公开(公告)号：US20120205763A1

公开(公告)日：2012-08-16

申请号：US13455888

申请日：2012-04-25

申请人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Parviz Keshtbod

发明人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Parviz Keshtbod

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/10 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/228

摘要： A non-volatile current-switching magnetic memory element includes a bottom electrode, a pinning layer formed on top of the bottom electrode, and a fixed layer formed on top of the pinning layer. The memory element further includes a tunnel layer formed on top of the pinning layer, a first free layer formed on top of the tunnel layer, a granular film layer formed on top of the free layer, a second free layer formed on top of the granular film layer, a cap layer formed on top of the second layer and a top electrode formed on top of the cap layer.

摘要翻译： 非易失性电流切换磁存储元件包括底电极，形成在底电极顶部的钉扎层和形成在钉扎层顶部上的固定层。 存储元件还包括形成在钉扎层顶部的隧道层，形成在隧道层顶部上的第一自由层，形成在自由层顶部上的颗粒膜层，形成在颗粒状的顶部上的第二自由层 膜层，形成在第二层的顶部上的盖层和形成在盖层的顶部上的顶部电极。

公开(公告)号：US20120170361A1

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：US13345600

申请日：2012-01-06

申请人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Parviz Keshtbod ,  Mahmud ASSAR

发明人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Parviz Keshtbod ,  Mahmud ASSAR

IPC分类号： G11C11/14

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G11C11/15 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1659 ,  G11C11/1675 ,  G11C14/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/224

摘要： A flash-RAM memory includes non-volatile random access memory (RAM) formed on a monolithic die and non-volatile page-mode memory formed on top of the non-volatile RAM, the non-volatile page-mode memory and the non-volatile RAM reside on the monolithic die. The non-volatile RAM is formed of stacks of magnetic memory cells arranged in three-dimensional form for higher density and lower costs.

摘要翻译： 闪存RAM存储器包括形成在单片模块上的非易失性随机存取存储器（RAM）和形成在非易失性RAM，非易失性页面模式存储器和非易失性页面模式存储器之上的非易失性页面模式存储器， 易失性RAM驻留在单片模具上。 非易失性RAM由以三维形式布置的磁存储单元堆叠形成，用于更高密度和更低成本。

公开(公告)号：US20110303998A1

公开(公告)日：2011-12-15

申请号：US13213026

申请日：2011-08-18

申请人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Parviz Keshtbod ,  Roger Klas Malmhall

发明人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Parviz Keshtbod ,  Roger Klas Malmhall

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/5607

摘要： A multi-state current-switching magnetic memory element has a magnetic tunneling junction (MTJ), for storing more than one bit of information. The MTJ includes a fixed layer, a barrier layer, and a non-uniform free layer. In one embodiment, having 2 bits per cell, when one of four different levels of current is applied to the memory element, the applied current causes the non-uniform free layer of the MTJ to switch to one of four different magnetic states. The broad switching current distribution of the MTJ is a result of the broad grain size distribution of the non-uniform free layer.

公开(公告)号：US20080246104A1

公开(公告)日：2008-10-09

申请号：US11866830

申请日：2007-10-03

申请人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Parviz Keshtbod ,  Roger Klas Malmhall

发明人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Parviz Keshtbod ,  Roger Klas Malmhall

IPC分类号： H01L29/82

CPC分类号： G11C11/5607 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L27/222 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10

摘要： One embodiment of the present invention includes multi-state current-switching magnetic memory element including a stack of two or more magnetic tunneling junctions (MTJs), each MTJ having a free layer and being separated from other MTJs in the stack by a seeding layer formed upon an isolation layer, the stack for storing more than one bit of information, wherein different levels of current applied to the memory element causes switching to different states.

摘要翻译： 本发明的一个实施例包括多状态电流切换磁存储元件，其包括两个或多个磁隧道结（MTJ）的堆叠，每个MTJ具有自由层，并且通过形成的晶种层与堆叠中的其它MTJ分离 在隔离层上，用于存储多于一位的信息的堆栈，其中施加到存储器元件的不同电平的电流导致切换到不同的状态。

公开(公告)号：US20080191295A1

公开(公告)日：2008-08-14

申请号：US11776692

申请日：2007-07-12

申请人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Parviz Keshtbod ,  Roger Klas Malmhall

发明人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Parviz Keshtbod ,  Roger Klas Malmhall

IPC分类号： H01L29/82 ,  H01L21/00

CPC分类号： B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G11C11/161 ,  H01F10/3236 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/303 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： One embodiment of the present invention includes a non-volatile magnetic memory element including layers any of which are graded.

摘要翻译： 本发明的一个实施例包括非易失性磁存储元件，其包括任何等级的层。

公开(公告)号：US20080094886A1

公开(公告)日：2008-04-24

申请号：US11674124

申请日：2007-02-12

申请人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Petro Estakhri ,  Mahmud Assar ,  Parviz Keshtbod

发明人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Petro Estakhri ,  Mahmud Assar ,  Parviz Keshtbod

IPC分类号： G11C11/14 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L27/228 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/1675 ,  H01L43/08

摘要： One embodiment of the present invention includes a non-uniform switching based non-volatile magnetic memory element including a fixed layer, a barrier layer formed on top of the fixed layer, a first free layer formed on top of the barrier layer, a non-uniform switching layer (NSL) formed on top of the first free layer, and a second free layer formed on top of the non-uniform switching layer, wherein switching current is applied, in a direction that is substantially perpendicular to the fixed, barrier, first free, non-uniform and the second free layers causing switching between states of the first, second free and non-uniform layers with substantially reduced switching current.

