公开(公告)号：US06936548B2

公开(公告)日：2005-08-30

申请号：US10497455

申请日：2002-11-27

申请人： Christian Dussarrat ,  Jean-Marc Girard

发明人： Christian Dussarrat ,  Jean-Marc Girard

IPC分类号： C23C16/30 ,  C23C16/34 ,  C23C16/455 ,  H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C16/308 ,  C23C16/345

摘要： A method for producing silicon nitride and silicon oxynitride films by CVD technology, where even at lower temperatures, acceptable film-deposition rates are achieved, without the by-product production of large amounts of ammonium chloride.

摘要翻译： 通过CVD技术制造氮化硅和氮氧化硅膜的方法，其中即使在较低温度下也可实现可接受的膜沉积速率，而不产生大量的氯化铵副产物。

公开(公告)号：US20050158983A1

公开(公告)日：2005-07-21

申请号：US11020712

申请日：2004-12-23

申请人： Takeshi Hoshi ,  Tsuyoshi Saito ,  Takako Kimura ,  Christian Dussarrat ,  Kazutaka Yanagita

发明人： Takeshi Hoshi ,  Tsuyoshi Saito ,  Takako Kimura ,  Christian Dussarrat ,  Kazutaka Yanagita

IPC分类号： C23C16/34 ,  H01L21/318 ,  H01L21/4763

CPC分类号： C23C16/345 ,  H01L21/3185

摘要： Silicon nitride film is formed on a silicon wafer mounted in a boat in an LPCVD tool by feeding a silicon source (SiH2Cl2, SiCl4, Si2Cl6, etc.) from an injector and feeding a mixed gas of monomethylamine (CH3NH2) and ammonia (NH3) as the nitrogen source from an injector. This addition of monomethylamine to the source substances for film production makes it possible to provide an improved film quality and improved leakage characteristics even at low temperatures (450-600° C.).

摘要翻译： 在LPCVD工具中，在安装在船上的硅晶片上形成硅氮化物膜，该硅源通过馈送硅源（SiH 2 2 Cl 2 Si 2 Si 3 S 2， >，Si 2 C 6 C 6等），并将一甲胺（CH 3 N 2 NH 2）的混合气体进料， / NH 3）和氨（NH 3 N 3）作为来自注射器的氮源。 通过将这种单甲胺添加到用于薄膜生产的源物质中，即使在低温（450-600℃）下也可以提供改进的膜质量和改善的泄漏特性。

公开(公告)号：US09514959B2

公开(公告)日：2016-12-06

申请号：US14439831

申请日：2013-10-30

申请人： L'AIR LIQUIDE, SOCIETE ANONYME POUR L'ETUDE ET L'EXPLOITATION DES PROCEDES GEORGES CLAUDE ,  Curtis Anderson ,  Rahul Gupta ,  Vincent M. Omarjee ,  Nathan Stafford ,  Christian Dussarrat

发明人： Curtis Anderson ,  Rahul Gupta ,  Vincent M. Omarjee ,  Nathan Stafford ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/311 ,  C07C21/18 ,  C07C23/06

CPC分类号： H01L21/32139 ,  C07C17/263 ,  C07C19/08 ,  C07C21/18 ,  C07C23/06 ,  C07C2601/04 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/32137

摘要： Etching gases are disclosed for plasma etching channel holes, gate trenches, staircase contacts, capacitor holes, contact holes, etc., in Si-containing layers on a substrate and plasma etching methods of using the same. The etching gases are trans-1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene; cis-1,1,1,4,4,4-hexafluoro-2-butene; hexafluoroisobutene; hexafluorocyclobutane (trans-1,1,2,2,3,4); pentafluorocyclobutane (1,1,2,2,3-); tetrafluorocyclobutane (1,1,2,2-); or hexafluorocyclobutane (cis-1,1,2,2,3,4). The etching gases may provide improved selectivity between the Si-containing layers and mask material, less damage to channel region, a straight vertical profile, and reduced bowing in pattern high aspect ratio structures.

