公开(公告)号：US20100276574A1

公开(公告)日：2010-11-04

申请号：US12433598

申请日：2009-04-30

申请人： Sohei Manabe

发明人： Sohei Manabe

IPC分类号： H03F3/08 ,  H01L27/00

CPC分类号： H04N5/353 ,  H01L27/14609 ,  H04N5/357 ,  H04N5/37452

摘要： An image sensor includes a photodiode to accumulate an image charge and a storage transistor to store the image charge. A transfer transistor is coupled between the photodiode and an input of the storage transistor to selectively transfer the image charge from the photodiode to the storage transistor. An output transistor is coupled to an output of the storage transistor to selectively transfer the image charge to a readout node and a reset transistor is coupled to the readout node. A controller is configured to apply a negative voltage to a gate of the storage transistor before activating the gate of the storage transistor to store the image charge.

摘要翻译： 图像传感器包括用于积累图像电荷的光电二极管和用于存储图像电荷的存储晶体管。 传输晶体管耦合在光电二极管和存储晶体管的输入端之间，以选择性地将图像电荷从光电二极管转移到存储晶体管。 输出晶体管耦合到存储晶体管的输出，以选择性地将图像电荷传送到读出节点，并且复位晶体管耦合到读出节点。 控制器被配置为在激活存储晶体管的栅极以存储图像电荷之前，向存储晶体管的栅极施加负电压。

公开(公告)号：US07209601B2

公开(公告)日：2007-04-24

申请号：US10625707

申请日：2003-07-22

申请人： Sohei Manabe

发明人： Sohei Manabe

IPC分类号： G06K9/32 ,  G06K9/36 ,  H04N3/14

CPC分类号： H04N5/23277 ,  H04N5/23248 ,  H04N5/23254 ,  H04N5/23267 ,  H04N5/235 ,  H04N5/2355

摘要： A method of forming a composite image using a CMOS image sensor. The method comprises capturing a plurality of frames using the image sensor, identifying a reference point in each of the frames, and aligning the frames using the reference point. Finally, the frames are combines, such as be an arithmetic addition, into the composite image.

摘要翻译： 使用CMOS图像传感器形成合成图像的方法。 该方法包括使用图像传感器捕获多个帧，识别每个帧中的参考点，以及使用参考点对准帧。 最后，将这些帧组合到合成图像中，例如作为算术加法。

公开(公告)号：US4807037A

公开(公告)日：1989-02-21

申请号：US117614

申请日：1987-11-06

申请人： Mamoru Iesaka ,  Yoshiyuki Matsunaga ,  Sohei Manabe ,  Nozomu Harada

发明人： Mamoru Iesaka ,  Yoshiyuki Matsunaga ,  Sohei Manabe ,  Nozomu Harada

IPC分类号： H01L27/148 ,  H04N5/372 ,  H04N3/14

CPC分类号： H04N3/1575 ,  H01L27/14831

摘要： In a CCD image sensor, a plurality of horizontal CCD registers are disposed adjacent to an image sensing area having matrix-arrayed image sensing cells and a plurality of vertical CCD registers. In the CCD image sensor, the channel impurity concentration of second horizontal CCD register, located away from the image sensing area, is more higher than that of first horizontal CCD register. With this feature, when the charges are transferred to the second horizontal CCD register across the first horizontal register, the residual charges in the first horiozntal CCD register are remarkably reduced.

摘要翻译： 在CCD图像传感器中，多个水平CCD寄存器被布置为与具有矩阵阵列的图像感测单元和多个垂直CCD寄存器的图像感测区域相邻。 在CCD图像传感器中，位于远离图像感测区域的第二水平CCD寄存器的沟道杂质浓度比第一水平CCD寄存器的沟道杂质浓度更高。 利用该特征，当电荷在第一水平寄存器中被传送到第二水平CCD寄存器时，第一水平CCD寄存器中的剩余电荷显着减小。

公开(公告)号：US4614891A

公开(公告)日：1986-09-30

申请号：US686401

申请日：1984-12-26

申请人： Takao Kuwahata ,  Sohei Manabe ,  Katsuhiro Gonpei ,  Masatoki Nakabayashi

发明人： Takao Kuwahata ,  Sohei Manabe ,  Katsuhiro Gonpei ,  Masatoki Nakabayashi

IPC分类号： H01J9/233 ,  H01J29/45 ,  H01J31/00 ,  H01J31/26

CPC分类号： H01J29/45 ,  H01J9/233

摘要： A photoconductive target of an image pickup tube consists of a transparent substrate, a transparent conductor formed thereon, a photoconductive layer, containing Cd, Te and Se and formed on the conductive layer, and a high resistance layer formed on the photoconductive layer. The Molar ratios of Cd, Te and Se contained in the photoconductive layer satisfy a general formula CdTe.sub.1-x Se.sub.x where x falls within the range between 0.3 and 0.5.

摘要翻译： 图像拾取管的光导目标由形成在其上的透明基板，形成在其上的透明导体，形成在导电层上的Cd，Te和Se的光电导层以及形成在光电导层上的高电阻层组成。 包含在光电导层中的Cd，Te和Se的摩尔比满足通式CdTe1-xSex，其中x落在0.3和0.5之间的范围内。