Kim

发明人： Masahiko Nakayama ,  Masatoshi Yoshikawa ,  Tadashi Kai ,  Yutaka Hashimoto ,  Masaru Toko ,  Hiroaki Yoda ,  Jae Geun Oh ,  Keum Bum Lee ,  Choon Kun Ryu ,  Hyung Suk Lee ,  Sook Joo Kim

IPC分类号： H01L27/00 ,  H01L43/02 ,  H01L27/22 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

CPC分类号： H01L43/02 ,  H01L27/222 ,  H01L27/224 ,  H01L27/226 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

摘要： According to one embodiment, a magnetoresistive element is disclosed. The magnetoresistive element includes a reference layer, a tunnel barrier layer, a storage layer. The storage layer includes a first region and a second region provided outside the first region to surround the first region, the second region including element included in the first region and another element being different from the element. The magnetoresistive element further includes a cap layer including a third region and a fourth region provided outside the third region to surround the third region, the fourth region including an element included in the third region and the another element.

摘要翻译： 根据一个实施例，公开了一种磁阻元件。 磁阻元件包括参考层，隧道势垒层，存储层。 存储层包括第一区域和设置在第一区域外部以围绕第一区域的第二区域，第二区域包括包含在第一区域中的元素，而另一个元素不同于元件。 磁阻元件进一步包括盖层，该盖层包括第三区域和设置在第三区域外部以包围第三区域的第四区域，第四区域包括包括在第三区域中的元件和另一元件。