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    Camptothecin compound containing stable 7-membered lactone ring, preparation method and use
    51.
    发明授权
    Camptothecin compound containing stable 7-membered lactone ring, preparation method and use 有权
    喜树碱化合物含有稳定的7元内酯环，制备方法和用途

    公开(公告)号：US09115150B2

    公开(公告)日：2015-08-25

    申请号：US14112583

    申请日：2012-04-13

    申请人： Wei Lv ,  Shanbao Yu ,  Yu Luo ,  Yi Chen ,  Jian Ding

    发明人： Wei Lv ,  Shanbao Yu ,  Yu Luo ,  Yi Chen ,  Jian Ding

    IPC分类号： C07D491/22

    CPC分类号： C07D491/22

    摘要： Provided are a camptothecin compound containing 7-membered lactone ring, as shown in general formula I, and pharmaceutically acceptable salt thereof, as well as the preparation method and use thereof. In general formula I, R1 is H, a C1˜C3 alkyl, acetyl or propionyl; R2 is H, a C1˜C6 alkyl, a C3˜C6 cycloalkyl, piperidyl; or a C1˜C6 alkyl substituted by an amino; R3 is H, a C1˜C3 alkyl, or a C1˜C6 alkyl substituted by an amino; R4 is H, a hydroxyl, or a C1˜C6 alkoxy; R5 is H, or a C1˜C6 alkoxyl; or R4 and R5 are linked to each other to form —OCH2O— or —OCH2CH2O—. The compound has good anti-tumor activity, and can be clinically used via oral administration, intravenous injection, and intramuscular injection, among others.

    摘要翻译： 提供了如通式I所示的含有7-元内酯环的喜树碱化合物及其药学上可接受的盐以及其制备方法和用途。 在通式I中，R 1是H，C 1 -C 3烷基，乙酰基或丙酰基; R2是H，C1〜C6烷基，C3〜C6环烷基，哌啶基; 或被氨基取代的C 1-6烷基; R3是H，C1〜C3烷基或被氨基取代的C1〜C6烷基; R4是H，羟基或C1〜C6烷氧基; R5是H或C1〜C6烷氧基; 或R 4和R 5彼此连接形成-OCH 2 O-或-OCH 2 CH 2 O-。 该化合物具有良好的抗肿瘤活性，可以通过口服给药，静脉内注射和肌内注射等临床使用。

    Camptothecin derivatives and their use
    52.
    发明授权
    Camptothecin derivatives and their use 有权
    喜树碱衍生物及其用途

    公开(公告)号：US08685997B2

    公开(公告)日：2014-04-01

    申请号：US12282397

    申请日：2007-01-17

    申请人： Wei Lu ,  Jian Ding ,  Heyong Gao ,  Liping Lin ,  Yi Chen

    发明人： Wei Lu ,  Jian Ding ,  Heyong Gao ,  Liping Lin ,  Yi Chen

    IPC分类号： A61K31/44 ,  C07D471/00

    CPC分类号： C07D491/22

    摘要： New camptothecin derivatives with the following structure of the formula (I), their use and the pharmaceutical compositions containing the same. The compounds of the present invention have good anti-tumor activities and good solubility in water, and can be used in development of medicines.

    摘要翻译： 具有以下结构式（I）的新的喜树碱衍生物，它们的用途和含有它们的药物组合物。 本发明化合物具有良好的抗肿瘤活性和在水中的良好溶解性，可用于药物的开发。

    Massager
    53.
    外观设计
    Massager 有权

    公开(公告)号：USD701614S1

    公开(公告)日：2014-03-25

    申请号：US29466913

    申请日：2013-09-12

    申请人： Jian Ding

    设计人： Jian Ding

    Triptolide derivatives and their uses
    56.
    发明授权
    Triptolide derivatives and their uses 有权
    雷公藤内酯衍生物及其用途