摘要翻译： 本发明的一个实施例包括：非均匀的基于开关的非易失性磁存储元件，其包括固定层，形成在固定层顶部的阻挡层，形成在阻挡层顶部上的第一自由层， 形成在第一自由层的顶部上的均匀开关层（NSL）和形成在非均匀开关层顶部的第二自由层，其中施加开关电流，其基本上垂直于固定屏障的方向， 第一自由，不均匀和第二自由层引起第一，第二自由和非均匀层的状态之间的切换，其开关电流大大降低。

公开(公告)号：US20070201265A1

公开(公告)日：2007-08-30

申请号：US11678515

申请日：2007-02-23

申请人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Mahmud Assar ,  Parviz Keshtbod

发明人： Rajiv Yadav Ranjan ,  Mahmud Assar ,  Parviz Keshtbod

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/1675 ,  B82Y10/00 ,  G11C11/16 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1673 ,  G11C11/5607 ,  G11C2211/5615 ,  H01L27/222 ,  H01L27/228 ,  H01L43/08

摘要： One embodiment of the present invention includes a multi-state current-switching magnetic memory element having a stack of magnetic tunneling junction (MTJ) separated by a non-magnetic layer for storing more than one bit of information, wherein different levels of current applied to the memory element cause switching to different states.

摘要翻译： 本发明的一个实施例包括具有由用于存储多于一位的信息的非磁性层分隔的磁隧道结（MTJ）堆叠的多状态电流切换磁存储元件，其中施加到 存储器元件导致切换到不同的状态。

公开(公告)号：US08477529B2

公开(公告)日：2013-07-02

申请号：US13623054

申请日：2012-09-19

申请人： Parviz Keshtbod ,  Ebrahim Abedifard

发明人： Parviz Keshtbod ,  Ebrahim Abedifard

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C11/16 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  H01F10/3254 ,  H01F10/3272 ,  H01F41/303 ,  H01L27/105 ,  H01L27/228

摘要： A magnetic random access memory (MRAM) cell includes an embedded MRAM and an access transistor. The embedded MRAM is formed on a number of metal-interposed-in-interlayer dielectric (ILD) layers, which each include metal dispersed therethrough and are formed on top of the access transistor. An magneto tunnel junction (MTJ) is formed on top of a metal formed in the ILD layers that is in close proximity to a bit line. An MTJ mask is used to pattern the MTJ and is etched to expose the MTJ. Ultimately, metal is formed on top of the bit line and extended to contact the MTJ.

摘要翻译： 磁性随机存取存储器（MRAM）单元包括嵌入式MRAM和存取晶体管。 嵌入式MRAM形成在多个金属插入层间电介质（ILD）层中，每个层包括分散在其中的金属并形成在存取晶体管的顶部。 在位于靠近位线的ILD层中形成的金属的顶部上形成磁隧道结（MTJ）。 MTJ掩模用于对MTJ进行图案蚀刻，以暴露MTJ。 最终，在位线顶部形成金属并延伸以接触MTJ。

公开(公告)号：US08148174B1

公开(公告)日：2012-04-03

申请号：US13100048

申请日：2011-05-03

申请人： Ebrahim Abedifard ,  Parviz Keshtbod

发明人： Ebrahim Abedifard ,  Parviz Keshtbod

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L43/12

摘要： A method of manufacturing a magnetic memory element includes the steps of performing a first etching an oxide layer is etched, using a first photo-resist, the oxide layer formed on top of a contact layer that is formed on top of a magneto tunnel junction (MTJ), depositing a second photo-resist and second etching to leave a portion of the contact layer used to suitably connect the MTJ to circuits outside of the magnetic memory element.

摘要翻译： 一种制造磁存储元件的方法包括以下步骤：使用第一光致抗蚀剂进行第一蚀刻，蚀刻氧化层，形成在形成于磁隧道结顶部的接触层顶部上的氧化物层 沉积第二光刻胶和第二蚀刻以留下用于将MTJ适当地连接到磁存储元件外部的电路的接触层的一部分。

公开(公告)号：US06411546B1

公开(公告)日：2002-06-25

申请号：US09565517

申请日：2000-05-05

申请人： Petro Estakhri ,  Siamack Nemazie ,  Mahmud Assar ,  Parviz Keshtbod

发明人： Petro Estakhri ,  Siamack Nemazie ,  Mahmud Assar ,  Parviz Keshtbod

IPC分类号： G11C1604

CPC分类号： G11C16/102 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0607 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0679 ,  G06F11/1068 ,  G06F12/0246 ,  G11C8/12 ,  G11C16/08

摘要： An embodiment of the present invention is disclosed to include a nonvolatile memory system for controlling erase operations performed on a nonvolatile memory array comprised of rows and columns, the nonvolatile memory array stores digital information organized into blocks with each block having one or more sectors of information and each sector having a user data field and an extension field and each sector stored within a row of the memory array. A controller circuit is coupled to a host circuit and is operative to perform erase operations on the nonvolatile memory array, the controller circuit erases an identified sector of information having a particular user data field and a particular extension field wherein the particular user field and the particular extension field are caused to be erased separately.

摘要翻译： 公开了本发明的实施例，其包括用于控制对由行和列组成的非易失性存储器阵列执行的擦除操作的非易失性存储器系统，非易失性存储器阵列存储组织成块的数字信息，每个块具有一个或多个信息扇区 并且每个扇区具有用户数据字段和扩展字段，并且每个扇区存储在存储器阵列的行内。 控制器电路耦合到主机电路并且可操作以对非易失性存储器阵列执行擦除操作，控制器电路擦除所识别的具有特定用户数据字段和特定扩展字段的信息扇区，其中特定用户字段和特定用户字段 扩展字段被分别擦除。