摘要翻译： 公开了用于等离子体蚀刻通道孔，栅极沟槽，阶梯接触，电容器孔，接触孔等的衬底上的含Si层中的蚀刻气体，以及使用其的等离子体蚀刻方法。 蚀刻气体是反式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯; 顺式-1,1,1,4,4,4-六氟-2-丁烯; 六氟异丁烯 六氟环丁烷（反式-1,1,2,2,3,4）; 五氟环丁烷（1,1,2,2,3-）; 四氟环丁烷（1,1,2,2-）; 或六氟环丁烷（顺式-1,1,2,2,3,4）。 蚀刻气体可以在含Si层和掩模材料之间提供改进的选择性，对通道区域的损害更小，直的垂直剖面，以及图案高纵横比结构中的弯曲减小。

公开(公告)号：US09103019B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US12364298

申请日：2009-02-02

申请人： Christian Dussarrat ,  Benjamin J. Feist

发明人： Christian Dussarrat ,  Benjamin J. Feist

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/18 ,  C07C251/08 ,  C23C16/40 ,  H01L21/3205

CPC分类号： C23C16/18 ,  C07C251/08 ,  C23C16/406 ,  H01L21/32051

摘要： Methods and compositions for depositing a metal containing thin film on a substrate comprises introducing a vapor phase metal-organic precursor into a reaction chamber containing one or more substrates. The precursor has at least one β-diketiminato ligand, and has the general formula: M(R1C(NR4)CR2C(NR5)R3)2Ln wherein M is a metal selected from nickel, cobalt, ruthenium, iridium, palladium, platinum, silver and gold. Each of R1-5 is an organic ligand independently selected from H; and a C1-C4 linear or branched, alky group, alkylsilyl group, alkylamide group, alkoxide group, or alkylsilylamide group. Each L is independently selected from: a hydrocarbon; an oxygen-containing hydrocarbon; an amine; a polyamine; a bipyridine; an oxygen containing heterocycle; a nitrogen containing heterocycle; and combinations thereof; and n is an integer ranging from 0 to 4, inclusive. A metal containing film is deposited onto the substrate, while the substrate is maintained at a temperature between about 100° C. and about 500° C.

摘要翻译： 在基材上沉积含金属薄膜的方法和组合物包括将气相金属有机前体引入含有一个或多个基材的反应室中。 前体具有至少一个β-二亚胺配体，具有以下通式：M（R1C（NR4）CR2C（NR5）R3）2Ln其中M是选自镍，钴，钌，铱，钯，铂， 银和金。 R1-5中的每一个是独立地选自H的有机配体; 和C 1 -C 4直链或支链烷基，烷基甲硅烷基，烷基酰胺基，烷氧基或烷基甲硅烷基酰胺基。 每个L独立地选自：烃; 含氧烃; 胺; 多胺 联吡啶 含氧杂环; 含氮杂环; 及其组合; n为0〜4的整数。 将含金属的膜沉积在基底上，同时将基底保持在约100℃至约500℃的温度。

公开(公告)号：US09045509B2

公开(公告)日：2015-06-02

申请号：US13390452

申请日：2010-08-13

申请人： Christian Dussarrat ,  Vincent M. Omarjee ,  Venkateswara R. Pallem

发明人： Christian Dussarrat ,  Vincent M. Omarjee ,  Venkateswara R. Pallem

IPC分类号： C23C16/18 ,  C07F17/00

CPC分类号： C07F17/00 ,  C23C16/18

摘要： Disclosed are hafnium- and zirconium-containing precursors and methods of providing the same. The disclosed precursors include a ligand and at least one aliphatic group as substituent selected to have greater degrees of freedom than the usual substituents. The disclosed precursors may be used to deposit hafnium- or zirconium-containing layers using vapor deposition methods such as chemical vapor deposition or atomic layer deposition.

摘要翻译： 公开了含铪和锆的前体及其提供方法。 所公开的前体包括配体和至少一个选自具有比通常取代基更大的自由度的取代基的脂族基团。 所公开的前体可用于使用诸如化学气相沉积或原子层沉积的气相沉积方法沉积含铪层或含锆层。

公开(公告)号：US08999734B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US12721362

申请日：2010-03-10

申请人： James J. F. McAndrew ,  Curtis Anderson ,  Christian Dussarrat

发明人： James J. F. McAndrew ,  Curtis Anderson ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： H01L21/00 ,  C07F7/10 ,  H01L21/02

CPC分类号： C07F7/10 ,  H01L21/02343 ,  H01L21/02359

摘要： Disclosed herein are mono-functional silylating compounds that may exhibit enhanced silylating capabilities. Also disclosed are method of synthesizing and using these compounds. Finally methods to determine effective silylation are also disclosed.