    公开(公告)号：US07626044B2

    公开(公告)日：2009-12-01

    申请号：US10540908

    申请日：2003-01-28

    申请人： Yuanchao Li ,  Jianping Zuo ,  Fan Zhang ,  Ru Zhou ,  Jian Ding

    发明人： Yuanchao Li ,  Jianping Zuo ,  Fan Zhang ,  Ru Zhou ,  Jian Ding

    IPC分类号： C07D307/77 ,  C07F9/06

    CPC分类号： C07D493/22 ,  A61K31/34

    摘要： Triptolide derivatives of Formula (I), their pharmaceutically acceptable salts and optical isomers, Formula (I): wherein, C5 and C6 are connect with each other by a C-C single bond or double bond; when C5 and C6 are connected with C-C single bond, X and Y represent independently hydrogen, oxygen, hydroxyl, halogen, lower alkyl-oxy, lower alkyl-amino, mercapto, lower alkyl-thio, the group of formula —OCOR, —OSO2OR or —OPO(OH)2, each of which is attached to C5 and C6, R represents —(CH2)nCO2Na, —(CO2)nCO2K, or —(CH2)nCH3, wherein n=1-6; Z represents hydrogen, oxygen, hydroxyl, halogen, lower alkyl-oxy, lower alkyl-amino, mercapto, lower alkyl-thio, the group of formula -OCOR, -OSO2OR or —OPO(OH)2, each of which is linked at C14-position, R represents —(CH2)nCO2Na, —(CO2)nCO2K, or —(CH2)nCH2, wherein n=1-6; wherein, the“______” linked with X, Y, and Z represents the stereochemistry orientations “” or “” , but X and Y cannot both be hydrogen atom at the same time, methods for preparing the triptolides and their use as antiphiogistic agent, immunosuppressive agent or therapeutic agent for other related diseases.

    摘要翻译： 式（I）的雷公藤内酯衍生物，其药学上可接受的盐和旋光异构体，式（I）：其中C5和C6通过C-C单键或双键相互连接; 当C5和C6与CC单键连接时，X和Y独立地表示氢，氧，羟基，卤素，低级烷基氧基，低级烷基 - 氨基，巯基，低级烷基 - 硫基，式-OCOR，-OSO2OR 或-OPO（OH）2，其各自连接到C5和C6，R表示 - （CH2）nCO2Na， - （CO2）nCO2K或 - （CH2）nCH3，其中n = 1-6; Z代表氢，氧，羟基，卤素，低级烷基 - 氧基，低级烷基 - 氨基，巯基，低级烷基 - 硫基，式-OCOR，-OSO2OR或-OPO（OH）2基团， C14-位，R表示 - （CH2）nCO2Na， - （CO2）nCO2K或 - （CH2）nCH2，其中n = 1-6; 其中，与X，Y和Z相连的“______”表示立体化学取向“”或“”，但X和Y不能同时为氢原子， 制备雷公藤内酯的方法及其作为抗氧化剂，免疫抑制剂或其他相关疾病的治疗剂的用途。

    Reticle fabrication using a removable hard mask
    57.
    发明授权
    Reticle fabrication using a removable hard mask 有权
    使用可移除的硬掩模的标线制造

    公开(公告)号：US07365014B2

    公开(公告)日：2008-04-29

    申请号：US10768919

    申请日：2004-01-30

    申请人： Christopher Dennis Bencher ,  Melvin Warren Montgomery ,  Alexander Buxbaum ,  Yung-Hee Yvette Lee ,  Jian Ding ,  Gilad Almogy ,  Wendy H. Yeh

    发明人： Christopher Dennis Bencher ,  Melvin Warren Montgomery ,  Alexander Buxbaum ,  Yung-Hee Yvette Lee ,  Jian Ding ,  Gilad Almogy ,  Wendy H. Yeh

    IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/311 ,  H01L21/302 ,  H01L21/44 ,  H01L21/461

    CPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/46 ,  G03F1/80

    摘要： We have reduced the critical dimension bias for reticle fabrication. Pattern transfer to the radiation-blocking layer of the reticle substrate essentially depends upon use of a hard mask to which the pattern is transferred from a photoresist. The photoresist pull back which occurs during pattern transfer to the hard mask is minimalized. In addition, a hard mask material having anti-reflective properties which are matched to the reflective characteristics of the radiation-blocking layer enables a reduction in critical dimension size and an improvement in the pattern feature integrity in the hard mask itself. An anti-reflective hard mask layer left on the radiation-blocking layer provides functionality when the reticle is used in a semiconductor device manufacturing process.

    摘要翻译： 我们已经减少了标线制造的临界尺寸偏差。 图案转印到掩模版基板的辐射阻挡层基本上取决于使用从光致抗蚀剂转移图案的硬掩模。 在图案转印到硬掩模期间发生的光致抗蚀剂拉回最小化。 此外，具有与防辐射层的反射特性相匹配的抗反射性能的硬掩模材料能够降低临界尺寸尺寸，并改善硬掩模本身的图案特征完整性。 当在半导体器件制造工艺中使用掩模版时，留在辐射阻挡层上的抗反射硬掩模层提供功能。

    Process for etching photomasks
    59.
    发明申请
    Process for etching photomasks 有权
    蚀刻光掩模的工艺

    公开(公告)号：US20070184354A1

    公开(公告)日：2007-08-09

    申请号：US10925887

    申请日：2004-08-25

    申请人： Madhavi Chandrachood ,  Nicole Sandlin ,  Yung-Hee Lee ,  Jian Ding

    发明人： Madhavi Chandrachood ,  Nicole Sandlin ,  Yung-Hee Lee ,  Jian Ding

    IPC分类号： C03C25/68 ,  B44C1/22 ,  H01L21/461 ,  C03C15/00 ,  C23F1/00 ,  H01L21/302 ,  C25F3/00 ,  G03F1/00

    CPC分类号： C03C17/06 ,  C03C2217/26 ,  C03C2218/33 ,  C03C2218/34 ,  C23F4/00 ,  G03F1/54 ,  G03F1/80 ,  H01J37/321 ,  H01J2237/3341

    摘要： Method and apparatus for etching a metal layer disposed on a substrate, such as a photolithographic reticle, are provided. In one aspect, a method is provided for processing a substrate including positioning a substrate having a metal layer disposed on an optically transparent material in a processing chamber, introducing a processing gas processing gas comprising an oxygen containing gas, a chlorine containing gas, and a chlorine-free halogen containing gas, and optionally, an inert gas, into the processing chamber, generating a plasma of the processing gas in the processing chamber, and etching exposed portions of the metal layer disposed on the substrate.

    摘要翻译： 提供了用于蚀刻设置在诸如光刻掩模之类的基板上的金属层的方法和设备。 一方面，提供了一种处理基板的方法，包括：将具有设置在处理室中的光学透明材料上的金属层的基板定位，引入包含含氧气体，含氯气体和 将含氯气体的无卤素气体和任选的惰性气体加入到处理室中，在处理室中产生处理气体的等离子体，并蚀刻设置在基板上的金属层的暴露部分。

    Reticle fabrication using a removable hard mask
    60.
    发明申请
    Reticle fabrication using a removable hard mask 有权
    使用可移除的硬掩模的标线制造

    公开(公告)号：US20050170655A1

    公开(公告)日：2005-08-04

    申请号：US10768919

    申请日：2004-01-30

    申请人： Christopher Bencher ,  Melvin Montgomery ,  Alexander Buxbaum ,  Yung-Hee Lee ,  Jian Ding ,  Gilad Almogy ,  Wendy Yeh

    发明人： Christopher Bencher ,  Melvin Montgomery ,  Alexander Buxbaum ,  Yung-Hee Lee ,  Jian Ding ,  Gilad Almogy ,  Wendy Yeh

    IPC分类号： G03F1/08 ,  G03F7/09 ,  H01L21/311

    CPC分类号： G03F1/68 ,  G03F1/46 ,  G03F1/80

    摘要： We have reduced the critical dimension bias for reticle fabrication. Pattern transfer to the radiation-blocking layer of the reticle substrate essentially depends upon use of a hard mask to which the pattern is transferred from a photoresist. The photoresist pull back which occurs during pattern transfer to the hard mask is minimalized. In addition, a hard mask material having anti-reflective properties which are matched to the reflective characteristics of the radiation-blocking layer enables a reduction in critical dimension size and an improvement in the pattern feature integrity in the hard mask itself. An anti-reflective hard mask layer left on the radiation-blocking layer provides functionality when the reticle is used in a semiconductor device manufacturing process.

    摘要翻译： 我们已经减少了标线制造的临界尺寸偏差。 图案转印到掩模版基板的辐射阻挡层基本上取决于使用从光致抗蚀剂转移图案的硬掩模。 在图案转印到硬掩模期间发生的光致抗蚀剂拉回最小化。 此外，具有与防辐射层的反射特性相匹配的抗反射性能的硬掩模材料能够降低临界尺寸尺寸并改善硬掩模本身中图案特征的完整性。 当在半导体器件制造工艺中使用掩模版时，留在辐射阻挡层上的抗反射硬掩模层提供功能。