摘要翻译： 本文公开了可以表现出增强的甲硅烷基化能力的单官能甲硅烷基化化合物。 还公开了合成和使用这些化合物的方法。 最后还公开了确定有效甲硅烷基化的方法。

公开(公告)号：US08906457B2

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：US13549910

申请日：2012-07-16

申请人： David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Christian Dussarrat ,  Clement Lansalot-Matras

发明人： David Thompson ,  Jeffrey W. Anthis ,  Christian Dussarrat ,  Clement Lansalot-Matras

IPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/455

CPC分类号： C23C16/18 ,  C23C16/45553

摘要： Methods for deposition of metal films consisting essentially of Co, Mn, Ru or a lanthanide on surfaces using metal coordination complexes are provided. The precursors used in the process include a 2-methylimine pyrrolyl ligand and/or N,N′-diisopropylformamidinato ligand. The precursors may also contain cyclopentadienyl, pentamethylcyclopentadienyl or pyrrolyl groups.

摘要翻译： 提供了使用金属配位络合物在表面上沉积基本由Co，Mn，Ru或镧系金属构成的金属膜的方法。 在该方法中使用的前体包括2-甲基亚胺吡咯基配体和/或N，N'-二异丙基甲酰胺配体。 前体还可以含有环戊二烯基，五甲基环戊二烯基或吡咯基。

公开(公告)号：US08859047B2

公开(公告)日：2014-10-14

申请号：US13580706

申请日：2010-12-22

申请人： Julien Gatineau ,  Christian Dussarrat

发明人： Julien Gatineau ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/18 ,  C23C16/455 ,  H01L21/02

CPC分类号： C23C16/40 ,  C23C16/18 ,  C23C16/45531 ,  H01L21/02197 ,  H01L21/02304

摘要： Disclosed are atomic layer deposition methods using ruthenium-containing precursors to form ruthenium-containing films for use in the manufacture of semiconductor, photovoltaic, LCD-TFT, or flat panel type devices.

摘要翻译： 公开了使用含钌前驱物形成用于制造半导体，光伏，LCD-TFT或平板型器件的含钌膜的原子层沉积方法。

公开(公告)号：US08758867B2

公开(公告)日：2014-06-24

申请号：US12212500

申请日：2008-09-17

申请人： Benjamin J. Jurcik, Jr. ,  Christian Dussarrat

发明人： Benjamin J. Jurcik, Jr. ,  Christian Dussarrat

IPC分类号： C23C16/513

CPC分类号： C23C16/45553 ,  C07F7/0803 ,  C23C16/18

摘要： Methods and compositions for depositing metal films are described herein. In general, the disclosed methods utilize precursor compounds comprising gold, silver or copper. More specifically, the disclosed precursor compounds utilize neutral ligands derived from ethylene or acetylene.

摘要翻译： 本文描述了用于沉积金属膜的方法和组合物。 通常，所公开的方法利用包含金，银或铜的前体化合物。 更具体地，所公开的前体化合物利用衍生自乙烯或乙炔的中性配体。

公开(公告)号：US08476465B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US13297443

申请日：2011-11-16

申请人： Christian Dussarrat

发明人： Christian Dussarrat

IPC分类号： B05D3/00 ,  B05D1/02

CPC分类号： H01L21/3141 ,  C07F9/005 ,  C23C16/34 ,  C23C16/405 ,  C23C16/45553 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/318

摘要： Methods and compositions for depositing high-k films are disclosed herein. In general, the disclosed methods utilize precursor compounds comprising Ta or Nb. More specifically, the disclosed precursor compounds utilize certain ligands coupled to Ta and/or Nb such as 1-methoxy-2-methyl-2-propanolate (mmp) to increase volatility. Furthermore, methods of depositing Ta or Nb compounds are disclosed in conjunction with use of Hf and/or Zr precursors to deposit Ta-doped or Nb-doped Hf and/or Zr films, The methods and compositions may be used in CVD, ALD, or pulsed CVD deposition processes.

摘要翻译： 本文公开了用于沉积高k膜的方法和组合物。 通常，所公开的方法使用包含Ta或Nb的前体化合物。 更具体地，所公开的前体化合物利用与Ta和/或Nb偶联的某些配体，例如1-甲氧基-2-甲基-2-丙醇酸（mmp）以增加挥发性。 此外，结合使用Hf和/或Zr前体沉积Ta掺杂或掺铪的Hf和/或Zr膜来公开沉积Ta或Nb化合物的方法。该方法和组合物可用于CVD，ALD， 或脉冲CVD沉积工艺。